• GaN Gallio nitruro Wafer Alta mobilità elettronica Dispositivi RF Optoelettronica E LED
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GaN Gallio nitruro Wafer Alta mobilità elettronica Dispositivi RF Optoelettronica E LED

GaN Gallio nitruro Wafer Alta mobilità elettronica Dispositivi RF Optoelettronica E LED

Dettagli:

Luogo di origine: CINESE
Marca: ZMSH
Numero di modello: Wafer di nitruro di gallio GaN

Termini di pagamento e spedizione:

Tempi di consegna: 2-4 settimane
Termini di pagamento: T/T
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Dimensione: "diametro o 25,4 +/- 0,5 mm Spessore: 350 +/- 50 mm
Piano primario: 12 +/- 1 mm Appartamento secondario:: 8 +/- 1 mm
orientamento: (0001) Piano C Variazione dello spessore totale: ≤ 40 μm
arco: 0 +/- 10 um Resistività: ~ 10-3 ohm-cm
Concentrazione in trasportatore: ~ 1019 cm-3 Mobilità dei vettori: ~ 150 cm2/V*s
Densità del pozzo di incisione: < 5 x 104 cm-2 Polizione: Superficie anteriore: RMS < 0,5 nm, pronto Epi, superficie posteriore a terra.
Evidenziare:

Optoelettronica Wafer di nitruro di gallio

,

LED Wafer GaN

,

Dispositivi RF Wafer al nitruro di gallio

Descrizione di prodotto

GaN Gallium Nitride Wafer Alta mobilità elettronica Dispositivi RF Optoelettronica e LED

Abstract di GaN Gallium Nitride Wafer

I wafer a nitruro di gallio (GaN) sono diventati una tecnologia fondamentale in vari settori, grazie alle loro proprietà materiali uniche.e eccezionale stabilità termica, i Wafer GaN trovano applicazioni in elettronica di potenza, dispositivi RF, optoelettronica e altro ancora.da alimentare le comunicazioni 5G all'illuminazione dei LED e all'avanzamento dei sistemi di energia solareLe caratteristiche di elevate prestazioni del GaN lo rendono una pietra angolare nello sviluppo di dispositivi elettronici compatti ed efficienti, influenzando settori quali l'elettronica automobilistica, l'aerospaziale, l'industria automobilistica e la tecnologia.e le energie rinnovabiliCome forza trainante dell'innovazione tecnologica, i wafer GaN continuano a ridefinire le possibilità in diversi settori, plasmando il panorama dei moderni sistemi elettronici e di comunicazione.

La vetrina del Wafer di Nitruro di Gallio GaN

GaN Gallio nitruro Wafer Alta mobilità elettronica Dispositivi RF Optoelettronica E LED 0GaN Gallio nitruro Wafer Alta mobilità elettronica Dispositivi RF Optoelettronica E LED 1

GaN Gallio nitruro Wafer Alta mobilità elettronica Dispositivi RF Optoelettronica E LED 2GaN Gallio nitruro Wafer Alta mobilità elettronica Dispositivi RF Optoelettronica E LED 3

Applicazione di Wafer di nitrito di gallio GaN

GaN Gallio nitruro Wafer Alta mobilità elettronica Dispositivi RF Optoelettronica E LED 4

I wafer a nitruro di gallio (GaN) trovano un'ampia gamma di applicazioni in molteplici settori,sfruttando le loro proprietà materiali uniche per migliorare le prestazioni dei dispositivi elettronici e optoelettroniciEcco alcune applicazioni chiave delle onde GaN:

  1. Potenza elettronica:

    • I wafer GaN sono ampiamente utilizzati nei dispositivi elettronici di potenza come transistor e diodi.trasformatori, e inverter in settori che vanno dalle telecomunicazioni ai sistemi di energia rinnovabile.
  2. Dispositivi a RF (radio frequenza):

    • Le onde GaN sono utilizzate nello sviluppo di dispositivi RF ad alta frequenza, inclusi amplificatori e switch.rendendolo utile in applicazioni quali i sistemi radar, comunicazione wireless e comunicazione satellitare.
  3. Optonelettronica e LED:

    • I LED basati su GaN (diodi emettitori di luce) sono ampiamente utilizzati in applicazioni di illuminazione, display e indicatori.La capacità del GaN di emettere luce nello spettro blu e ultravioletto contribuisce alla produzione di luce bianca nei LED, rendendoli fondamentali per soluzioni di illuminazione a basso consumo energetico.
  4. Dispositivi optoelettronici a raggi UV (ultravioletti):

    • La trasparenza del GaN alla luce ultravioletta lo rende adatto per applicazioni optoelettroniche UV.e altri dispositivi in cui è essenziale la sensibilità alle radiazioni UV.
  5. Transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT):

    • I wafer GaN servono come materiale chiave per lo sviluppo di HEMT, che sono transistor ad alte prestazioni utilizzati in applicazioni ad alta frequenza e alta potenza.Gli HEMT basati sulla tecnologia GaN sono impiegati nelle comunicazioni satellitari, sistemi radar e infrastrutture wireless.
  6. Comunicazione wireless (5G):

    • Le capacità ad alta frequenza del GaN lo rendono un materiale preferito per lo sviluppo di componenti RF nei sistemi di comunicazione 5G.Gli amplificatori e i trasmettitori basati su GaN svolgono un ruolo cruciale per consentire l'elevata velocità di trasmissione e la bassa latenza richiesti per le reti 5G.
  7. Forniture di alimentazione e convertitori:

    • I Wafer GaN sono utilizzati nella produzione di alimentatori e convertitori, dove sono essenziali progetti ad alta efficienza e compatti.I dispositivi di alimentazione basati sul GaN contribuiscono a ridurre le perdite di potenza e a migliorare l'efficienza complessiva dei sistemi elettronici.
  8. Elettronica automobilistica:

    • La tecnologia GaN sta trovando un uso crescente nell'elettronica automobilistica, in particolare nei veicoli elettrici (EV) e nei veicoli elettrici ibridi (HEV).L'elettronica di potenza basata sul GaN migliora l'efficienza dei propulsori elettrici, contribuendo al progresso dei trasporti sostenibili.
  9. Invertitori di energia solare:

    • I wafer GaN sono utilizzati nello sviluppo di inverter di potenza per sistemi di energia solare.L'elevata efficienza e le capacità di gestione dell'energia dei dispositivi GaN contribuiscono a ottimizzare la conversione dell'energia solare in elettricità utilizzabile.
  10. Sistemi radar avanzati:

    • La capacità del GaN di operare ad alte frequenze e di resistere ad alti livelli di potenza lo rende ideale per sistemi radar avanzati.aerospaziale, e di monitoraggio del tempo.

Le varie applicazioni dei wafer GaN sottolineano il loro significato nel progredire della tecnologia in diversi settori.e altre proprietà utili posizionano il GaN come fattore chiave per lo sviluppo di dispositivi elettronici e optoelettronici avanzati.

Grafico dei dati del Wafer di nitruro di gallio GaN

Modello N.O.
50.8 mm
Tecnologia di produzione
HVPE e MOCVD
Materiale
Semiconduttore composto
Tipo
Semiconduttore di tipo N
Applicazione
LED
Modello
Tipo N, semisolatore
Marchio
WMC
Diametro
50.8, 100 150 mm
Orientazione cristallina
C-piano (0001)
Resistenza
< 0,05 < 0,1 < 0,5 ohm.cm
Spessore
350 mm
TTV
10um massimo
Inchinati.
25um massimo
EPD
5E8 cm-2 massimo
Roughness superficiale
L'intervallo di tempo di prova deve essere pari a ± 2 minuti.
Concentrazione del vettore
5E17 cm-3 massimo
Mobilità delle sale
300 cm2/V.s.
Marchio
WMC
Pacchetto di trasporto
contenitore di una singola wafer
Specificità
Due, quattro, sei.
Origine
Chengdu Cina
Codice S.A.
3818001900

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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