Wafer GaN per semiconduttori da 4 pollici di grado di ricerca 0,4 mm
Dettagli:
Luogo di origine: | La Cina |
Marca: | zmkj |
Numero di modello: | grado di ricerca 2inch |
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: | 2pcs |
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Prezzo: | 1000~2500usd/pc |
Imballaggi particolari: | singola cassa del wafer dall'imballaggio sotto vuoto |
Tempi di consegna: | 1-5weeks |
Termini di pagamento: | T/T, Western Union |
Capacità di alimentazione: | 50pcs al mese |
Informazioni dettagliate |
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Materiale: | Monocristallo di GaN | Dimensione: | 2 pollici |
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Spessore: | 0.35~0.5 mm | Tipo: | Tipo Si/non dopato, Fe-dopato, |
Applicazione: | Display di proiezione laser, dispositivo di alimentazione | Crescita: | HVPE |
Superficie: | ssp o dsp | orientamento: | 0001 |
Pacco: | singolo contenitore del wafer | ||
Evidenziare: | Wafer gan di isolato,wafer gan di 0.4mm,semiconduttori gan sulla lastra di silicio |
Descrizione di prodotto
Modello di 2 pollici di substrati GaN,Wafer GaN per LeD,Wafer semiconduttore di nitruro di gallio per ld,Modello GaN,Wafer GaN mocvd,Substrati GaN a piedi liberi per dimensioni personalizzate,Wafer GaN di piccole dimensioni per LED, mocvd Gallio nitruro wafer 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm Wafer GaN, Substrati GaN indipendenti non polari ((a-piano e m-piano)
Caratteristica della goccia di GaN
- III-nitruro ((GaN,AlN,InN)
Il nitruro di gallio è un tipo di semiconduttore composto a grande spazio.
è un substrato monocristallino di alta qualità, realizzato con il metodo HVPE originale e la tecnologia di lavorazione dei wafer, sviluppata originariamente in Cina da oltre 10 anni.Le caratteristiche sono cristalline.I substrati GaN sono utilizzati per molti tipi di applicazioni, per LED bianchi e LD ((violetto, blu e verde).lo sviluppo è progredito per le applicazioni di dispositivi elettronici di potenza e ad alta frequenza.
L'ampiezza di banda proibita (emissione e assorbimento della luce) copre l'ultravioletta, la luce visibile e l'infrarosso.
Applicazioni
Il GaN può essere utilizzato in molti settori come il display a LED, il rilevamento e l'imaging ad alta energia,
Display di proiezione laser, dispositivo di alimentazione, ecc.
- Dispositivi a microonde ad alta frequenza Detezione e immaginazione ad alta energia
- Nuove energie solor tecnologia dell'idrogeno Ambiente rilevazione e medicina biologica
- banda terahertz della sorgente luminosa
- Display di proiezione laser, dispositivo di alimentazione, ecc.
- Illuminazione a basso consumo di energia Display a colori
- Proiezioni laser Dispositivi elettronici ad alta efficienza
Specifica dei substrati GaN a 2 pollici
La nostra visione dell'impresa Factroy
Forniremo un substrato GaN di alta qualità e una tecnologia di applicazione per l'industria con la nostra fabbrica.
Il GaN di alta qualità è il fattore restrittivo per l'applicazione dei nitruri III, ad esempio la lunga durata
e LD ad alta stabilità, dispositivi a microonde ad alta potenza e alta affidabilità, Alta luminosità
e LED ad alta efficienza e risparmio energetico.
Dettagli della consegna
- FQ
D: Qual è la logistica e i costi?
(1) Accettiamo DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e così via.
(2) Se avete il vostro numero espresso, è ottimo.
In caso contrario, possiamo aiutarvi a consegnare.
D: Qual è il tempo di consegna?
(1) Per i prodotti standard come i wafer da 0,35 mm da 2 pollici.
Per l'inventario: la consegna è di 5 giorni lavorativi dall'ordine.
Per i prodotti personalizzati: la consegna è di 2 o 4 settimane lavorative dall'ordine.
D: Come si paga?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pagamento sicuro e garanzia commerciale.
D: Qual è il MOQ?
(1) Per l'inventario, il MOQ è di 1pcs.
(2) Per i prodotti personalizzati, il MOQ è di 5pcs-10pcs.
Dipende dalla quantità e dalla tecnica.
D: Avete un rapporto di ispezione del materiale?
Possiamo fornire il rapporto ROHS e raggiungere i rapporti per i nostri prodotti.