Spessore di Wafer SiC di 8 pollici di tipo 4H-N 500±25um n dopato manichino di primaria qualità di ricerca
Dettagli:
Place of Origin: | China |
Marca: | ZMSH |
Numero di modello: | SiC |
Termini di pagamento e spedizione:
Minimum Order Quantity: | 1 |
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Delivery Time: | 2-4 weeks |
Payment Terms: | T/T |
Informazioni dettagliate |
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polytype: | 4H | surface orientation: | <11-20>4±0.5 |
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dopant: | n-type Nitrogen | resistivity: | 0.015~0.025ohm ·cm |
diameter: | 200±0.2 mm | thickness: | 500±25 um |
L' estremo: | Campione | surface finish: | Si-face CMP |
Descrizione di prodotto
Spessore di Wafer SiC di 8 pollici di tipo 4H-N 500±25um n dopato manichino di primo grado di ricerca
8 pollici 4H-N tipo SiC Wafer's abstract
Questo studio presenta la caratterizzazione di un wafer in carburo di silicio (SiC) di tipo 4H-N da 8 pollici destinato alle applicazioni dei semiconduttori.è stato fabbricato utilizzando tecniche all'avanguardia ed è dopato con impurità di tipo nPer valutare la qualità del cristallo, la morfologia superficiale, la composizione e l'effetto Hall, sono state utilizzate tecniche di caratterizzazione che includono la diffrazione a raggi X (XRD), la microscopia elettronica a scansione (SEM) e le misurazioni dell'effetto Hall.e proprietà elettriche del waferL'analisi XRD ha confermato la struttura poli-tipo 4H del Wafer SiC, mentre l'imaging SEM ha rivelato una morfologia superficiale uniforme e priva di difetti.Le misurazioni dell'effetto Hall hanno indicato un livello di doping di tipo n coerente e controllabile su tutta la superficie del waferI risultati suggeriscono che il wafer SiC di tipo 4H-N da 8 pollici presenta caratteristiche promettenti per l'uso in dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni.in particolare nelle applicazioni che richiedono un funzionamento ad alta potenza e ad alta temperaturaSono necessari ulteriori studi di ottimizzazione e integrazione dei dispositivi per sfruttare appieno il potenziale di questa piattaforma materiale.
Proprietà di una Wafer SiC da 8 pollici di tipo 4H-N
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Struttura cristallina: presenta una struttura cristallina esagonale con un politipo 4H, fornendo proprietà elettroniche favorevoli per le applicazioni dei semiconduttori.
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Diametro del wafer: 8 pollici, fornendo una grande superficie per la fabbricazione e la scalabilità del dispositivo.
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Spessore della wafer: in genere 500 ± 25 μm, che fornisce stabilità meccanica e compatibilità con i processi di produzione dei semiconduttori.
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Doping: doping di tipo N, in cui gli atomi di azoto vengono introdotti intenzionalmente come impurità per creare un eccesso di elettroni liberi nel reticolo cristallino.
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Proprietà elettriche:
- Alta mobilità elettronica, che consente un trasporto efficiente della carica.
- Bassa resistività elettrica, che facilita la conduzione dell'elettricità.
- Profil di doping controllato e uniforme su tutta la superficie del wafer.
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Purezza del materiale: materiale SiC di alta purezza, con bassi livelli di impurità e difetti, che garantisce prestazioni e longevità affidabili del dispositivo.
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Morfologia superficiale: morfologia superficiale liscia e priva di difetti, adatta per la crescita epitaxiale e i processi di fabbricazione dei dispositivi.
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Proprietà termiche: elevata conduttività termica e stabilità a temperature elevate, che lo rendono adatto per applicazioni ad alta potenza e ad alta temperatura.
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Proprietà ottiche: Ampia energia a banda larga e trasparenza nello spettro visibile e infrarosso, consentendo l'integrazione di dispositivi optoelettronici.
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Proprietà meccaniche:
- Alta resistenza meccanica e durezza, che forniscono durata e resistenza durante la movimentazione e la lavorazione.
- Basso coefficiente di espansione termica, riducendo il rischio di crepazione indotta da stress termico durante il ciclo di temperatura.
Numero Articolo Unità Produzione Ricerca Cazzo. 1 politipo 4H 4H 4H 2 orientamento della superficie ° < 11-20> 4±0.5 < 11-20> 4±0.5 < 11-20> 4±0.5 3 dopante Azoto di tipo n Azoto di tipo n Azoto di tipo n 4 resistenza Ohm · cm 0.015 ~ 0.025 0.01~0.03 5 diametro mm 200 ± 0.2 200 ± 0.2 200 ± 0.2 6 spessore μm 500 ± 25 500 ± 25 500 ± 25 7 Orientazione della tacca ° [1- 100]± 5 [1- 100]± 5 [1- 100]± 5 8 Profondità di tacca mm Uno a uno.5 Uno a uno.5 Uno a uno.5 9 LTV μm ≤ 5 (± 10 mm × 10 mm) ≤ 5 (± 10 mm × 10 mm) ≤ 10 mm × 10 mm 10 TTV μm ≤ 10 ≤ 10 ≤ 15 11 Inchinati. μm 25 ~ 25 45 ~ 45 65 ~ 65 12 Warp. μm ≤ 30 ≤ 50 ≤ 70
Immagine di una Wafer SiC da 8 pollici di tipo 4H-N
Applicazione di Wafer SiC di tipo 4H-N da 8 pollici
Elettronica di potenza: le onde SiC sono ampiamente utilizzate nella fabbricazione di dispositivi di potenza quali i diodi Schottky, i MOSFET (metallo-ossido-semiconduttore transistor a effetto di campo),e IGBT (transistor bipolari a porta isolata)Questi dispositivi beneficiano dell'elevata tensione di rottura del SiC, della bassa resistenza in stato di funzionamento e delle prestazioni ad alta temperatura, che li rendono adatti alle applicazioni nei veicoli elettrici,sistemi di energia rinnovabile, e sistemi di distribuzione dell'energia.
Dispositivi a RF e a microonde: Le onde SiC sono utilizzate nello sviluppo di dispositivi RF ad alta frequenza (Radio Frequency) e microonde a causa della loro elevata mobilità elettronica e conduttività termica.Le applicazioni includono amplificatori ad alta potenza, interruttori RF e sistemi radar, in cui i vantaggi delle prestazioni del SiC consentono una gestione efficiente della potenza e un funzionamento ad alta frequenza.
Optoelettronica: Le onde SiC sono utilizzate nella fabbricazione di dispositivi optoelettronici quali fotodettori ultravioletti (UV), diodi emettitori di luce (LED) e diodi laser.L'ampio intervallo di banda del SiC e la trasparenza ottica nella gamma UV lo rendono adatto per applicazioni nel rilevamento UV, sterilizzazione UV e LED UV ad alta luminosità.
Elettronica ad alta temperatura: i Wafer SiC sono preferiti per sistemi elettronici che operano in ambienti difficili o a temperature elevate.e sistemi di controllo del motore per autoveicoli, in cui la stabilità termica e l'affidabilità del SiC consentono il funzionamento in condizioni estreme.
Tecnologia dei sensori: Le onde di SiC sono utilizzate nello sviluppo di sensori ad alte prestazioni per applicazioni quali il rilevamento della temperatura, il rilevamento della pressione e il rilevamento dei gas.I sensori basati sul SiC offrono vantaggi quali un'elevata sensibilità, tempi di risposta veloci e compatibilità con ambienti difficili, che li rendono adatti per applicazioni industriali, automobilistiche e aerospaziali.