• Semi-isolatore 3 pollici Wafer in carburo di silicio 4H orientamento CVD tipo N 4.0°±0.5°
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Semi-isolatore 3 pollici Wafer in carburo di silicio 4H orientamento CVD tipo N 4.0°±0.5°

Semi-isolatore 3 pollici Wafer in carburo di silicio 4H orientamento CVD tipo N 4.0°±0.5°

Dettagli:

Marca: ZMSH
Numero di modello: Wafer del carburo di silicio

Termini di pagamento e spedizione:

Tempi di consegna: 2-4 settimane
Termini di pagamento: T/T
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Metodo di crescita: CVD Struttura: Cristallo unico esagonale
Diametro: Fino a 150 mm, 200 mm Spessore: 350 μm (tipo n, 3′′ SI), 500 μm (SI)
gradi: Prime, Dummy, Ricerca. Conduttività termica: 370 (W/mK) a temperatura ambiente
Coefficiente di espansione termica: 4.5 (10-6K-1) Calore specifico (250 °C): 0.71 (J g-1 K-1)
Evidenziare:

Wafer Sic semi-isolatore

,

Wafer di carburo di silicio da 3 pollici

,

Wafer in carburo di silicio 4H tipo N

Descrizione di prodotto

Semi-isolatore da 3 pollici in wafer in carburo di silicio 4H orientamento CVD tipo N: 4.0°±0.5°

Semi-isolatore wafer di carburo di silicio da 3 pollici

The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for advanced high-power and high-frequency semiconductor devices that operate well beyond the capabilities of either silicon or gallium arsenide devicesI principali vantaggi della tecnologia basata sul SiC includono una riduzione delle perdite di commutazione, una maggiore densità di potenza, una migliore dissipazione del calore e una maggiore capacità di larghezza di banda.Ciò si traduce in soluzioni altamente compatte con un'efficienza energetica notevolmente migliorata a costi ridottiL'elenco in rapida crescita di applicazioni commerciali attuali e previste che utilizzano le tecnologie SiC comprende alimentatori di commutazione, inverter per la generazione di energia solare e eolica,motori motrici industriali, veicoli elettrici e elettrici, e la commutazione elettrica intelligente.

Semi-isolatore 3 pollici Wafer in carburo di silicio 4H orientamento CVD tipo N 4.0°±0.5° 0

La caratteristica chiave del wafer a carburo di silicio semisolatore da 3 pollici

Semi-isolatore 3 pollici Wafer in carburo di silicio 4H orientamento CVD tipo N 4.0°±0.5° 1

Il wafer di carburo di silicio semisolatore da 3 pollici presenta caratteristiche chiave che lo rendono essenziale in varie applicazioni per semiconduttori.questi wafer forniscono un substrato cruciale per la produzione di dispositivi elettronici ad alte prestazioniLa proprietà di semi-isolamento, che indica un certo grado di isolamento elettrico, è una caratteristica determinante, riducendo le perdite di corrente e migliorando le prestazioni dei componenti elettronici.

 

Il carburo di silicio (SiC), il materiale primario di costruzione, è un composto noto per le sue proprietà eccezionali.rendendolo ideale per applicazioni impegnativeLa natura semi-isolatrice di questi wafer è vantaggiosa nei dispositivi a microonde e a radiofrequenza, come gli amplificatori di potenza e gli interruttori RF.dove l'isolamento elettrico è cruciale per le prestazioni ottimali.

 

Una delle principali applicazioni dei wafer a carburo di silicio semi-isolatore è nei dispositivi elettronici di potenza.Questi wafer sono utilizzati nella fabbricazione di diodi di SiC Schottky e di transistor a effetto campo (FET), contribuendo allo sviluppo dell'elettronica di potenza ad alta tensione e ad alta temperatura.Le caratteristiche uniche del materiale lo rendono adatto per ambienti in cui i semiconduttori convenzionali possono avere difficoltà a funzionare in modo efficiente.

 

Inoltre, questi wafer trovano applicazioni nell'optoelettronica, in particolare nella fabbricazione di fotodiodi SiC.La sensibilità del carburo di silicio alla luce ultravioletta lo rende prezioso nelle applicazioni di rilevamento otticoIn condizioni estreme, quali alte temperature e ambienti difficili, le onde di SiC semi-isolatrici sono impiegate nei sensori e nei sistemi di controllo.

 

Nel campo delle applicazioni ad alte temperature e in ambienti estremi, i wafer a carburo di silicio semi-isolatori sono preferiti a causa della loro stabilità e resistenza.Essi svolgono un ruolo cruciale nei sistemi di rilevamento e di controllo progettati per operare in condizioni difficili.

In applicazioni di energia nucleare, la stabilità delle radiazioni del carburo di silicio è vantaggiosa.

 

Queste caratteristiche chiave posizionano collettivamente i wafer a carburo di silicio semi-isolatori da 3 pollici come componenti critici nelle tecnologie avanzate dei semiconduttori.L'implementazione di tecnologie per l'elettronica e le applicazioni ad alta temperatura sottolinea il loro significato nelle moderne industrie elettroniche e tecnologiche.I continui progressi nella tecnologia SiC rafforzano ulteriormente l'importanza di questi wafer nel spingere i confini delle prestazioni elettroniche e dell'affidabilità.

Applicazione di wafer a carburo di silicio semisolatore da 3 pollici

Il wafer di carburo di silicio semisolatore da 3 pollici svolge un ruolo fondamentale in varie applicazioni di semiconduttori,offrendo proprietà uniche che contribuiscono al progresso dei dispositivi e dei sistemi elettroniciCon un diametro di tre pollici, questi wafer sono particolarmente influenti nella produzione di componenti elettronici ad alte prestazioni.

 

La caratteristica di semi-isolamento di questi wafer è una caratteristica chiave, fornendo isolamento elettrico per ridurre al minimo le perdite di corrente.Questa proprietà è fondamentale per le applicazioni in cui è essenziale mantenere un'elevata resistenza elettrica, come in alcuni tipi di dispositivi elettronici e circuiti integrati.

 

Una delle applicazioni più importanti dei wafer a carburo di silicio semi-isolatori da 3 pollici è la produzione di dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza.L'eccellente conduttività termica e l'ampio intervallo di banda del carburo di silicio lo rendono adatto per la produzione di dispositivi come i diodi SchottkyQuesti dispositivi trovano applicazioni in convertitori di potenza, amplificatori e sistemi di radiofrequenza.

 

L'industria dei semiconduttori sfrutta anche questi wafer nello sviluppo di sensori e rilevatori per condizioni estreme.La robustezza del carburo di silicio in ambienti a alta temperatura e difficili lo rende adatto per creare sensori in grado di resistere a condizioni difficiliQuesti sensori sono impiegati in vari settori, tra cui aerospaziale, automobilistico ed energetico.

 

Nell'optoelettronica, i wafer a carburo di silicio semi-isolatore sono utilizzati per la fabbricazione di fotodiodi e diodi emettitori di luce (LED).Le proprietà ottiche uniche del carburo di silicio lo rendono adatto per applicazioni che richiedono sensibilità alla luce ultraviolettaCiò è particolarmente vantaggioso nei sistemi di rilevamento ottico e di comunicazione.

 

L'industria nucleare beneficia della resistenza alle radiazioni del carburo di silicio e questi wafer trovano applicazioni nei rilevatori e sensori di radiazioni utilizzati nei reattori nucleari.La capacità di resistere all'ambiente di radiazioni dure rende il carburo di silicio un materiale essenziale per tali applicazioni critiche.

 

Ricercatori e scienziati continuano ad esplorare nuove applicazioni per le wafer di carburo di silicio semi-isolatori da 3 pollici, guidate dalle eccezionali proprietà del materiale.Si prevede che questi wafer svolgano un ruolo vitale in settori emergenti come il calcolo quantistico, dove sono essenziali materiali robusti e ad alte prestazioni.

 

In sintesi, le applicazioni del wafer di carburo di silicio semisolatore da 3 pollici coprono una vasta gamma di settori, dall'elettronica di potenza e dall'optoelettronica alle tecnologie di rilevamento e nucleari.La sua versatilità e le sue proprietà uniche lo posizionano come fattore chiave per lo sviluppo di sistemi elettronici avanzati che funzionano in modo efficiente in ambienti difficili.

 

Grafico dei dati del wafer a carburo di silicio semisolatore da 3 pollici

Metodo di crescita Trasporto fisico del vapore
Proprietà fisiche
Struttura Cristallo unico esagonale
Diametro Fino a 150 mm, 200 mm
Spessore 350 μm (tipo n, 3′′ SI), 500 μm (SI)
Gradi Prime, Sviluppo, Meccanica
Proprietà termiche
Conduttività termica 370 (W/mK) a temperatura ambiente
Coefficiente di espansione termica 4.5 (10-6K.-1)
Calore specifico (250 °C) 0.71 (J g)-1K.-1)
Proprietà chiave aggiuntive dei substrati SiC coerenti (valori tipici*)
Parametro Tipo N Semi isolanti
Politipo 4H 4H, 6H
Dopanti Acido nitrico Vanadio
Resistenza ~ 0,02 Ohm-cm > 1·1011Ohm-cm
Orientazione 4° fuori asse Su asse
FWHM < 20 arc-sec < 25 arc-sec
Roughness, Ra** < 5 Å < 5 Å
Densità di dislocazione - 5 e 10.3cm- Due. < 1·104cm- Due.
Densità di micropipe < 0,1 cm- Due. < 0,1 cm- Due.

* Valori tipici di produzione
** Misurato con interferometria della luce bianca (250 μm x 350 μm) Proprietà del materiale

Semi-isolatore 3 pollici Wafer in carburo di silicio 4H orientamento CVD tipo N 4.0°±0.5° 2

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Semi-isolatore 3 pollici Wafer in carburo di silicio 4H orientamento CVD tipo N 4.0°±0.5° 3

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