6H-N Semi-isolatore SiC Substarte / Wafer Per MOSFETs、JFETs BJTs Alta resistività Ampia banda

applicazioni chiave:

I substrati/wafer a carburo di silicio (SiC) semi-isolatori trovano diverse applicazioni in diversi dispositivi elettronici ad alte prestazioni.

1. Potenza elettronica:I substrati di SiC semisolatori sono ampiamente utilizzati nella produzione di dispositivi di potenza come i transistor a effetto campo a semiconduttori di ossido metallico (MOSFET),Transistor a effetto campo di giunzione (JFET)L'ampio intervallo di banda del SiC consente a questi dispositivi di operare a temperature e tensioni più elevate,risultante in un miglioramento dell'efficienza e una riduzione delle perdite nei sistemi di conversione di potenza per applicazioni quali i veicoli elettrici, le energie rinnovabili e le fonti di alimentazione industriale.

2. Dispositivi a radiofrequenza (RF):Le onde SiC sono utilizzate in dispositivi RF come amplificatori di potenza a microonde e interruttori RF.dispositivi RF ad alta potenza per applicazioni quali la comunicazione wireless, sistemi radar e comunicazioni satellitari.

3. Optoelettronica:I substrati di SiC semi-isolatori sono utilizzati nella fabbricazione di fotodettori ultravioletti (UV) e diodi emettitori di luce (LED).La sensibilità del SiC alla luce UV lo rende adatto per applicazioni di rilevamento UV in settori quali il rilevamento delle fiamme, sterilizzazione UV e monitoraggio ambientale.

4. elettronica ad alta temperatura:I dispositivi SiC funzionano in modo affidabile a temperature elevate, rendendoli adatti per applicazioni ad alta temperatura come l'aerospaziale, l'automotive e la trivellazione.I substrati di SiC sono utilizzati per la produzione di sensori, attuatori e sistemi di controllo in grado di resistere a condizioni operative difficili.

5. Fotonica:I substrati di SiC sono impiegati nello sviluppo di dispositivi fotonici come interruttori ottici, modulatori e guide d'onda.L'ampia banda di SiC e la sua elevata conduttività termica consentono la fabbricazione di, dispositivi fotonici ad alta velocità per applicazioni nelle telecomunicazioni, sensori e calcoli ottici.

6. Applicazioni ad alta frequenza e ad alta potenza:I substrati di SiC sono utilizzati nella produzione di dispositivi ad alta frequenza e alta potenza come diodi di Schottky, tiristori e transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT).Questi dispositivi trovano applicazioni nei sistemi radar, infrastrutture di comunicazione wireless e acceleratori di particelle.

In sintesi, i substrati/wafer SiC semi-isolatori svolgono un ruolo cruciale in varie applicazioni elettroniche, offrendo prestazioni superiori, affidabilità,e efficienza rispetto ai materiali semiconduttori tradizionaliLa loro versatilità li rende una scelta preferita per i sistemi elettronici di nuova generazione in molteplici settori.

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