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6H-N Semi-isolatore SiC Substarte / Wafer Per MOSFETs、JFETs BJTs Alta resistività Ampia banda
Dettagli:
| Luogo di origine: | Cina |
| Marca: | ZMSH |
| Numero di modello: | 4H Substrato/wafer SiC semi-isolatore |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Tempi di consegna: | 2-4 settimane |
| Termini di pagamento: | T/T |
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Informazioni dettagliate |
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| Grado: | Grado di produzione Grado di ricerca Grado di manichino | Diametro: | 100.0 mm +/- 0,5 mm |
|---|---|---|---|
| Spessore: | 500 um +/- 25 um (tipo semisolatore), 350 um +/- 25 um (tipo N) | Orientamento del wafer: | Sull'asse: <0001> +/- 0,5 gradi per 4H-SI Sull'asse: 4,0 gradi verso <11-20> +/- 0,5 gradi per 4H-N |
| Resistenza elettrica (ohm-cm): | 4H-N 0,015-0,028 4H-SI>1E5 | Concentrazione di doping: | Tipo N: ~ 1E18/cm3 Tipo SI (dopato in V): ~ 5E18/cm3 |
| Piano primario: | 32.5 mm +/- 2,0 mm | Lunghezza piana secondaria: | 18.0 mm +/- 2,0 mm |
| Orientamento piano secondario: | Silicio verso l'alto: 90° CW dal piano primario +/- 5,0° | ||
| Evidenziare: | 6H-N Semi-isolatore SiC Substarte,6H-N Wafer SiC semi-isolatore,Semi-isolatore SiC Substarte |
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Descrizione di prodotto
6H-N Substrato/wafer SiC semi-isolatore per MOSFET, JFET, BJT, banda larga ad alta resistività
Abstract del substrato/wafer SiC semisolatore
I substrati/wafer a carburo di silicio (SiC) semi-isolatori sono emersi come materiali cruciali nel campo dei dispositivi elettronici avanzati.elevata conduttività termicaQuesto riassunto fornisce una panoramica delle proprietà e delle applicazioni dei substrati/wafer semi-isolatori di SiC.Parla del loro comportamento semi-isolatorio., che inibisce il libero movimento degli elettroni, migliorando così le prestazioni e la stabilità dei dispositivi elettronici.L'ampia banda di SiC consente elevate velocità di deriva elettronica e di saturazioneInoltre, l'eccellente conduttività termica del SiC garantisce un'efficiente dissipazione del calore,che lo rende adatto per l'uso in ambienti operativi difficiliLa stabilità chimica e la durezza meccanica del SiC ne migliorano ulteriormente l'affidabilità e la durata in varie applicazioni.i substrati/wafer SiC semi-isolatori offrono una soluzione convincente per lo sviluppo di dispositivi elettronici di nuova generazione con prestazioni e affidabilità migliorate;.
Vitrina del substrato/wafer SiC semisolatore
Grafico dei dati del substrato/wafer SiC semisolatore (parzialmente)
| I principali parametri di prestazione | |
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Nome del prodotto
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Substrato di carburo di silicio, wafer di carburo di silicio, wafer di SiC, substrato di SiC
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Metodo di crescita
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MOCVD
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Struttura cristallina
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6H, 4H
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Parametri del reticolo
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6H ((a=3,073 Å c=15,117 Å),
4H ((a=3,076 Å c=10,053 Å) |
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Sequenza di impilazione
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6H: ABCACB,
4H: ABCB |
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Grado
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Grado di produzione, grado di ricerca, grado di simulazione
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Tipo di conduttività
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di tipo N o semisolatrici |
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Fessura di banda
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3.23 eV
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Durezza
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9.2 (Mohs)
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Conduttività termica @300K
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3.2~4.9 W/cm.K
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Costanti dielettrici
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e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
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Resistenza
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4H-SiC-N: 0,015 ~ 0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0,02 ~ 0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: > 1E7 Ω·cm |
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Imballaggio
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Classe 100 sacchetto pulito, in classe 1000 stanza pulita
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| Specificazione standard | |||||
| Nome del prodotto | Orientazione | Dimensione standard | Spessore | Polizione | |
| Substrato di 6H-SiC Substrato di 4H-SiC |
< 1000> <0001> 4° verso <11-20> < 11-20> < 10-10> O altri angoli fuori luogo |
10x10 mm 10x5 mm 5x5 mm 20x20 mm φ2" x 0,35 mm φ3" x 0,35 mm φ4" x 0,35 mm φ4" x 0,5 mm φ6" x 0,35 mm O altri |
0.1 mm 0.2 mm 0.5 mm 1.0 mm 2.0 mm O altri |
Terreno buono di larghezza uguale o superiore a 20 mm Doppia facciata lucida Roughness: Ra<3A(0,3nm) |
Inchiesta Online |
applicazioni chiave:
I substrati/wafer a carburo di silicio (SiC) semi-isolatori trovano diverse applicazioni in diversi dispositivi elettronici ad alte prestazioni.
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Potenza elettronica:I substrati di SiC semisolatori sono ampiamente utilizzati nella produzione di dispositivi di potenza come i transistor a effetto campo a semiconduttori di ossido metallico (MOSFET),Transistor a effetto campo di giunzione (JFET)L'ampio intervallo di banda del SiC consente a questi dispositivi di operare a temperature e tensioni più elevate,risultante in un miglioramento dell'efficienza e una riduzione delle perdite nei sistemi di conversione di potenza per applicazioni quali i veicoli elettrici, le energie rinnovabili e le fonti di alimentazione industriale.
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Dispositivi a radiofrequenza (RF):Le onde SiC sono utilizzate in dispositivi RF come amplificatori di potenza a microonde e interruttori RF.dispositivi RF ad alta potenza per applicazioni quali la comunicazione wireless, sistemi radar e comunicazioni satellitari.
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Optoelettronica:I substrati di SiC semi-isolatori sono utilizzati nella fabbricazione di fotodettori ultravioletti (UV) e diodi emettitori di luce (LED).La sensibilità del SiC alla luce UV lo rende adatto per applicazioni di rilevamento UV in settori quali il rilevamento delle fiamme, sterilizzazione UV e monitoraggio ambientale.
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elettronica ad alta temperatura:I dispositivi SiC funzionano in modo affidabile a temperature elevate, rendendoli adatti per applicazioni ad alta temperatura come l'aerospaziale, l'automotive e la trivellazione.I substrati di SiC sono utilizzati per la produzione di sensori, attuatori e sistemi di controllo in grado di resistere a condizioni operative difficili.
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Fotonica:I substrati di SiC sono impiegati nello sviluppo di dispositivi fotonici come interruttori ottici, modulatori e guide d'onda.L'ampia banda di SiC e la sua elevata conduttività termica consentono la fabbricazione di, dispositivi fotonici ad alta velocità per applicazioni nelle telecomunicazioni, sensori e calcoli ottici.
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Applicazioni ad alta frequenza e ad alta potenza:I substrati di SiC sono utilizzati nella produzione di dispositivi ad alta frequenza e alta potenza come diodi di Schottky, tiristori e transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT).Questi dispositivi trovano applicazioni nei sistemi radar, infrastrutture di comunicazione wireless e acceleratori di particelle.
In sintesi, i substrati/wafer SiC semi-isolatori svolgono un ruolo cruciale in varie applicazioni elettroniche, offrendo prestazioni superiori, affidabilità,e efficienza rispetto ai materiali semiconduttori tradizionaliLa loro versatilità li rende una scelta preferita per i sistemi elettronici di nuova generazione in molteplici settori.
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