Orientazione111 100 SSP DSP InP Wafer semiconduttore ad alta purezza 6'4' InP Wafer

Descrizione del prodotto:

Il nostroInPI wafer semiconduttori (indio fosfuro), noti per le loro eccezionali proprietà elettroniche e optoelettroniche, hanno trovato ampie applicazioni nelle comunicazioni, nell'ottica e nell'elettronica.Utilizzo di tecnologie avanzate di coltivazione e di elaborazione, assicuriamo l'elevata purezza e uniformità dei nostri wafer, fornendo un'eccezionale mobilità elettronica e una bassa densità di difetti per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni di fascia alta.I wafer sono disponibili in diametri da 2 a 4 pollici, con spessore e rugosità della superficie personalizzabili in base alle esigenze del cliente.Offriamo una garanzia di qualità completa e supporto tecnico per garantire che ogni wafer soddisfi le aspettative dei nostri clientiSia per la produzione di componenti di comunicazione in fibra ottica ad alta velocità, sia come substrato per celle solari e sensori, i nostriInPI wafer sono la scelta ideale.

Caratteristiche:

• Alta mobilità elettronica:InPpossiede una mobilità elettronica eccezionalmente elevata, il che significa che gli elettroni possono muoversi attraverso il materiale a velocità estremamente elevate.Questa caratteristica rende l'InP ideale per dispositivi elettronici ad alta velocità e applicazioni ad alta frequenza..
• Bandgap diretto:InPè un semiconduttore a banda diretta, il che implica che può convertire direttamente i fotoni tra la banda di conduzione e la banda di valenza.Ciò si traduce in un'efficienza molto elevata nei diodi laser e nei fotodetettori.
• Proprietà ottiche eccezionali:InPLa sua eccellente trasparenza ottica, in particolare nella regione infrarossa, la rende ampiamente utilizzata nelle ottiche infrarosse e nei sistemi di comunicazione in fibra ottica.
• Alta conduttività termica:InPpresenta una conduttività termica relativamente elevata, che aiuta a dissipare efficacemente il calore nei dispositivi elettronici.
• Stabilità chimica:InPè chimicamente stabile e altamente resistente a molte sostanze chimiche presenti nell'ambiente.
• Compatibilità:InPpossono formare eterostrutture con altri materiali del gruppo III-V come GaAs e InGaAs, che è cruciale nella fabbricazione di dispositivi optoelettronici e microelettronici ad alte prestazioni.
• Resistenza meccanica: anche se più fragile del silicio,InPha ancora una resistenza meccanica sufficiente per resistere alle pressioni dei processi di fabbricazione e imballaggio.
• Resistenza alle radiazioni:InPha una forte resistenza alle radiazioni, che lo rende adatto per l'uso in ambienti difficili, come le applicazioni spaziali.
• Nel complesso, queste caratteristicheInPcontribuire alle sue prestazioni eccezionali nelle applicazioni optoelettroniche ad alta velocità, ad alta frequenza e ad alte prestazioni.

Parametri tecnici:

Applicazioni:

• Comunicazione in fibra ottica:InPè un materiale indispensabile per la fabbricazione di apparecchiature di comunicazione in fibra ottica ad alta velocità, quali diodi laser e amplificatori ottici.capacità di trasmissione dati ad alta larghezza di banda, che lo rende una componente chiave nella costruzione di reti di comunicazione moderne.
• Fotodetettori:InPQuesto ha importanti applicazioni nella comunicazione in fibra ottica, nell'imaging ottico e nei sensori.
• Le celle solari: l'elevata mobilità degli elettroni e le proprietà di bandaInPrendere il materiale ideale per la fabbricazione di celle solari efficienti, in particolare per applicazioni spaziali e sistemi fotovoltaici concentrati.
• Laser:InPviene utilizzato per la produzione di vari tipi di laser a semiconduttori, compresi quelli utilizzati per la comunicazione con lunghezze d'onda ottiche specifiche e laser utilizzati in applicazioni mediche.
• Dispositivi elettronici ad alta velocità: a causa della sua alta mobilità elettronica,InPè il materiale di scelta per la produzione di transistor ad alta velocità e circuiti integrati, che sono cruciali nel radar, nella comunicazione e nell'informatica.
• L'ottica a infrarossi:InPè trasparente nelle gamme di lunghezze d'onda infrarosse, rendendolo adatto alla produzione di componenti ottici a infrarossi, come lenti e finestre.

Personalizzazione:

ZMSH offre servizi di personalizzazione di Wafer di nitruro di gallio con qualità garantita.Alcune delle caratteristiche del nostro Gallium Nitride Wafer includono:

• Marchio: ZMSH
• Numero di modello:InP
• Luogo di origine: Cina
• Imballaggio: imballaggio a vuoto, riempito di azoto
• Elemento dopante: antimonio (Sb), indio (In), fosforo (P), ecc.
• Densità di difetto: ≤ 500 cm^-2
• Diametro: 2-6 pollici
• Condizioni di conservazione: temperatura 20-25°C, umidità ≤ 60%

Il nostro Gallium Nitride Wafer è di alta qualità e affidabilità, con un rigoroso controllo della qualità durante il processo di produzione.Contattaci oggi per saperne di più sulla nostra Wafer per nitrito di gallio personalizzabile!

Supporto e servizi:

In XYZ Company, forniamo supporto tecnico e servizio per i nostri prodotti Gallium Nitride Wafer.Il nostro team di ingegneri e tecnici esperti è disponibile per rispondere a tutte le domande che potreste avere sul vostro prodottoSiamo inoltre disponibili per aiutare nella risoluzione dei problemi, fornire ricambi e offrire servizi di manutenzione di routine.

Forniamo supporto tramite il nostro portale di assistenza clienti online, e-mail o telefono. Il nostro team di assistenza clienti è disponibile 24 ore su 24, 7 giorni su 7 per rispondere a qualsiasi domanda e fornire assistenza.Siamo felici di aiutare e faremo del nostro meglio per garantire che il vostro prodotto funzioni correttamente.

Se avete bisogno di ulteriore supporto tecnico, offriamo un pacchetto di servizi aggiuntivi che include documenti tecnici dettagliati, accesso al nostro team di ingegneri e estensione della garanzia per il vostro prodotto.Il nostro team di supporto tecnico è qui per aiutarvi e può rispondere a qualsiasi domanda che potreste avere.

Siamo orgogliosi della qualità dei nostri prodotti e servizi, e ci sforziamo di garantire che i nostri clienti siano soddisfatti del loro acquisto.Non esitate a contattarci..

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione per wafer di nitruro di gallio:

I wafer di nitruro di gallio (GaN) sono in genere spediti in contenitori sigillati a vuoto o sigillati con gas azoto.e data di fabbricazioneDurante la spedizione, i contenitori devono essere confezionati in imballaggio a bolla o in polistirolo per un'ulteriore ammortizzazione. La spedizione deve essere tracciata per garantire il suo arrivo sicuro.

FAQ:

• D:Qual e' il marchio di Gallium Nitride Wafer?
  A:Il marchio di Gallium Nitride Wafer è ZMSH.
• D:Qual e' il numero di modello di Gallium Nitride Wafer?
  A:Il numero di modello del Gallium Nitride Wafer è InP.
• D:Dove viene fabbricato il Gallium Nitride Wafer?
  A:Il Gallium Nitride Wafer è prodotto in Cina.
• D:Quali sono gli usi di Gallium Nitride Wafer?
  A:Il Gallium Nitride Wafer è utilizzato per varie applicazioni come elettronica ad alta frequenza, optoelettronica e dispositivi a microonde.
• D:Quali sono i vantaggi del Gallium Nitride Wafer?
  A:Il gallio nitruro ha molti vantaggi, tra cui una maggiore tensione di rottura, elevata conduttività termica ed elettrica e un funzionamento ad alta temperatura.