il substrato N tipo a semiconduttore 15° di 2inch 3inch 4inch Si-ha verniciato il wafer SSP di GaAs

Informazioni di base
Luogo di origine: La Cina
Marca: zmkj
Numero di modello: GaAs-N-3inch
Quantità di ordine minimo: 5pcs
Prezzo: 100-200usd/pcs
Imballaggi particolari: in caso del wafer della cassetta 25pcs o singolo dall'imballaggio sotto vuoto
Tempi di consegna: 2-4weeks
Termini di pagamento: T/T, Western Union
Capacità di alimentazione: 2000pcs al mese
Materiale: Cristallo di GaAs Metodo: VGF
Dimensione: dia76.2mm Thickess: 350um
Superficie: DSP Applicazione: principale, dispositivo di ld
Tipo: n tipo verniciatura: Si-verniciato

 
 
Metod 2inch/3inch N tipo, 4inch, wafer di VFG dell'arsenuro di gallio di 6inch dia150mm GaAs N tipi
tipo d'isolamento per la microelettronica,
 
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Wafer dell'arsenuro di gallio (GaAs)
L'arsenuro di gallio (GaAs) è un composto degli elementi gallio ed arsenico. È un semiconduttore diretto del bandgap di III-V
con un sistema cristallino della blenda.
L'arsenuro di gallio è utilizzato nella fabbricazione di dispositivi quali i circuiti integrati di frequenza delle microonde, monolitica
circuiti integrati di a microonde, diodi a emissione luminosa infrarossi, diodi laser, pile solari e finestre ottiche. [2]
 
Il GaAs è usato spesso come materiale del substrato per la crescita epitassiale di altri semiconduttori di III-V compreso l'arsenuro di gallio dell'indio,
arsenuro di gallio ed altri di alluminio.
 
.
Caratteristica ed applicazione del wafer di GaAs

CaratteristicaCampo di applicazione
Alta mobilità di elettroneDiodi luminescenti
Alta frequenzaDiodi laser
Alta efficienza di conversioneDispositivi fotovoltaici
Basso consumo energeticoAlto transistor di mobilità di elettrone
Intervallo di banda direttoTransistor bipolare di Heterojunction

il substrato N tipo a semiconduttore 15° di 2inch 3inch 4inch Si-ha verniciato il wafer SSP di GaAs 0
Specificazione
GaAs Undoped
Specifiche d'isolamento di GaAs
 

Metodo di crescitaVGF
DopantCarbonio
Wafer Shape*Giro (diametro: 2", 3", 4" e 6")
Orientamento di superficie **(100) ±0.5°

» Wafer *5 disponibili su richiesta
** Altri orientamenti forse disponibili su richiesta
 

Resistività (Ω.cm)≥1 × 107≥1 × 108
Mobilità (cm2/V.S)≥ 5.000≥ 4.000
Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2)1,500-5,0001,500-5,000

 

Diametro del wafer (millimetri)50.8±0.376.2±0.3100±0.3150±0.3
Spessore (µm)350±25625±25625±25675±25
TTV [P/P] (µm)≤ 4≤ 4≤ 4≤ 4
TTV [P/E] (µm)≤ 10≤ 10≤ 10≤ 10
FILO DI ORDITO (µm)≤10≤10≤10≤5
DI (millimetri)17±122±132.5±1TACCA
DI/SE (millimetri)7±112±118±1N/A
Polish*E/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished
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Pacchetto & consegna
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FAQ & CONTATTO
   Ciò è Eric wang, capo vendite di zmkj, la nostra società situata a Shanghai, Cina. Il nostro tempo di servizio è tutto il tempo a partire da lunedì - sabato. Siamo spiacenti per l'inconveniente causato tramite la differenza di tempo. Se delle domande, voi possono lasciare al mio email un messaggio ed anche aggiungere il mio WeChat, che cosa è app, Skype, io saranno online. Benvenuto per contattarmi!
 
Q: È voi società per azioni o il produttore? : Abbiamo nostri propri per la fabbricazione del wafer.
 Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna? : È generalmente dei 1-5 giorni se le merci sono in azione, se non, sono per 2-3weeks
Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra? : Sì, potremmo offrire il campione libero da una certa dimensione.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento? : per il primo affare è 100% prima della consegna.
 
 
 
 

 

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