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4 pollici 6 pollici 8 pollici wafer SOI compatibile con CMOS struttura a tre strati
Dettagli:
| Luogo di origine: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Numero di modello: | SOI wafer |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 5 |
|---|---|
| Tempi di consegna: | 2-4 settimane |
| Termini di pagamento: | T/T |
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Informazioni dettagliate |
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| Conduttività termica: | Relativamente elevata conduttività termica | Vantaggi di prestazione: | Caratteristiche elettriche superiori, riduzione delle dimensioni, minimizzazione della crosstalk tra |
|---|---|---|---|
| Spessore dello strato attivo: | Tipicamente da pochi a diverse decine di nanometri (nm) | Resistività: | Tipicamente da diverse centinaia a diverse migliaia di ohm-centimetri (Ω·cm) |
| Diametro della wafer: | 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici o più | Caratteristiche del consumo di energia: | Caratteristiche del basso consumo energetico |
| Vantaggi del processo: | Fornisce prestazioni migliorate dei dispositivi elettronici e un minore consumo di energia | Concentrazione di impurità: | Concentrazione a bassa impurità volta a ridurre al minimo gli effetti della mobilità elettronica |
| Evidenziare: | Silicio sui supporti per wafer isolanti,Wafer SOI da 4 pollici,CMOS Struttura a tre strati Wafer SOI |
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Descrizione di prodotto
Wafer SOI 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici, compatibili con la struttura CMOS a tre strati
Descrizione del prodotto:
Il wafer SOI (Silicon on Insulator) rappresenta una meraviglia pionieristica nel campo della tecnologia dei semiconduttori, rivoluzionando il panorama dell'elettronica avanzata.Questo wafer all'avanguardia incarna una trifecta di innovazione, offrendo prestazioni, efficienza e versatilità senza pari.
Il suo nucleo è costituito da una struttura a tre strati, il livello più alto è costituito da uno strato di silicio monocristallino, noto come strato di dispositivo, che serve come base per i circuiti integrati.Sotto di essa risiede lo strato di ossido sepolto, che fornisce isolamento e isolamento tra lo strato superiore di silicio e la base.formando il substrato su cui è costruito questo capolavoro tecnologico.
Una delle caratteristiche di spicco del wafer SOI è la sua compatibilità con la tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor).Questa compatibilità integra perfettamente i vantaggi degli SOI nei processi di produzione di semiconduttori esistenti, offrendo un percorso per migliorare le prestazioni senza interrompere le metodologie di produzione stabilite.
L'innovativa composizione a tre strati del wafer SOI presenta una serie di vantaggi: riduce notevolmente il consumo di energia, grazie alle proprietà isolanti dello strato di ossido sepolto.che riduce al minimo la capacità del dispositivo elettronico e aumenta la velocità e l'efficienza del circuitoQuesta riduzione del consumo di energia non solo migliora la durata della batteria nei dispositivi portatili, ma contribuisce anche a un funzionamento energeticamente efficiente in una moltitudine di applicazioni.
Inoltre, lo strato di isolamento del wafer SOI conferisce una resistenza alle radiazioni superiore, rendendolo eccezionalmente adatto per applicazioni in ambienti difficili e ad alta radiazione.La sua capacità di attenuare gli effetti delle radiazioni garantisce affidabilità e funzionalità, anche in condizioni estreme.
La struttura a tre strati riduce anche le interferenze del segnale, ottimizzando le prestazioni dei circuiti integrati riducendo la crosstalk tra i componenti.aprire la strada a un miglioramento dell'efficienza dell'elaborazione dei dati e della comunicazione.
Inoltre, lo strato di isolamento contribuisce a una dissipazione del calore efficiente, disperdendo efficacemente il calore all'interno del wafer.garantire prestazioni e durata dei circuiti integrati.
In conclusione, il wafer SOI rappresenta un cambiamento di paradigma nella tecnologia dei semiconduttori.Sblocca un regno di possibilità per l'elettronica ad alte prestazioniDall'elettronica di consumo ad alta efficienza energetica a soluzioni robuste per l'aerospazio e la difesa,La progettazione innovativa del wafer SOI e i suoi vantaggi poliedrici lo rendono una pietra angolare del mondo in continua evoluzione dell'innovazione dei semiconduttori..
Caratteristiche:
Struttura a doppio strato: il wafer SOI è composto da tre strati, con lo strato superiore costituito dallo strato di silicio monocristallino (Device Layer),lo strato medio è lo strato isolante (Buried Oxide Layer), e lo strato inferiore è il substrato di silicio (Handle Layer).
Basso consumo energetico: a causa della presenza dello strato isolante, il wafer SOI presenta un basso consumo energetico nei dispositivi elettronici.Lo strato isolante riduce l'effetto di accoppiamento della capacità tra i dispositivi elettronici, migliorando così la velocità e l'efficienza dei circuiti integrati.
Resistenza alle radiazioni: lo strato isolante del wafer SOI aumenta la resistenza del silicio alle radiazioni, consentendo una migliore prestazione in ambienti ad alta radiazione,rendendolo adatto a applicazioni specifiche.
Riduzione della crosstalk: la presenza dello strato isolante aiuta a ridurre la crosstalk tra i segnali, migliorando le prestazioni dei circuiti integrati.
Dissipazione del calore: lo strato isolante del wafer SOI contribuisce alla diffusione del calore, migliorando l'efficienza di dissipazione del calore dei circuiti integrati, aiutando a prevenire il surriscaldamento del chip.
Alta integrazione e prestazioni: la tecnologia SOI consente ai chip di avere una maggiore integrazione e prestazioni, consentendo ai dispositivi elettronici di ospitare più componenti nella stessa dimensione.
Compatibilità CMOS: i wafer SOI sono compatibili con la tecnologia CMOS, a vantaggio dei processi di produzione di semiconduttori esistenti.
Fabbricazione di wafer SOI
Parametri tecnici:
| Parametri | Valori |
|---|---|
| Spessore dello strato isolante | Circa diverse centinaia di nanometri |
| Resistenza | Tipicamente da diverse centinaia a diverse migliaia di ohm-centimetri (Ω·cm) |
| Processo di produzione | Strati di silicio multicristallino preparati con un processo speciale |
| Spessore dello strato attivo | Tipicamente da pochi a diverse decine di nanometri (nm) |
| Tipo di doping | Tipo P o tipo N |
| Strato isolante | Diossido di silicio |
| Qualità cristallina tra strati | Struttura cristallina di alta qualità, che contribuisce alle prestazioni del dispositivo |
| Spessore SOI | Di solito nell'intervallo da diverse centinaia di nanometri a pochi micrometri |
| Vantaggi del processo | Fornisce prestazioni migliorate dei dispositivi elettronici e un minore consumo di energia |
| Vantaggi di prestazione | Caratteristiche elettriche superiori, riduzione delle dimensioni, minimizzazione della crosstalk tra dispositivi elettronici, tra gli altri |
| Conducibilità | Altezza |
| Oxidazione superficiale | Disponibile |
| Wafer di ossido di silicio | Disponibile |
| Epitaxia | Disponibile |
| Doping | Tipo P o tipo N |
| S.O.I | Disponibile |
Applicazioni:
Microprocessori e circuiti integrati: la tecnologia SOI svolge un ruolo fondamentale nella fabbricazione di microprocessori e circuiti integrati.alte prestazioni, e la resistenza alle radiazioni lo rendono una scelta ideale per microprocessori ad alte prestazioni, specialmente in settori come i dispositivi mobili e il cloud computing.
Comunicazione e tecnologia wireless: la diffusa applicazione della tecnologia SOI nel settore delle comunicazioni è dovuta alla sua capacità di ridurre il consumo di energia e migliorare l'integrazione.Questo comprende la fabbricazione di circuiti integrati ad alte prestazioni per dispositivi a radiofrequenza (RF) e microonde, nonché chip efficienti per i dispositivi 5G e Internet of Things (IoT).
Imaging and Sensor Technology: i wafer SOI trovano un uso significativo nella produzione di sensori di immagine e vari tipi di sensori.Le loro elevate prestazioni e il basso consumo di energia li rendono cruciali in settori come le fotocamere., apparecchiature di imaging medica e sensori industriali.
Aerospazio e difesa: la natura resistente alle radiazioni dei wafer SOI li rende eccellenti in ambienti ad alta radiazione, portando a applicazioni cruciali nell'aerospazio e nella difesa.Sono utilizzati nella produzione di componenti chiave per veicoli aerei senza pilota, satelliti, sistemi di navigazione e sensori ad alte prestazioni.
Gestione dell'energia e tecnologie verdi: a causa del loro basso consumo energetico e dell'elevata efficienza, i wafer SOI trovano applicazioni anche nella gestione dell'energia e nelle tecnologie verdi.Questi includono l'utilizzo nelle reti intelligenti, fonti di energia rinnovabili e dispositivi di risparmio energetico.
Nel complesso, l'applicazione versatile delle ovette SOI si estende su vari settori, a causa delle loro proprietà uniche,rendendoli un materiale preferito per molti dispositivi e sistemi elettronici ad alte prestazioni.
Personalizzazione:
Marchio: ZMSH
Numero di modello: wafer SOI
Luogo di origine: Cina
Il substrato semiconduttore personalizzato è prodotto con tecnologia avanzata di film sottile, elettro-ossidazione, conducibilità, filtrazione e doping.superficie piana di alta qualità, riducendo i difetti, basse concentrazioni di impurità volte a ridurre al minimo gli effetti della mobilità degli elettroni, struttura cristallina di alta qualità, che contribuisce alle prestazioni del dispositivo e forte resistenza alle radiazioni.
Supporto e servizi:
Forniamo un supporto tecnico completo e servizi per i nostri prodotti di semiconduttori, tra cui:
- Guida alla selezione del prodotto
- Installazione e messa in servizio
- Manutenzione, riparazioni e miglioramenti
- Risoluzione dei problemi
- Formazione e istruzione degli utenti
- Sostituzione e scambio di prodotti
Il nostro team di supporto tecnico è composto da professionisti esperti impegnati a garantire la soddisfazione dei nostri clienti.Ci sforziamo di fornire tempi di risposta rapidi ed una risoluzione efficace dei problemi.