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Wafer di silicio spessore 4 pollici 500+/-20 Resistenza 1-10 ohm·cm Orientamento100 doppio lato lucido
Dettagli:
| Luogo di origine: | CINESE |
| Marca: | ZMSH |
| Numero di modello: | WAFER DI SI |
Termini di pagamento e spedizione:
| Termini di pagamento: | T/T |
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Informazioni dettagliate |
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| Metodo di coltivazione: | FZ | orientamento: | Classificazione: |
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| Disorientamento: | 4 ± 0,5 gradi alla massima < 110 | Tipo/dopant: | P/Boro |
| Resistenza: | 10-20 W.cm | RRV: | ≤ 15% (Max edge-Cen)/Cen |
| TTV: | ≤ 5 μm | arco: | ≤ 40 μm |
| Warp.: | ≤ 40 μm | ||
| Evidenziare: | Orientazione100 Wafer di silicio,500+/-20 Resistività Wafer di silicio,Wafer di silicio di 4 pollici di spessore |
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Descrizione di prodotto
Wafer di silicio spessore 4 pollici 500+/-20 Resistenza 1-10 ohm·cm Orientamento100 doppio lato lucido
Riassunto del prodotto
Il nostro substrato di silicio ultra-puro di precisione è stato progettato meticolosamente per servire come base per dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni.Prodotto con tecnologia avanzata di silicio monocristallino a zona galleggiante, questo substrato offre eccezionale purezza ed uniformità, garantendo proprietà elettroniche superiori.il nostro substrato consente la fabbricazione di dispositivi semiconduttori all'avanguardia con maggiore affidabilità e prestazioniSia che sia utilizzato in circuiti integrati, elettronica di potenza o applicazioni fotovoltaiche, il nostro substrato di silicio consente l'innovazione in vari settori,guidare i progressi nella tecnologia e nell'ingegneria.
Presentazione dei prodotti
Proprietà del prodotto
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Silicio ultra-puro: il nostro substrato è composto da silicio monocristallino a zona galleggiante, garantendo livelli di purezza eccezionali cruciali per dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni.
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Struttura cristallina uniforme: il substrato vanta una struttura cristallina uniforme, priva di difetti o irregolarità, garantendo proprietà elettriche coerenti su tutta la superficie.
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Bassi livelli di impurità: con un controllo meticoloso delle concentrazioni di impurità, il nostro substrato presenta bassi livelli di dopanti e contaminanti,ridurre al minimo gli effetti elettronici indesiderati e garantire l'affidabilità del dispositivo.
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Alta stabilità termica: il substrato dimostra un'elevata stabilità termica, consentendo un funzionamento affidabile in una vasta gamma di temperature senza compromettere le prestazioni o l'integrità.
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Controllo dimensionale preciso: ogni substrato è fabbricato con un controllo dimensionale preciso, garantendo uno spessore e una piattezza costanti per facilitare processi di fabbricazione accurati del dispositivo.
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Eccellente qualità superficiale: il nostro substrato presenta una finitura superficiale liscia e priva di difetti, essenziale per la deposizione di film sottili e la formazione di interfacce di dispositivi di alta qualità.
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Specificità personalizzabili: offriamo una serie di specifiche personalizzabili, incluse concentrazione di doping, resistività e orientamento,per soddisfare i requisiti specifici di diverse applicazioni di semiconduttori.
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Compatibilità con i processi a semiconduttore: il substrato è compatibile con varie tecniche di lavorazione a semiconduttore, tra cui epitaxia, litografia e incisione,consentire un'integrazione fluida nei flussi di lavoro di fabbricazione esistenti.
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Performance elettrica: il nostro substrato presenta eccellenti proprietà elettriche, tra cui elevata mobilità del vettore, basse correnti di perdite e conduttività elettrica uniforme,essenziale per ottimizzare le prestazioni e l'efficienza del dispositivo.
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Affidabilità e longevità: progettato per una affidabilità a lungo termine,il nostro substrato è sottoposto a rigorose misure di controllo della qualità per garantire prestazioni e durabilità costanti durante tutta la sua vita utile.
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Specificativo del silicio monocristallino FZ
Tipo Tipo di conduzione Orientazione Diametro ((mm) Conduttività ((Ω•cm) Alta resistenza N&P <100>&<111> 76.2-200 > 1000 NT1 N <100>&<111> 76.2-200 30-800 CFZ N&P <100>&<111> 76.2-200 1-50 GD N&P <100>&<111> 76.2-200 0.001-300 Specifica dei wafer
Parametro di ingoto Articolo Descrizione Metodo di coltivazione FZ Orientazione Classificazione: Disorientamento 4 ± 0,5 gradi alla massima < 110 Tipo/Dopant P/Boro Resistenza 10-20 W.cm RRV ≤ 15% (Max edge-Cen)/Cen Parametro della wafer Articolo Descrizione Diametro 150±0,5 mm Spessore 675±15 um Lunghezza piatta primaria 57.5±2,5 mm Orientazione primaria piatta < 011> ± 1 grado Lunghezza piatta secondaria Nessuna Orientazione piatta secondaria Nessuna TTV ≤ 5 μm Inchinati. ≤ 40 μm Warp. ≤ 40 μm Profil di bordo Standard SEMI Superficie anteriore Polizione chimica-meccanica LPD ≥ 0,3 um@≤15 pcs Superficie posteriore Acido inciso Chips di bordo Nessuna Pacco Imballaggio a vuoto; plastica interna, alluminio esterno -
Applicazioni del prodotto
Circuiti integrati (IC): il nostro substrato di silicio ultra-puro di precisione funge da blocco di costruzione fondamentale per la fabbricazione di IC utilizzati in una vasta gamma di dispositivi elettronici,compresi gli smartphone, computer e elettronica automobilistica.
Potenza elettronica: il substrato è utilizzato in dispositivi semiconduttori di potenza come diodi, transistor e tiristor,consentire una conversione e un controllo efficienti dell'energia in applicazioni quali i veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile e automazione industriale.
Il nostro substrato svolge un ruolo cruciale nella produzione di celle solari ad alta efficienza.fornendo una base stabile e uniforme per la deposizione di strati di semiconduttori e contatti metallici, con conseguente miglioramento dell'efficienza di conversione dell'energia solare.
Diodi emettitori di luce (LED): nella produzione di LED, il nostro substrato funge da piattaforma per la crescita epitassica degli strati di semiconduttori,garantire l'uniformità e l'affidabilità delle prestazioni dei LED per applicazioni quali l'illuminazione, display e illuminazione automobilistica.
Sistemi microelettromeccanici (MEMS): il nostro substrato facilita la fabbricazione di dispositivi MEMS, inclusi accelerometri, giroscopi e sensori di pressione,che consentono un sensore e un controllo precisi nell'elettronica di consumo, sistemi automobilistici e dispositivi medici.
Dispositivi a radiofrequenza (RF): il substrato è utilizzato nella produzione di dispositivi a radiofrequenza come amplificatori, oscillatori e filtri a radiofrequenza, a supporto di sistemi di comunicazione wireless, comunicazione satellitare,e sistemi radar con funzionamento e affidabilità ad alta frequenza.
Dispositivi optoelettronici: il nostro substrato consente lo sviluppo di dispositivi optoelettronici quali fotodettori, modulatori ottici e diodi laser,contribuire alle applicazioni nelle telecomunicazioni, comunicazione dei dati e rilevamento ottico.
Sensori biomedici: nell'ingegneria biomedica, il nostro substrato viene utilizzato per la fabbricazione di biosensori e dispositivi bioelettronici per applicazioni come la diagnostica medica,sistemi di somministrazione di farmaci, e dispositivi medici impiantabili.
Aerospaziale e difesa: il substrato è utilizzato in applicazioni aerospaziali e di difesa, compresi sistemi radar, satelliti di comunicazione e sistemi di guida missilistica, dove l'affidabilità, la stabilità,e le prestazioni sono fondamentali in ambienti difficili.
Tecnologie emergenti: il nostro substrato supporta i progressi nelle tecnologie emergenti come il calcolo quantistico, il calcolo neuromorfico e i sensori avanzati, guidando l'innovazione nel calcolo,intelligenza artificiale, e applicazioni di rilevamento.