Descrizione di prodotto

Epi ready 4 inch InP wafer tipo N tipo p tipo EPF < 1000cm^2 con spessore di 325um±50um

Riassunto del prodotto

Il nostro prodotto, la "Wafer di fosfuro di indio ad alta purezza", è all'avanguardia nell'innovazione dei semiconduttori.un semiconduttore binario noto per la sua velocità elettronica superiore, il nostro wafer offre prestazioni ineguagliabili in applicazioni optoelettroniche, transistor rapidi e diodi di tunneling a risonanza.Con ampia utilità nei dispositivi elettronici ad alta frequenza e ad alta potenzaIl nostro wafer e' una pietra miliare della tecnologia di nuova generazione, la sua competenza nella comunicazione ad alta velocita' in fibra ottica, abilitata dalla sua capacita' di emettere e rilevare lunghezze d'onda superiori a 1000 nm,Il sistema di telecomunicazione è un sistema di telecomunicazione che si sviluppa in modo da consolidare ulteriormente la sua importanza nelle telecomunicazioni moderne.Servendo da substrato per laser e fotodiodi nelle applicazioni Datacom e Telecom, il nostro wafer si integra perfettamente nelle infrastrutture critiche.il nostro prodotto emerge come pietra angolareOffrendo una purezza del 99,99%, le nostre onde di fosfuro di indio garantiscono efficienza ed efficacia senza pari.spingendo il progresso tecnologico nel futuro.

Proprietà del prodotto

1. Velocità elettronica superiore:Derivati dal fosfuro di indio, i nostri wafer vantano una velocità elettronica eccezionale, superando quella dei semiconduttori convenzionali come il silicio.Questo attributo sostiene la loro efficacia nelle applicazioni optoelettroniche, transistor rapidi e diodi di risonanza.

2. Performance ad alta frequenza:I nostri wafer sono ampiamente utilizzati in dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza, dimostrando la loro capacità di supportare con facilità esigenze operative impegnative.

3. Efficienza ottica:Con la capacità di emettere e rilevare lunghezze d'onda superiori a 1000 nm, i nostri wafer eccellono nei sistemi di comunicazione in fibra ottica ad alta velocità, garantendo una trasmissione di dati affidabile attraverso diverse reti.

4. Substrato versatile:Servendo come substrato per laser e fotodiodi nelle applicazioni Datacom e Telecom, i nostri wafer si integrano perfettamente in varie infrastrutture tecnologiche,facilitare prestazioni robuste e scalabilità.

5. Purezza e affidabilità:Offrendo una purezza del 99,99%, i nostri wafer di fosfuro di indio garantiscono prestazioni e durata costanti, soddisfacendo le rigide esigenze delle moderne tecnologie di telecomunicazioni e dati.

6. Progettazione a prova di futuro:Posizionati in prima linea nell'innovazione dei semiconduttori, i nostri wafer anticipano le esigenze delle tecnologie emergenti, rendendoli componenti indispensabili per le connessioni in fibra ottica,reti di accesso a anello della metropolitana, e data center in mezzo alla rivoluzione 5G imminente.

7. Specificità:

    

   Materiale	InP singolo cristallo	Orientazione	< 100>
   Dimensione ((mm)	Dia50.8×0.35mm, 10×10×0.35mm 10 × 5 × 0,35 mm	Roughness superficiale	Ra: ≤ 5A
   Polizione	SSP (polito su una sola superficie) o DSP (doppia superficie lucida)

    

   Proprietà chimiche del cristallo InP:

   Cristallo singolo	Dopati	Tipo di conduzione	Concentrazione del vettore	Rapporto di mobilità	Densità di dislocazione	Dimensione standard
   InP	/	N	(0,4-2) × 1016	(3.5-4) ×103	5×104	Φ2 × 0,35 mm Φ3 × 0,35 mm
   InP	S	N	(0,8-3) ×1018 (4-6) ×1018	(2.0-2.4) ×103 (1.3-1.6) ×103	3 × 104 2 × 103	Φ2 × 0,35 mm Φ3 × 0,35 mm
   InP	Zn	P	(0,6-2) ×1018	70-90	2 × 104	Φ2 × 0,35 mm Φ3 × 0,35 mm
   InP	Fe	N	107- 108	≥ 2000	3 × 104	Φ2 × 0,35 mm Φ3 × 0,35 mm

    

   Proprietà di base:

   Struttura cristallina	Tetraedrico ((M4)	Costante di reticolo	a = 5,869 Å
   Densità	40,81 g/cm3	Punto di fusione	1062 °C
   Massa molare	1450,792 g/mol	Apparizione	Cristalli cubici neri
   Stabilità chimica	Leggermente solubile in acidi	Mobilità elettronica ((@ 300K)	5400 cm2/ ((V·s)
   Distanza di banda ((@ 300 K)	1.344eV	Conduttività termica ((@ 300K)	00,68 W/ ((cm·K)
   Indice di rifrazione	3.55 ((@ 632.8nm)

8. Applicazioni del prodotto

1. Dispositivi optoelettronici:I nostri wafer di fosfuro di indio sono ampiamente utilizzati in applicazioni optoelettroniche, tra cui diodi emettitori di luce (LED), diodi laser e fotodettori.La loro velocità elettronica superiore e l'efficienza ottica le rendono ideali per la produzione di componenti optoelettronici ad alte prestazioni.

2. Transistori ad alta velocità:L'eccezionale velocità degli elettroni dei nostri wafer consente la fabbricazione di transistor ad alta velocità, essenziali per applicazioni che richiedono una rapida elaborazione del segnale e velocità di commutazione.Questi transistor trovano uso nelle telecomunicazioni, sistemi informatici e radar.

3. Comunicazione in fibra ottica:I wafer di fosfuro di indio sono indispensabili nei sistemi di comunicazione in fibra ottica ad alta velocità a causa della loro capacità di emettere e rilevare lunghezze d'onda superiori a 1000 nm.Consentono la trasmissione di dati su lunghe distanze con una perdita minima di segnale, rendendoli vitali per le reti di telecomunicazione e i data center.

4. Diodi di risonanza:I nostri wafer sono utilizzati nella produzione di diodi di risonanza, che presentano effetti di tunneling quantico unici.Imaging a terahertz, e il calcolo quantistico.

5. elettronica ad alta frequenza:I wafer InP sono comunemente impiegati in dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza, tra cui amplificatori a microonde, sistemi radar e comunicazioni satellitari.La loro elevata mobilità elettronica e affidabilità li rendono adatti per applicazioni aerospaziali e di difesa..

6. Datacom e infrastrutture di telecomunicazione:Servendo da substrato per i diodi laser e i fotodiodi, i nostri wafer contribuiscono allo sviluppo delle infrastrutture Datacom e Telecom,sostegno alle reti di trasmissione di dati ad alta velocità e alle reti di telecomunicazioneSono componenti integranti di trasmettitori ottici, switch a fibra ottica e sistemi di multiplexing a divisione di lunghezza d'onda.

7. Tecnologie emergenti:Con l'evoluzione delle tecnologie emergenti quali il 5G, l'Internet delle cose (IoT) e i veicoli autonomi, la domanda di wafer di fosfuro di indio aumenterà solo.Questi wafer svolgeranno un ruolo cruciale per consentire la prossima generazione di comunicazioni wireless, reti di sensori e dispositivi intelligenti.

8. Raccomandazione per altri prodotti (clicca sull'immagine e vai alla home page dei prodotti)

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