Apparecchiature per impianto ionico a semiconduttore

Ai300 Impianto ionico (da 12 pollici)

(1) Panoramica del prodottoL'Ai300 è un sistema di impianto ionico a fascio medio progettato per l'elaborazione di wafer da 12 pollici nella produzione avanzata di semiconduttori. Viene utilizzato principalmente per passaggi di impianto a dose media e a energia medio-alta, inclusa la formazione di pozzi, l'ingegneria del canale e le strutture di drain leggermente drogato (LDD) nei processi CMOS. Il sistema fornisce un controllo preciso della profondità e dei profili di concentrazione del drogante attraverso una consegna stabile del fascio e un controllo accurato dell'angolo, consentendo l'ottimizzazione delle caratteristiche elettriche del dispositivo.

(2) Specifiche chiave Specie impiantate: C, B, P, N, He, ArAngolo di impianto: 0°–45° (precisione ≤0,1°)Intervallo di dose: 1E11–1E16 ioni/cm²Uniformità/Ripetibilità: ≤0,5%(3) Caratteristiche tecniche e vantaggiDispositivi logici avanzati (CMOS, FinFET)1. Cos'è l'impianto ionico e perché è importante nella produzione di semiconduttori?2. Qual è la differenza tra impianti ionici a fascio medio e a fascio alto?Gli impianti a fascio medio sono tipicamente utilizzati per applicazioni di drogaggio di precisione con dosi moderate e intervalli di energia più ampi, come la formazione di pozzi e l'ingegneria del canale. Gli impianti a fascio alto, d'altra parte, sono ottimizzati per l'impianto ad alta dose con correnti di fascio più elevate, comunemente utilizzate per la formazione di sorgenti/drain e l'ingegneria dei contatti.3. Come scelgo il sistema di impianto ionico giusto per il mio processo? Tipo di materiale (Si vs SiC)Ad esempio:Utilizzare Ai300 per il drogaggio di precisione CMOS avanzatoUtilizzare Ai350HT per l'impianto ad alta temperatura SiC