Wafer LNOI (niobato di litio su isolante) 2/3/4/6/8 pollici Si/substrato LN
Dettagli:
Luogo di origine: | Cina |
Marca: | ZMSH |
Numero di modello: | 2°/3°/4°/6°/8° |
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: | 2 |
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Prezzo: | 200 USD |
Packaging Details: | custom cartons |
Delivery Time: | 2-3 weeks |
Termini di pagamento: | T/T |
Supply Ability: | by case |
Informazioni dettagliate |
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Material: | LiNbO3 | Diameter/size: | 2”/3”/4”/6“/8” |
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Cutting Angle: | X/Y/Z etc | TTV: | <3μm |
Bow: | -30Warp: |
<40μm |
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Evidenziare: | 2 Inch Lithium Niobate on Insulator,4 Inch Lithium Niobate on Insulator,8 Inch Lithium Niobate on Insulator |
Descrizione di prodotto
Introduzione:
I wafer LNOI (Lithium Niobate on Insulator) sono un materiale all'avanguardia utilizzato nello sviluppo di dispositivi fotonici e quantistici avanzati.Questi wafer sono fabbricati legando un sottile strato di niobato di litio (LiNbO3) su un substrato isolanteI wafer LNOI ereditano le eccezionali proprietà ottiche e piezoelettriche del niobato di litio,rendendoli indispensabili per applicazioni ad alte prestazioni nell'ottica integrataQuesto articolo esplora i principi fondamentali, le applicazioni chiave e le domande frequenti sui wafer LNOI.
Principio di fabbricazione delle wafer LNOI:
Il processo di realizzazione dei wafer LNOI è complesso e comporta diversi passaggi critici per garantire l'elevata qualità e funzionalità del prodotto finale.
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Implantazione ionica:
Il processo di fabbricazione inizia con un cristallo di niobato di litio in grandi quantità.L'energia e la profondità degli ioni determinano lo spessore dello strato di niobato di litioQuesto impianto di ioni crea un piano fragile all'interno del cristallo, che può essere separato durante le fasi successive del processo per produrre un sottile film di niobato di litio di alta qualità. -
Collegamento al substrato:
Una volta completato il processo di impianto ionico, lo strato di niobato di litio (che è stato indebolito dagli ioni) viene legato a un substrato isolante, in genere il silicio.Questo viene fatto utilizzando tecniche di legame diretto waferIl legame risultante forma un'interfaccia stabile tra lo strato sottile di niobato di litio e il substrato di supporto. -
Aglio e separazione degli strati:
Dopo il legame, il wafer subisce un processo di ricottura, che aiuta a riparare eventuali danni causati dall'impianto ionico.La fase di ricottura favorisce anche la separazione dello strato superiore del niobato di litio dal cristallo di massaCiò si traduce in uno strato sottile di niobato di litio di alta qualità sul substrato, essenziale per il suo utilizzo in varie applicazioni fotoniche e quantistiche. -
Polizione chimica meccanica (CMP):
Per ottenere la qualità e la piattezza della superficie desiderate, il wafer viene sottoposto a lucidatura meccanica chimica (CMP).garantire che il wafer finale soddisfi i requisiti rigorosi per l'uso in dispositivi fotonici ad alte prestazioniQuesto passo è fondamentale per garantire prestazioni ottiche ottimali e ridurre i difetti.
Specificità
Materiale | Optico Grado LiNbO3 Ofrelle | |
Curie Temperatura | 1142 ± 0,7°C | |
Taglio Angolo | X/Y/Z ecc. | |
Diametro/dimensione | 2 ′′/3 ′′/4 ′′/6"/8 ′′ | |
Tol ((±) | < 0,20 mm ± 0,005 mm | |
Spessore | 0.18·0,5 mm o più | |
Primo grado Piatto | 16 mm/22 mm/32 mm | |
TTV | 3 μm | |
Inchinati. | - Trenta | |
Warp. | < 40 μm | |
Orientazione Piatto | Tutti disponibili | |
Superficie Tipo | L'indice di concentrazione di CO2 è calcolato in base al calcolo dell'indice di concentrazione. | |
Polito lato Ra | < 0,5 nm | |
S/D | 20/10 | |
L' estremo Criteri | R=0,2 mm tipo C o Bullnose | |
Qualità | Liberi da crepe (bolle e inclusioni) | |
Optico dopato | Mg/Fe/Zn/MgO ecc. per wafer di qualità ottica LN< per richiesto | |
Wafer Superficie Criteri | Indice di rifrazione | No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm lunghezza d'onda/metodo di accoppiamento a prisma. |
Contaminazione, | Nessuna | |
Particelle c> 0,3μ m | > 30 | |
Graffi, frantumi. | Nessuna | |
Difetto | Niente crepe, graffi, segni di sega, macchie. | |
Imballaggio | Qty/scatola di wafer | 25 pezzi per scatola |
Applicazioni delle wafer LNOI:
I wafer LNOI sono utilizzati in vari campi, in particolare quelli che richiedono proprietà materiali avanzate per applicazioni fotoniche, quantistiche e ad alta velocità.Qui di seguito sono riportati i settori principali in cui i wafer LNOI sono indispensabili:
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Ottica integrata:
I wafer LNOI sono ampiamente utilizzati nell'ottica integrata, dove servono come base per dispositivi fotonici come modulatori, guide d'onda e risonatori.Questi dispositivi sono cruciali per manipolare la luce a livello del circuito integrato, che consente trasmissioni di dati ad alta velocità, elaborazione del segnale e applicazioni ottiche avanzate. -
Telecomunicazioni:
I wafer LNOI svolgono un ruolo fondamentale nelle telecomunicazioni, in particolare nei sistemi di comunicazione ottica.che sono componenti essenziali per reti a fibra ottica ad alta velocitàLe eccezionali proprietà elettro-ottiche dell'LNOI consentono una precisa modulazione della luce ad alte frequenze, indispensabile per i moderni sistemi di comunicazione. -
Calcolo quantistico:
I wafer LNOI sono un materiale ideale per le tecnologie quantistiche a causa della loro capacità di generare coppie di fotoni intrecciate, essenziali per la distribuzione delle chiavi quantistiche (QKD) e la crittografia quantistica.La loro integrazione nei sistemi di calcolo quantistico consente lo sviluppo di circuiti fotonici avanzati, che sono fondamentali per il futuro del calcolo quantistico e delle tecnologie di comunicazione. -
Tecnologie di rilevamento:
I wafer LNOI sono utilizzati anche in applicazioni di rilevamento ottico e acustico.monitoraggio ambientaleLa loro elevata sensibilità e stabilità garantiscono misure accurate, rendendoli essenziali in questi campi.
FAQ:
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Di cosa sono fatti i wafer LNOI?
I wafer LNOI sono costituiti da uno strato sottile di niobato di litio (LiNbO3) legato a un substrato isolante, in genere il silicio.,rendendolo ideale per varie applicazioni ad alte prestazioni. -
In che modo i wafer LNOI sono diversi dai wafer SOI?
Mentre sia i wafer LNOI che i wafer SOI sono costituiti da una pellicola sottile legata a un substrato isolante, LNOI utilizza il niobato di litio come materiale di pellicola sottile, mentre i wafer SOI utilizzano il silicio.Il niobato di litio offre proprietà ottiche non lineari superiori, che rendono i wafer LNOI più adatti per applicazioni come il calcolo quantistico e la fotonica avanzata. -
Quali sono i principali vantaggi dell'uso di wafer LNOI?
I principali vantaggi dei wafer LNOI sono i loro elevati coefficienti elettro-ottici, che consentono una modulazione della luce efficiente, nonché la loro resistenza meccanica,che garantisce la stabilità durante il funzionamento del dispositivoQueste proprietà rendono i wafer LNOI ideali per applicazioni ottiche e quantistiche ad alta velocità.
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