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Sapphire Wafer 4 pollici DSP SSP 0001 C Piano Accetta Azione Personalizzata Monocristallo Al2O3
Dettagli:
| Place of Origin: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Model Number: | Sapphire subatrate |
Termini di pagamento e spedizione:
| Tempi di consegna: | 2-4weeks |
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| Termini di pagamento: | T/T |
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Informazioni dettagliate |
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| Peso molecolare: | 101,96 | Polizione: | DSP, SSP |
|---|---|---|---|
| Tolleranza del diametro: | ≤3% | Personalizzare: | Accettabile |
| Distanze: | 30 metri | Roverezza della superficie: | Ra < 0,5 Nm |
| Resistività intrinseca: | 1E16 Ω-cm | Metodo di crescita: | KY |
| Evidenziare: | 4inch Sapphire Wafer,Aereo Sapphire Wafer di C,Wafer di zaffiro monocristallino |
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Descrizione di prodotto
Wafer di zaffiro 4 pollici DSP SSP (0001) C Piano Accetta asse personalizzato Monocristallo Al2O3
Descrizione del prodotto:
Il wafer di zaffiro è composto da ossido di alluminio (Al2O3), dove tre atomi di ossigeno si legano a due atomi di alluminio in una struttura covalente.Esso presenta una struttura cristallina a reticolo esagonale e presenta comunemente piani di taglio come il piano AA causa della sua ampia gamma di trasparenza ottica, il wafer zaffiro consente la trasmissione della luce dal vicino ultravioletto (190 nm) alle lunghezze d'onda infrarosse medie,rendendolo ideale per componenti otticiIl wafer di zaffiro è noto per la sua elevata velocità sonora, resistenza alle alte temperature, resistenza alla corrosione, alta durezza,eccellente trasparenzaÈ un materiale difficile da elaborare, ma è comunemente utilizzato nei dispositivi optoelettronici.
La qualità dei LED bianchi/blu ultra-luminosi dipende dalla qualità degli strati epitaxiali di nitruro di gallio (GaN), che, a loro volta,è strettamente correlata alla qualità del trattamento superficiale delle wafer di zaffiro utilizzate- il disallineamento della costante di reticolo tra il piano C del wafer di zaffiro (singolo cristallo Al2O3) e le pellicole sottili depositate dai gruppi III-V e II-VI è minimo;ben allineato ai requisiti di alta temperatura dei processi di epitaxia del GaNQuesto rende i wafer di zaffiro materiali cruciali per la produzione di LED bianchi/blu/verdi.
Carattere
1Struttura e composizione delle wafer di zaffiro
Il wafer di zaffiro ha una struttura cristallina esagonale con il gruppo spaziale R-3c, e la sua unità strutturale di base è l'ottaedro AlO6.,formando una rete tridimensionale altamente simmetrica e stabile.
2- Proprietà ottiche ed elettroniche del wafer zaffiro
I wafer di zaffiro hanno ottime proprietà ottiche che li rendono un materiale ideale per componenti ottici.specialmente nel raggio ultravioletto-infrarosso vicino (150 nm a 5500 nm), con indice di rifrazione di circa 1.76Questa diffusa trasparenza consente allo zaffiro di essere ampiamente utilizzato in strumenti ottici ad alta precisione.
In termini di proprietà elettroniche, il wafer di zaffiro è un isolante con un ampio intervallo di banda di circa 9,9 eV, che lo rende eccellente nei dispositivi elettronici ad alta tensione e ad alta frequenza.A causa del suo elevato isolamento e delle basse perdite dielettriche, lo zaffiro è comunemente utilizzato come materiale di substrato per dispositivi semiconduttori, in particolare nei transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) e nei dispositivi a base di nitruro di gallio (GaN).
3Proprietà meccaniche e termodinamiche
La wafer di zaffiro ha una durezza Mohs di 9, seconda solo al diamante, che le conferisce una resistenza eccezionale all'abrasione e al graffio.con una capacità di accensione superiore a 50 WIl wafer di zaffiro presenta inoltre una conduttività termica molto elevata di circa 25 W/m·K, mantenendo proprietà fisiche e chimiche stabili in ambienti ad alta temperatura.Con un punto di fusione elevato di 2054°C e un basso coefficiente di espansione termica (8.4 x 10^-6/K), il wafer zaffiro può mantenere la stabilità dimensionale in applicazioni ad alta temperatura.
| Diametro | 4 pollici 100 ± 0,3 mm |
| Spessore | 650 ± 20 μm |
| Orientazione | C-piano (0001) a M-piano (1-100) o A-piano ((1 1-2 0) 0.2±0.1° /0.3±0.1°, R-piano (1-1 0 2), A-piano (1 1-2 0 ), M-piano ((1-1 0 0) |
| Lunghezza piana primaria | 32.5±1,5 mm |
| Orientazione primaria piatta | Piano A (1 1-2 0) ± 0,2° |
| TTV | ≤ 20 μm |
| LTV | ≤ 20 μm |
| TIR | ≤ 20 μm |
| BIO | ≤ 20 μm |
| Warp. | ≤ 20 μm |
| Superficie anteriore | Epi-polito (Ra< 0,2 nm) |
| Superficie posteriore | Fino (Ra=0,5 a 1,2 μm), Epi-polito (Ra< 0,2 nm) |
| Nota | Può fornire wafer di substrato di zaffiro di alta qualità in base alle esigenze specifiche dei clienti |
Applicazioni:
I wafer di zaffiro sono eccellenti materiali multifunzionali noti per la loro resistenza alle alte temperature, buona conduttività termica, alta durezza, trasparenza infrarossa e stabilità chimica.Sono ampiamente utilizzati in varie industrie.Infine, la Commissione ha adottato una proposta di regolamento che prevede la creazione di un'agenzia di ricerca per la ricerca e la tecnologia nel settore dell'energia, della difesa e della ricerca, per esempio per le finestre ad infrarossi ad alta temperatura.i wafer di zaffiro servono come substrati monocristallini versatili e sono i substrati preferiti nelle industrie del blu, diodi di emissione luminosa (LED) viola e bianca e diodi laser blu (LD) (che richiedono film epitassici di nitruro di gallio su substrati di zaffiro).Sono anche cruciali per i substrati superconduttori a film sottile.
Processo di lavorazione del substrato di zaffiro:
1. Crescita di cristalli: utilizzare un forno di crescita di cristalli per coltivare zaffiro di singolo cristallo grande e di alta qualità.
2Orientamento: assicurarsi che il cristallo di zaffiro sia posizionato correttamente sulla sega per la successiva lavorazione.
3Segatura: estrazione di barre di zaffiro dal cristallo in modo specifico.
4. Macinatura: utilizzare una macinatrice cilindrica esterna per macinare con precisione il diametro esterno della barra di zaffiro.
5- Ispezione della qualità: verificare la qualità della barra di zaffiro e verificare se le dimensioni e l'orientamento dopo l'estrazione soddisfano le specifiche del cliente.
6. Orientazione (di nuovo): posizionare accuratamente la barra di zaffiro sulla macchina di taglio per un taglio preciso.
7Taglio: taglia la canna di zaffiro in una sottile fetta.
8. lucidatura: elimina i danni causati dal taglio e migliora la piattezza delle wafer.
9.Chamfering: tagliare i bordi del wafer in una forma arrotondata per migliorare la resistenza meccanica e prevenire i difetti indotti dalla concentrazione di stress.
10- Polizzatura: migliora la rugosità superficiale dei wafer per ottenere una precisione epitaxiale.
11Pulizia: rimuovere i contaminanti dalla superficie del wafer (per esempio, polveri, metalli, residui organici).
12. Ispezione della qualità (di nuovo): impiegare attrezzature di ispezione ad alta precisione per valutare la qualità del wafer (piattazza, pulizia della superficie, ecc.) per soddisfare i requisiti del cliente.
Raccomandazione del prodotto:
1.8 pollici 0,725 Dia100mm C Piano Wafer di zaffiro a cristallo singolo 1300mm 1500mm Spessore
2.6 pollici Sapphire Wafer Orientation 0001 Al2O3 Single Crystal Optical Transparency
FAQ:
D: Che cos'è un wafer di zaffiro?
A: Wafer di zaffiro di Vritra Technologies
Lo zaffiro sintetico è una forma monocristallina di ossido di alluminio (Al2O3).resistenza agli graffi, bassa perdita dielettrica e buon isolamento elettrico.
D: Qual è la differenza tra le wafer di zaffiro e quelle di silicio?
R: I LED sono le applicazioni più popolari per lo zaffiro. Il materiale è trasparente ed è un ottimo conduttore di luce.il silicio è opaco e non consente un'estrazione efficiente della luceTuttavia, il materiale semiconduttore è ideale per i LED, perché è economico e trasparente.
D: Cos'è lo zaffiro nei semiconduttori?
R: I wafer di zaffiro sono utilizzati per l'epitaxia di film semiconduttori come Si, nitruro di gallio (GaN) e AlGaN, e per la realizzazione di circuiti integrati.I substrati di zaffiro a piano C sono utilizzati per la crescita di GaN e di altri composti III ̊V e II ̊VI nella fabbricazione di LED e per applicazioni di rilevatori IR.