grado Sapphire Wafers Thickness di Miscut 4 di C-asse di 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp

grado Sapphire Wafers Thickness di Miscut 4 di C-asse di 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp

Dettagli:

Luogo di origine: porcellana
Marca: ZMKJ
Certificazione: ROHS
Numero di modello: 2INCH 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 25pcs
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: cassa del wafer del cassettle 25pcs nella borsa di pulizia di 100 gradi
Tempi di consegna: 1-4weeks
Termini di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 1000PCS al mese
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Material: Sapphire substrate grade orientation: C miscut A 4 Degree
Thickness: 0.175mm/0.3mm/0.43mm/0.5mm Surface: SSP OR DSP
TTV: <10um BOW: <10um
Warp: <15um Package: 25 cassettle in 100 grade cleaning room by vacuum package
Evidenziare:

0.5mm Sapphire Substrate

,

4 gradi Sapphire Wafers

,

C-asse Sapphire Wafers

Descrizione di prodotto

2inch aereo a 2 pollici di Sapphire Wafers Thickness 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp C di grado di 50.8mm C Miscut A 4 ha lucidato Sapphire Wafers Crystal Substrates


Le specifiche del substrato del wafer dello zaffiro 2inch

  • Materiale: Elevata purezza >99.99%, monocristallo Al2O3

  • Dimensione: 50,8 millimetro +/- 0,1 millimetri

  • Spessore: 430 um +/- 25 um per SSP e 400 um +/- 25 um per DSP (l'altro spessore disponibile su richiesta)

  • Parametro della grata: a=4.785 A, c=12.991 A

  • Densità: 3,98 g/cm3

  • Orientamento: Aereo di C (0001) alla m. grado (di 1-100) 0,2 +/- 0,1 fuori.

  • Orientamento piano primario: Un-aereo [11-20] +/- 0,2 gradi

  • Lunghezza piana primaria: 16,0 +/- 1,0 millimetri

  • Variazione totale di spessore (TTV): <5 um="">

  • Arco: <10 um="">

  • Filo di ordito: <10 um="">

  • Coefficiente di espansione termica: parallelo di 10-6 x di 6,66/°C all'asse di C, perpendicolare di 10-6 x di 5/°C all'asse di C

  • Resistenza dielettrica: 4,8 x 105 V/cm

  • Costante dielettrica: 11,5 (1 megahertz) lungo l'asse di C, 9,3 perpendicolare (1 megahertz) all'asse di C

  • Tangente di perdita dielettrica (a.k.a fattore di dissipazione): meno di 1 x 10-4

  • Conducibilità termica: 40 con (m.K) a 20℃

  • Lucidatura: (SSP) Ra di superficie epi-pronto lucidato singolo lato della facciata frontale < 0="">

PROPRIETÀ OTTICHE di SAPPHIRE Al 2O3
Gamma di trasmissione 0,17 - 5,5 micron
Indice di rifrazione 1,75449 (o) 1,74663 (e) a 1,06 micron
Perdita di riflessione a 1,06 micron (2 superfici) per o-Ray - 11,7%; per e-Ray - 14,2%
Indicizzi di assorbimento 0,3 x 10-3 cm-1 a 2,4 micron
dN/dT 13,7 x 10-6 a 5,4 micron
dn/dm = 0 1,5 micron

 

PROPRIETÀ FISICHE di SAPPHIRE Al 2O3
Densità 3,97 g/cm3
Punto di fusione 2040 gradi di C
Conducibilità termica 27,21 con (m. x K) a 300 K
Espansione termica 5,6 x 10 -6 /K (C-asse parallelo) & 5,0 (C-asse perpendicolare) x 10 -6 /K
Durezza Knoop 2000 kg/mm 2 con il penetratore 2000g
Capacità termica specifica 419 J (chilogrammo x K)
Costante dielettrica 11,5 (C-asse parallelo) 9,4 (C-asse perpendicolare) a 1MHz
Modulo di Young (E) 335 GPa
Modulo del taglio (G) 148,1 GPa
Modulo in serie (k) 240 GPa
Coefficienti elastici C11=496 C12=164 C13=115
C33=498 C44=148
Limite elastico 275 MPa (40.000 PSI)
Rapporto di Poisson 0,25

grado Sapphire Wafers Thickness di Miscut 4 di C-asse di 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp 0grado Sapphire Wafers Thickness di Miscut 4 di C-asse di 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp 1grado Sapphire Wafers Thickness di Miscut 4 di C-asse di 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp 2grado Sapphire Wafers Thickness di Miscut 4 di C-asse di 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp 3

2inch 3inch 4inch 6inch 8inch in azione

Wafer standard
Wafer a 2 pollici SSP/DSP dello zaffiro dell'C-aereo
Wafer a 3 pollici SSP/DSP dello zaffiro dell'C-aereo
Wafer a 4 pollici SSP/DSP dello zaffiro dell'C-aereo
Wafer a 6 pollici SSP/DSP dello zaffiro dell'C-aereo
Orientamento speciale
1120) wafer dello zaffiro dell'Un-aereo (
1102) wafer dello zaffiro dell'R-aereo (
1010) wafer dello zaffiro dell'M.-aereo (
C-asse con un ritaglio di carta di 0.5°~ 10°, verso l'Un-asse o l'M.-asse
L'altro orientamento su misura
 
Dimensione su misura
wafer dello zaffiro di 10x10x0.5mm
wafer dello zaffiro di 20x20x0.5mm
(100um) wafer ultra sottile dello zaffiro 2inch
Wafer a 8 pollici dello zaffiro
Sapphire Substrate modellata (PSS)
C-aereo a 2 pollici PSS
C-aereo a 4 pollici PSS
                       2inch

DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm/1.0mmt
C-asse 0.2/0.43mm di SSP
(DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm
 

                      3inch

C-asse 0.43mm/0.5mm di DSP/SSP
 

                     4Inch

c-asse 0.4mm/0.5mm/1.0mm del dsp
c-asse 0.5mm/0.65mm/1.0mmt dello ssp
 
 

                      6inch

c-asse 1.0mm/1.3mmm dello ssp
 
c-asse 0.65mm/0.8mm/1.0mmt del dsp
 


 grado Sapphire Wafers Thickness di Miscut 4 di C-asse di 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp 4
 

FAQ
                                     

Q: Che cosa è il vostro requisito minimo di ordine?
: MOQ: 10 pezzi

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: confermi l'ordine 1days dopo la conferma il pagamento e della consegna in 5days se sulle azione.

Q: Potete dare la garanzia dei vostri prodotti?
: Promettiamo la qualità, se la qualità ha qualunque problemi, noi produrremo nuovo vi produciamo o restituiamo soldi.

Q: Come pagare?
: T/T, Paypal, unione ad ovest, trasferimento bancario.

Q: COME circa il trasporto?
: possiamo aiutarvi a pagare la tassa se non avete conto,
se l'ordine è sopra 10000usd, possiamo la consegna dal CIF.
Q: Se avete qualunque altre domande, non esiti prego a contattarmi.
: colleghi con da skype/whatsapp: +86 158 0194 2596 o 2285873532@qq.com
siamo in qualunque momento al vostro ~~ del lato

grado Sapphire Wafers Thickness di Miscut 4 di C-asse di 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp 5

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