grado Sapphire Wafers Thickness di Miscut 4 di C-asse di 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp

• Materiale: Elevata purezza >99.99%, monocristallo Al2O3

• Dimensione: 50,8 millimetro +/- 0,1 millimetri

• Spessore: 430 um +/- 25 um per SSP e 400 um +/- 25 um per DSP (l'altro spessore disponibile su richiesta)

• Parametro della grata: a=4.785 A, c=12.991 A

• Densità: 3,98 g/cm3

• Orientamento: Aereo di C (0001) alla m. grado (di 1-100) 0,2 +/- 0,1 fuori.

• Orientamento piano primario: Un-aereo [11-20] +/- 0,2 gradi

• Lunghezza piana primaria: 16,0 +/- 1,0 millimetri

• Variazione totale di spessore (TTV): <5 um="">

• Arco: <10 um="">

• Filo di ordito: <10 um="">

• Coefficiente di espansione termica: parallelo di 10-6 x di 6,66/°C all'asse di C, perpendicolare di 10-6 x di 5/°C all'asse di C

• Resistenza dielettrica: 4,8 x 105 V/cm

• Costante dielettrica: 11,5 (1 megahertz) lungo l'asse di C, 9,3 perpendicolare (1 megahertz) all'asse di C

• Tangente di perdita dielettrica (a.k.a fattore di dissipazione): meno di 1 x 10-4

• Conducibilità termica: 40 con (m.K) a 20℃

• Lucidatura: (SSP) Ra di superficie epi-pronto lucidato singolo lato della facciata frontale < 0="">

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