Wafer di silicio spessore 4 pollici 500+/-20 Resistenza 1-10 ohm·cm Orientamento100 doppio lato lucido

Riassunto del prodotto

Il nostro substrato di silicio ultra-puro di precisione è stato progettato meticolosamente per servire come base per dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni.Prodotto con tecnologia avanzata di silicio monocristallino a zona galleggiante, questo substrato offre eccezionale purezza ed uniformità, garantendo proprietà elettroniche superiori.il nostro substrato consente la fabbricazione di dispositivi semiconduttori all'avanguardia con maggiore affidabilità e prestazioniSia che sia utilizzato in circuiti integrati, elettronica di potenza o applicazioni fotovoltaiche, il nostro substrato di silicio consente l'innovazione in vari settori,guidare i progressi nella tecnologia e nell'ingegneria.

Presentazione dei prodotti

Proprietà del prodotto

1. Silicio ultra-puro: il nostro substrato è composto da silicio monocristallino a zona galleggiante, garantendo livelli di purezza eccezionali cruciali per dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni.

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3. Struttura cristallina uniforme: il substrato vanta una struttura cristallina uniforme, priva di difetti o irregolarità, garantendo proprietà elettriche coerenti su tutta la superficie.

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5. Bassi livelli di impurità: con un controllo meticoloso delle concentrazioni di impurità, il nostro substrato presenta bassi livelli di dopanti e contaminanti,ridurre al minimo gli effetti elettronici indesiderati e garantire l'affidabilità del dispositivo.

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7. Alta stabilità termica: il substrato dimostra un'elevata stabilità termica, consentendo un funzionamento affidabile in una vasta gamma di temperature senza compromettere le prestazioni o l'integrità.

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9. Controllo dimensionale preciso: ogni substrato è fabbricato con un controllo dimensionale preciso, garantendo uno spessore e una piattezza costanti per facilitare processi di fabbricazione accurati del dispositivo.

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11. Eccellente qualità superficiale: il nostro substrato presenta una finitura superficiale liscia e priva di difetti, essenziale per la deposizione di film sottili e la formazione di interfacce di dispositivi di alta qualità.

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13. Specificità personalizzabili: offriamo una serie di specifiche personalizzabili, incluse concentrazione di doping, resistività e orientamento,per soddisfare i requisiti specifici di diverse applicazioni di semiconduttori.

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15. Compatibilità con i processi a semiconduttore: il substrato è compatibile con varie tecniche di lavorazione a semiconduttore, tra cui epitaxia, litografia e incisione,consentire un'integrazione fluida nei flussi di lavoro di fabbricazione esistenti.

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17. Performance elettrica: il nostro substrato presenta eccellenti proprietà elettriche, tra cui elevata mobilità del vettore, basse correnti di perdite e conduttività elettrica uniforme,essenziale per ottimizzare le prestazioni e l'efficienza del dispositivo.

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19. Affidabilità e longevità: progettato per una affidabilità a lungo termine,il nostro substrato è sottoposto a rigorose misure di controllo della qualità per garantire prestazioni e durabilità costanti durante tutta la sua vita utile.

20. Specificativo del silicio monocristallino FZ

     

    Tipo	Tipo di conduzione	Orientazione	Diametro ((mm)	Conduttività ((Ω•cm)
    Alta resistenza	N&P	<100>&<111>	76.2-200	> 1000
    NT1	N	<100>&<111>	76.2-200	30-800
    CFZ	N&P	<100>&<111>	76.2-200	1-50
    GD	N&P	<100>&<111>	76.2-200	0.001-300

     

     

     

    Specifica dei wafer

     

    Parametro di ingoto	Articolo	Descrizione
    	Metodo di coltivazione	FZ
    	Orientazione	Classificazione:
    	Disorientamento	4 ± 0,5 gradi alla massima < 110
    	Tipo/Dopant	P/Boro
    	Resistenza	10-20 W.cm
    	RRV	≤ 15% (Max edge-Cen)/Cen

     
     

     

     

     

    Parametro della wafer	Articolo	Descrizione
    	Diametro	150±0,5 mm
    	Spessore	675±15 um
    	Lunghezza piatta primaria	57.5±2,5 mm
    	Orientazione primaria piatta	< 011> ± 1 grado
    	Lunghezza piatta secondaria	Nessuna
    	Orientazione piatta secondaria	Nessuna
    	TTV	≤ 5 μm
    	Inchinati.	≤ 40 μm
    	Warp.	≤ 40 μm
    	Profil di bordo	Standard SEMI
    	Superficie anteriore	Polizione chimica-meccanica
    	LPD	≥ 0,3 um@≤15 pcs
    	Superficie posteriore	Acido inciso
    	Chips di bordo	Nessuna
    	Pacco	Imballaggio a vuoto; plastica interna, alluminio esterno

21. Applicazioni del prodotto

     

    Circuiti integrati (IC): il nostro substrato di silicio ultra-puro di precisione funge da blocco di costruzione fondamentale per la fabbricazione di IC utilizzati in una vasta gamma di dispositivi elettronici,compresi gli smartphone, computer e elettronica automobilistica.

    Potenza elettronica: il substrato è utilizzato in dispositivi semiconduttori di potenza come diodi, transistor e tiristor,consentire una conversione e un controllo efficienti dell'energia in applicazioni quali i veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile e automazione industriale.

    Il nostro substrato svolge un ruolo cruciale nella produzione di celle solari ad alta efficienza.fornendo una base stabile e uniforme per la deposizione di strati di semiconduttori e contatti metallici, con conseguente miglioramento dell'efficienza di conversione dell'energia solare.

    Diodi emettitori di luce (LED): nella produzione di LED, il nostro substrato funge da piattaforma per la crescita epitassica degli strati di semiconduttori,garantire l'uniformità e l'affidabilità delle prestazioni dei LED per applicazioni quali l'illuminazione, display e illuminazione automobilistica.

    Sistemi microelettromeccanici (MEMS): il nostro substrato facilita la fabbricazione di dispositivi MEMS, inclusi accelerometri, giroscopi e sensori di pressione,che consentono un sensore e un controllo precisi nell'elettronica di consumo, sistemi automobilistici e dispositivi medici.

    Dispositivi a radiofrequenza (RF): il substrato è utilizzato nella produzione di dispositivi a radiofrequenza come amplificatori, oscillatori e filtri a radiofrequenza, a supporto di sistemi di comunicazione wireless, comunicazione satellitare,e sistemi radar con funzionamento e affidabilità ad alta frequenza.

    Dispositivi optoelettronici: il nostro substrato consente lo sviluppo di dispositivi optoelettronici quali fotodettori, modulatori ottici e diodi laser,contribuire alle applicazioni nelle telecomunicazioni, comunicazione dei dati e rilevamento ottico.

    Sensori biomedici: nell'ingegneria biomedica, il nostro substrato viene utilizzato per la fabbricazione di biosensori e dispositivi bioelettronici per applicazioni come la diagnostica medica,sistemi di somministrazione di farmaci, e dispositivi medici impiantabili.

    Aerospaziale e difesa: il substrato è utilizzato in applicazioni aerospaziali e di difesa, compresi sistemi radar, satelliti di comunicazione e sistemi di guida missilistica, dove l'affidabilità, la stabilità,e le prestazioni sono fondamentali in ambienti difficili.

    Tecnologie emergenti: il nostro substrato supporta i progressi nelle tecnologie emergenti come il calcolo quantistico, il calcolo neuromorfico e i sensori avanzati, guidando l'innovazione nel calcolo,intelligenza artificiale, e applicazioni di rilevamento.