Epi Ready Wafer InP da 4 pollici di tipo N tipo P tipo EPF < 1000cm^2 con spessore di 325mm±50mm
Dettagli:
Luogo di origine: | CINESE |
Marca: | ZMSH |
Informazioni dettagliate |
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Dimensione: | 2 pollici o personalizzabile | Diametro: | 500,05 mm±0.2 |
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Drogante: | S-C-N/S | Spessore: | 350um±25 o personalizzabile |
Opzione fissa: | es | Orientazione primaria: | [0-1-1]±0,02° |
Secondo orientamento piatto: | [0-11] | Lungozza piana seconda: | 7 mm±1 |
Concentrazione in trasportatore: | 2E18~8E18cm-3 | Mobilità: | 000~2000cm2/V·Sec |
Evidenziare: | Wafer InP di tipo p da 4 pollici,Wafer InP da 4 pollici pronti per Epi.,Wafer InP da 4 pollici |
Descrizione di prodotto
Epi ready 4 inch InP wafer tipo N tipo p tipo EPF < 1000cm^2 con spessore di 325um±50um
Riassunto del prodotto
Il nostro prodotto, la "Wafer di fosfuro di indio ad alta purezza", è all'avanguardia nell'innovazione dei semiconduttori.un semiconduttore binario noto per la sua velocità elettronica superiore, il nostro wafer offre prestazioni ineguagliabili in applicazioni optoelettroniche, transistor rapidi e diodi di tunneling a risonanza.Con ampia utilità nei dispositivi elettronici ad alta frequenza e ad alta potenzaIl nostro wafer e' una pietra miliare della tecnologia di nuova generazione, la sua competenza nella comunicazione ad alta velocita' in fibra ottica, abilitata dalla sua capacita' di emettere e rilevare lunghezze d'onda superiori a 1000 nm,Il sistema di telecomunicazione è un sistema di telecomunicazione che si sviluppa in modo da consolidare ulteriormente la sua importanza nelle telecomunicazioni moderne.Servendo da substrato per laser e fotodiodi nelle applicazioni Datacom e Telecom, il nostro wafer si integra perfettamente nelle infrastrutture critiche.il nostro prodotto emerge come pietra angolareOffrendo una purezza del 99,99%, le nostre onde di fosfuro di indio garantiscono efficienza ed efficacia senza pari.spingendo il progresso tecnologico nel futuro.
Proprietà del prodotto
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Velocità elettronica superiore:Derivati dal fosfuro di indio, i nostri wafer vantano una velocità elettronica eccezionale, superando quella dei semiconduttori convenzionali come il silicio.Questo attributo sostiene la loro efficacia nelle applicazioni optoelettroniche, transistor rapidi e diodi di risonanza.
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Performance ad alta frequenza:I nostri wafer sono ampiamente utilizzati in dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza, dimostrando la loro capacità di supportare con facilità esigenze operative impegnative.
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Efficienza ottica:Con la capacità di emettere e rilevare lunghezze d'onda superiori a 1000 nm, i nostri wafer eccellono nei sistemi di comunicazione in fibra ottica ad alta velocità, garantendo una trasmissione di dati affidabile attraverso diverse reti.
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Substrato versatile:Servendo come substrato per laser e fotodiodi nelle applicazioni Datacom e Telecom, i nostri wafer si integrano perfettamente in varie infrastrutture tecnologiche,facilitare prestazioni robuste e scalabilità.
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Purezza e affidabilità:Offrendo una purezza del 99,99%, i nostri wafer di fosfuro di indio garantiscono prestazioni e durata costanti, soddisfacendo le rigide esigenze delle moderne tecnologie di telecomunicazioni e dati.
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Progettazione a prova di futuro:Posizionati in prima linea nell'innovazione dei semiconduttori, i nostri wafer anticipano le esigenze delle tecnologie emergenti, rendendoli componenti indispensabili per le connessioni in fibra ottica,reti di accesso a anello della metropolitana, e data center in mezzo alla rivoluzione 5G imminente.
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Specificità:
Materiale InP singolo cristallo Orientazione < 100> Dimensione ((mm) Dia50.8×0.35mm, 10×10×0.35mm
10 × 5 × 0,35 mmRoughness superficiale Ra: ≤ 5A Polizione SSP (polito su una sola superficie) o
DSP (doppia superficie lucida)Proprietà chimiche del cristallo InP:
Cristallo singolo Dopati Tipo di conduzione Concentrazione del vettore Rapporto di mobilità Densità di dislocazione Dimensione standard InP / N (0,4-2) × 1016 (3.5-4) ×103 5×104 Φ2 × 0,35 mm
Φ3 × 0,35 mmInP S N (0,8-3) ×1018
(4-6) ×1018(2.0-2.4) ×103
(1.3-1.6) ×1033 × 104
2 × 103Φ2 × 0,35 mm
Φ3 × 0,35 mmInP Zn P (0,6-2) ×1018 70-90 2 × 104 Φ2 × 0,35 mm
Φ3 × 0,35 mmInP Fe N 107- 108 ≥ 2000 3 × 104 Φ2 × 0,35 mm
Φ3 × 0,35 mmProprietà di base:
Struttura cristallina Tetraedrico ((M4) Costante di reticolo a = 5,869 Å Densità 40,81 g/cm3 Punto di fusione 1062 °C Massa molare 1450,792 g/mol Apparizione Cristalli cubici neri Stabilità chimica Leggermente solubile in acidi Mobilità elettronica ((@ 300K) 5400 cm2/ ((V·s) Distanza di banda ((@ 300 K) 1.344eV Conduttività termica ((@ 300K) 00,68 W/ ((cm·K) Indice di rifrazione 3.55 ((@ 632.8nm) -
Applicazioni del prodotto
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Dispositivi optoelettronici:I nostri wafer di fosfuro di indio sono ampiamente utilizzati in applicazioni optoelettroniche, tra cui diodi emettitori di luce (LED), diodi laser e fotodettori.La loro velocità elettronica superiore e l'efficienza ottica le rendono ideali per la produzione di componenti optoelettronici ad alte prestazioni.
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Transistori ad alta velocità:L'eccezionale velocità degli elettroni dei nostri wafer consente la fabbricazione di transistor ad alta velocità, essenziali per applicazioni che richiedono una rapida elaborazione del segnale e velocità di commutazione.Questi transistor trovano uso nelle telecomunicazioni, sistemi informatici e radar.
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Comunicazione in fibra ottica:I wafer di fosfuro di indio sono indispensabili nei sistemi di comunicazione in fibra ottica ad alta velocità a causa della loro capacità di emettere e rilevare lunghezze d'onda superiori a 1000 nm.Consentono la trasmissione di dati su lunghe distanze con una perdita minima di segnale, rendendoli vitali per le reti di telecomunicazione e i data center.
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Diodi di risonanza:I nostri wafer sono utilizzati nella produzione di diodi di risonanza, che presentano effetti di tunneling quantico unici.Imaging a terahertz, e il calcolo quantistico.
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elettronica ad alta frequenza:I wafer InP sono comunemente impiegati in dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza, tra cui amplificatori a microonde, sistemi radar e comunicazioni satellitari.La loro elevata mobilità elettronica e affidabilità li rendono adatti per applicazioni aerospaziali e di difesa..
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Datacom e infrastrutture di telecomunicazione:Servendo da substrato per i diodi laser e i fotodiodi, i nostri wafer contribuiscono allo sviluppo delle infrastrutture Datacom e Telecom,sostegno alle reti di trasmissione di dati ad alta velocità e alle reti di telecomunicazioneSono componenti integranti di trasmettitori ottici, switch a fibra ottica e sistemi di multiplexing a divisione di lunghezza d'onda.
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Tecnologie emergenti:Con l'evoluzione delle tecnologie emergenti quali il 5G, l'Internet delle cose (IoT) e i veicoli autonomi, la domanda di wafer di fosfuro di indio aumenterà solo.Questi wafer svolgeranno un ruolo cruciale per consentire la prossima generazione di comunicazioni wireless, reti di sensori e dispositivi intelligenti.
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