Tavolo ceramico a carburo di silicio (SiC) per lavorazione ad alta temperatura

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I vassoi in ceramica a carburo di silicio (SiC) sono vettori ad alte prestazioni progettati per ambienti termici, chimici e meccanici esigenti.e stabilità a temperature elevate, i vassoi SiC sono diventati una soluzione preferita per la lavorazione dei semiconduttori, la produzione di LED, la sinterizzazione avanzata dei materiali e le applicazioni termiche ad alta purezza.La loro durata e le loro caratteristiche di bassa contaminazione garantiscono un'affidabilità del processo costante e una lunga durata di vita.

Proprietà materiali

Le ceramiche in carburo di silicio offrono una combinazione di resistenza fisica e chimica che supera i vassoi convenzionali in allumina e quarzo:

• Resistenza alle alte temperature:prestazioni stabili al di sopra di 1600-1700 °C, adatte a forni ad alta temperatura.

• Eccellente resistenza agli urti termici:Cicli rapidi di riscaldamento e raffreddamento senza crepe.

• Alta durezza e resistenza all'usura:Prolunga la vita sotto stress meccanico.

• Bassa espansione termica (CTE):Garantisce la stabilità dimensionale durante il ciclo termico.

• Alta conduttività termica:Promuove una distribuzione del calore uniforme, migliorando la consistenza della sinterizzazione.

• Resistenza alla corrosione e all'ossidazione:Riduce notevolmente il rischio di contaminazione.

• Basso rilascio di gas:Adatto a processi ultra puliti.

Processo di produzione

I vassoi in ceramica SiC sono generalmente fabbricati attraversosinterizzazione senza pressione,legame di reazione (RBSiC), oDeposito di vapore chimico (CVD-SiC)a seconda dei requisiti di purezza e prestazioni:

• RBSiC (SiC legato per reazione):Alta resistenza, ottime proprietà di scossa termica, economica.

• SSiC (SiC sinterizzato):Purezza più elevata, densità più elevata, migliore stabilità chimica, ideale per i semiconduttori.

• CVD-SiC:Fornisce superfici estremamente pure, prive di pori e resistenti alla corrosione per processi avanzati di wafer.

Ogni percorso di produzione garantisce un'elevata uniformità, un controllo dimensionale preciso e una geometria personalizzabile.

Principali applicazioni

I vassoi in ceramica SiC sono ampiamente utilizzati in molteplici settori:

Semiconduttori e microelettronica

• Caricamento dei wafer, lavorazione ad alta temperatura, supporto LPCVD/PECVD

• Difusione, ossidazione, processi termici rapidi

• Piattaforme per il trasporto e il trasporto di materiali ad alta purezza

Fabbricazione di LED e optoelettronica

• Sinterizzazione e ricottura di wafer di zaffiro, GaN, SiC

• Epitaxia e supporto per il trattamento termico ad alta temperatura

Metallurgia della polvere e sinterizzazione

• Ceramiche, materiali magnetici e sinterizzazione di polveri metalliche

• Carrieri e separatori per forni ad alta temperatura

Batteria al litio e materiali avanzati

• Calcinazione in polvere, fosfatamento, rivestimento ad alta temperatura

• Apparecchi di supporto per materiali energetici avanzati

Forni industriali generali

• Formaggio ad alta temperatura, trattamento termico, ciclo termico

Vantaggi dei vassoi in ceramica SiC

Rispetto ai tradizionali vassoi in grafite, allumina o metallo, i vassoi in ceramica SiC offrono vantaggi significativi:

• Vita di servizio più lungain cicli ripetuti ad alta temperatura

• Minore contaminazione, garantendo una qualità del processo stabile

• Maggiore resistenza meccanicaper resistere alla deformazione

• Conduzione termica uniformeper una migliore consistenza del prodotto

• Disegno personalizzabile, comprese le fessure, i fori, i solchi e le geometrie complesse

• Compatibile con ambienti in camera pulita e vuoto

Specifiche disponibili

Offriamo vassoi standard e personalizzati, tra cui:

• Scaffalature piatte, vassoi porosi, vassoi a griglia

• Dimensioni:Le dimensioni comuni includono 100×500 mm; personalizzabili

• Spessore:3·20 mm o su richiesta del cliente

• Opzioni di materiale:RBSiC, SSiC, CVD-SiC

• Finitura superficiale:Polizione, rivestimento CVD, camfering, marcatura laser

I servizi OEM/ODM personalizzati sono supportati per modelli speciali di forni, sistemi automatizzati o linee di produzione specifiche.

Domande frequenti

Q1: Qual è la differenza tra i vassoi RBSiC e SSiC?

L'RBSiC fornisce un'eccellente resistenza meccanica a un costo inferiore, mentre l'SSiC fornisce una maggiore purezza, una migliore resistenza alla corrosione ed è ideale per gli ambienti dei semiconduttori.

D2: I vassoi in SiC possono resistere a cicli termici rapidi?

Il SiC ha un'eccellente resistenza allo shock termico, che lo rende adatto per processi di riscaldamento e raffreddamento rapidi.

Q3: La forma del vassoio può essere personalizzata?

Possiamo produrre vassoi con geometrie complesse, tra cui scanalature, fori, bordi e strutture a più strati.

D4: Il SiC contaminerà i prodotti durante il funzionamento ad alta temperatura?

No. Il SiC è chimicamente stabile, resistente all'ossidazione e ha un basso rilascio di gas, garantendo una bassa contaminazione.

D5: I vassoi a SiC richiedono un metodo di pulizia specifico?

La pulizia dipende dal grado del materiale: SSiC e CVD-SiC consentono la pulizia acido/base; RBSiC richiede metodi più miti per evitare alterazioni superficiali.

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