Visualizzazione del prodottoWafer SiC semisolatrici

Wafer SiC semisolatrici ad alta purezzasono progettati per l'elettronica di potenza di nuova generazione, i dispositivi RF/microonde e l'optoelettronica.I nostri wafer sono fabbricati da singoli cristalli 4H- o 6H-SiC utilizzando un processo di crescita ottimizzato di trasporto fisico del vapore (PVT) combinato con ricottura a livello di compensazione profondaIl risultato è un wafer con:

• Resistenza ultra elevata: ≥1×1012 Ω·cm, per sopprimere le correnti di perdita nei dispositivi di commutazione ad alta tensione

• Largo intervallo di banda (~ 3,2 eV): Mantiene prestazioni elettriche superiori in condizioni di alta temperatura, campo di forza e radiazioni elevate

• Conducibilità termica eccezionale: > 4,9 W/cm·K, per la rapida rimozione del calore nei moduli ad alta potenza

• Straordinaria resistenza meccanica: Durezza di Mohs di 9,0 (secondo solo al diamante), bassa espansione termica ed eccellente stabilità chimica

• Superficie atomicamente liscia: Ra < 0,4 nm con densità di difetto < 1/cm2, ideale per l'epitaxia MOCVD/HVPE e la fabbricazione di micro-nano

Dimensioni disponibili:50, 75, 100, 150, 200 mm (2′′ ′′ 8′′); diametri personalizzati fino a 250 mm su richiesta.
Intervallo di spessore:200 ‰ 1000 μm con tolleranza di ± 5 μm.

Principi di fabbricazione e flusso di processo diWafer SiC semisolatrici

Preparazione di polvere di SiC ad alta purezza

• Materiale di partenza: polvere di SiC di grado 6N ′ purificata mediante sublimazione al vuoto in più fasi e trattamento termico per ridurre i contaminanti metallici (Fe, Cr, Ni < 10 ppb) ed eliminare le inclusioni policristalline.

Crescita monocristallina PVT modificata

• Ambiente:10−3?? 10−2 Torr quasi vuoto

• Temperatura:Crogiolo di grafite riscaldato a ~2 500 °C; gradiente termico controllato ΔT ≈ 10?? 20 °C/cm

• Progettazione del flusso di gas e del crogiolo:Separatori di grafite poroso e geometria del crogiolo su misura assicurano una distribuzione uniforme del vapore e inibiscono la nucleazione indesiderata

• Alimentazione e rotazione dinamiche:La ricostituzione periodica della polvere di SiC e la rotazione della barra cristallina producono basse densità di dislocazione (< 3 000 cm−2) e un orientamento 4H/6H costante

- Sì.

Compensamento a livello profondo

• Acciaio ad idrogeno:600-1 400 °C in atmosfera H2 per diverse ore per attivare le trappole a livello profondo e compensare i vettori intrinseci

• N/Al Co-doping (facoltativo):Incorporazione precisa di dopanti Al (accettore) e N (donatore) durante la crescita o la CVD post-crescita per creare coppie donatore-accettore stabili, determinando picchi di resistività

- Sì.

Taglio di precisione e laminazione in più fasi

• Fabbricazione a partire da materiali di cui all'allegato 1 del presente regolamentoTaglia le wafer allo spessore di 200 ‰ 1 000 μm con strato minimamente danneggiato; tolleranza dello spessore ± 5 μm

• Lappaggio da grossolano a fine:Utilizzo sequenziale di abrasivi a base di diamanti per rimuovere i danni della sega e preparare la lucidatura

Polizione chimica meccanica (CMP)

• Mezzi di lucidatura:Imballaggio di nanoossido (SiO2 o CeO2) in una sospensione alcalina lieve

• Controllo dei processi:I parametri di lucidatura a basso stress offrono una rugosità RMS di 0,2 ‰ 0,4 nm ed eliminano i micro graffi

- Sì.

Pulizia finale e imballaggio di classe 100

• Pulizia ad ultrasuoni in più fasi:Solvente organico → trattamenti acido/base → risciacquo con acqua deionizzata, tutti eseguiti in una stanza pulita di classe 100

• Asciugatura e sigillamento:Asciugatura per depurazione con azoto, sigillata in sacchetti protettivi pieni di azoto e collocata in scatole esterne antistatiche e ammortizzanti le vibrazioni

Specificità delWafer SiC semisolatrici

Principali aree di applicazione diWafer SiC semisolatrici

• elettronica ad alta potenza

  • I MOSFET SiC, i diodi Schottky, gli inverter ad alta tensione e i moduli di alimentazione EV a ricarica rapida sfruttano il campo di bassa resistenza e di alta rottura del SiC.

• Radiofrequenze e sistemi a microonde

  • Gli amplificatori di potenza della stazione base 5G/6G, i moduli radar a onde millimetriche e i front-end di comunicazione satellitare richiedono prestazioni ad alta frequenza e durezza delle radiazioni del SiC.

• Optoelettronica e fotonica

  • I LED UV, i diodi laser blu e i fotodettori a banda larga beneficiano di un substrato atomicamente liscio e privo di difetti per un'epitaxia uniforme.

• Sensore dell'ambiente estremo

  • I sensori di pressione/temperatura ad alta temperatura, gli elementi di monitoraggio delle turbine a gas e i rivelatori di grado nucleare sfruttano la stabilità del SiC· al di sopra di 600 °C e sotto elevato flusso di radiazioni.

• Aerospaziale e Difesa

  • L'elettronica di potenza satellitare, i radar portati dai missili e i sistemi avionici richiedono la robustezza del SiC ̊ nel vuoto, nei cicli di temperatura e negli ambienti ad alta G.

• Ricerca avanzata e soluzioni personalizzate

  • Substrati di isolamento per il calcolo quantistico, ottiche a microcavità e forme di finestre su misura (sferiche, a V-groove, poligonali) per la ricerca e lo sviluppo all'avanguardia.

Domande frequenti (FAQ) diWafer SiC semisolatrici

1. Perche' scegliere il SiC semi-isolatore sul SiC conduttivo?
   Il SiC semi-isolatore presenta una resistenza ultra elevata attraverso la compensazione a livello profondo, riducendo notevolmente le correnti di perdita nei dispositivi ad alta tensione e ad alta frequenza.considerando che il SiC conduttore è adatto per applicazioni di canali MOSFET a bassa tensione o di potenza;.

2. Questi cioccolatini possono andare direttamente nella crescita epitaxiale?
   Offriamo wafer semi-isolatori "epi-ready" ottimizzati per MOCVD, HVPE o MBE, con trattamento superficiale e controllo difetti per garantire un'eccellente qualità dello strato epitaxiale.

3. Come si garantisce la pulizia dei wafer?
   Un processo di stanza pulita di Classe 100, ultrasuoni e pulizia chimica in più passaggi, più imballaggi sigillati con azoto assicurano praticamente zero particelle, residui organici o micro graffi.

4. Qual è il tempo di consegna tipico e l'ordine minimo?
   Gli ordini di produzione (MOQ = 5 wafer) vengono consegnati in 4 ‰ 6 settimane, a seconda delle dimensioni e delle caratteristiche personalizzate.

5. Offrite forme o substrati personalizzati?
   Si', oltre ai normali wafer circolari, fabbrichiamo finestre piane, parti a V, lenti sferiche e altre geometrie su misura.

Su di noi

ZMSH è specializzata nello sviluppo, nella produzione e nella vendita di vetri ottici speciali e nuovi materiali cristallini.Offriamo componenti ottici Sapphire, coperture per lenti per cellulari, ceramiche, LT, silicone carburo SIC, quarzo, e wafer cristallini semiconduttori.,La società mira ad essere un'impresa leader nell'alta tecnologia dei materiali optoelettronici.