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Wafer Epitassiale SiC – Substrati SiC 4H/6H Spessore Personalizzato Doping
Dettagli:
| Luogo di origine: | Cina |
| Marca: | ZMSH |
| Numero di modello: | 4 pollici |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 10 |
|---|---|
| Prezzo: | 5 USD |
| Imballaggi particolari: | cartoni personalizzati |
| Tempi di consegna: | 4-8 settimane |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | dal caso |
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Informazioni dettagliate |
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| Grade: | Zero MPD Grade,Production Grade,Research Grade,Dummy Grade | Resistivity 4H-N: | 0.015~0.028 Ω•cm |
|---|---|---|---|
| Resistivity 4/6H-SI: | ≥1E7 Ω·cm | Primary Flat: | {10-10}±5.0° or round shape |
| TTV/Bow /Warp: | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | Roughness: | Polish Ra≤1 nm / CMP Ra≤0.5 nm |
Descrizione di prodotto
Visualizzazione della Wafer epitaxiale SiC
Le Wafer epitexiali SiC da 4 pollici (100 mm) continuano a svolgere un ruolo fondamentale nel mercato dei semiconduttori.servire come piattaforma altamente matura e affidabile per i produttori di elettronica di potenza e dispositivi RF in tutto il mondoLa dimensione del wafer 4 ′′ offre un eccellente equilibrio tra prestazioni, disponibilità ed efficienza economica, rendendolo la scelta principale del settore per la produzione di volumi da medio a elevati.
I wafer epitaxiali SiC sono costituiti da uno strato sottile e controllato con precisione di carburo di silicio depositato su un substrato monocristallino di SiC di alta qualità.eccellente qualità cristallinaCon un ampio intervallo di banda (3,2 eV), un elevato campo elettrico critico (~ 3 MV/cm) e un'elevata conduttività termica,4 ̊ i Wafer epitaxiali SiC consentono dispositivi che superano il silicio in alta tensione, applicazioni ad alta frequenza e ad alta temperatura.
Molte industrie, dai veicoli elettrici all'energia solare e agli azionamenti industriali, continuano a fare affidamento su wafer epitaxiali 4 ̊ SiC per la produzione di elettronica di potenza efficiente, robusta e compatta.
Principio di produzione
La produzione di wafer epitaxiali a 4 ̊ SiC comporta un processo altamente controllato.Deposizione chimica a vapore (CVD)processo:
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Preparazione del substrato
I substrati di alta purezza 4 ̊ 4H-SiC o 6H-SiC sono sottoposti a una lucidatura chimica meccanica avanzata (CMP) per creare superfici atomicamente lisce, riducendo al minimo i difetti durante la crescita epitaxiale. -
Crescita dello strato epitaxiale
Nei reattori CVD, a temperature elevate (~1600~1700 °C) vengono introdotti gas come il silano (SiH4) e il propano (C3H8).formando un nuovo strato di SiC cristallino. -
Doping controllato
I dopanti come l'azoto (tipo n) o l'alluminio (tipo p) vengono accuratamente introdotti per regolare le proprietà elettriche come la resistività e la concentrazione del vettore. -
Monitoraggio di precisione
Il monitoraggio in tempo reale garantisce un controllo rigoroso dell'uniformità dello spessore e dei profili di doping su tutta la wafer 4 ̊. -
Controllo della qualità post-elaborazione
I wafer finiti sono sottoposti a test rigorosi:-
Microscopia della forza atomica (AFM) per la rugosità superficiale
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Spettroscopia di Raman per stress e difetti
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Diffrazione a raggi X (XRD) per la qualità cristallografica
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Fotoluminescenza per la mappatura dei difetti
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Misurazioni di curvatura/arco
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Specificità
| 4 pollici di diametro Carburo di silicio (SiC) Specifica del substrato | |||||||||
| Grado | Grado zero di MPD | Grado di produzione | Grado di ricerca | Grado per finti | |||||
| Diametro | 100. mm±0,5 mm | ||||||||
| Spessore | 350 μm±25 μm o 500±25 μm O altri spessori personalizzati | ||||||||
| Orientazione dei wafer | Al di fuori dell'asse: 4,0° verso <1120> ±0,5° per 4H-N/4H-SI Sul asse: <0001> ±0,5° per 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | ||||||||
| Densità di micropipe | ≤ 0 cm-2 | ≤ 1 cm-2 | ≤ 5 cm-2 | ≤ 10 cm-2 | |||||
| Resistenza | 4H-N | 0.0150.028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 00,02 - 0,1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | ||||||||
| Piano primario | {10-10} ± 5,0° | ||||||||
| Lunghezza piatta primaria | 18.5 mm±2.0 mm | ||||||||
| Lunghezza piatta secondaria | 100,0 mm±2,0 mm | ||||||||
| Orientazione piatta secondaria | Silicone verso l'alto: 90° CW. da Prime flat ±5,0° | ||||||||
| Esclusione dei bordi | 1 mm | ||||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤ 10 μm /≤ 10 μm /≤ 15 μm | ||||||||
| Roverezza | Ra≤1 nm polacco | ||||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | |||||||||
| Rotture da luce ad alta intensità | Nessuna | 1 consentito, ≤ 2 mm | Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm | ||||||
| Piastre esessuali per luce ad alta intensità | Superficie cumulata ≤ 1% | Superficie cumulata ≤ 1% | Superficie cumulata ≤ 3% | ||||||
| Aree di politipo per luce ad alta intensità | Nessuna | Superficie cumulata ≤ 2% | Superficie cumulata ≤ 5% | ||||||
| Rischi di luce ad alta intensità | 3 graffi a 1 × lunghezza cumulativa del diametro del wafer | 5 graffi a 1 × lunghezza cumulativa del diametro del wafer | 5 graffi a 1 × lunghezza cumulativa del diametro del wafer | ||||||
| chip di bordo | Nessuna | 3 consentiti, ≤ 0,5 mm ciascuno | 5 consentiti, ≤ 1 mm ciascuno | ||||||
Applicazioni
4 i Wafer epitaxiali SiC consentono la produzione in serie di dispositivi di alimentazione affidabili in settori quali:
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Veicoli elettrici
Invertitori di trazione, caricabatterie di bordo e convertitori DC/DC. -
Energia rinnovabile
Invertitori a fili solari, convertitori di energia eolica. -
Motori industriali
Motori efficienti, servosistemi. -
Infrastrutture 5G / RF
Amplificatori di potenza e interruttori RF. -
Elettronica di consumo
Fornitori di alimentazione compatti e ad alta efficienza.
Domande frequenti (FAQ)
1Perche' scegliere le wafer epitaxiali al SiC invece del silicio?
Il SiC offre una maggiore tolleranza alla tensione e alla temperatura, consentendo dispositivi più piccoli, più veloci e più efficienti.
2Qual è il politipo di SiC più comune?
Il 4H-SiC è la scelta preferita per la maggior parte delle applicazioni ad alta potenza e RF a causa del suo ampio intervallo di banda e della sua elevata mobilità elettronica.
3Il profilo di doping può essere personalizzato?
Sì, il livello di doping, lo spessore e la resistività possono essere completamente adattati alle esigenze di applicazione.
4- Tipo di tempo di consegna?
Il tempo di consegna standard è di 4-8 settimane, a seconda delle dimensioni dei wafer e del volume dell'ordine.
5Quali controlli di qualità vengono effettuati?
Test completi, inclusi AFM, XRD, mappatura dei difetti, analisi della concentrazione del vettore.
6Questi wafer sono compatibili con le attrezzature di fabbricazione in silicio?
Per lo più sì; sono necessari piccoli aggiustamenti a causa della diversa durezza del materiale e delle sue proprietà termiche.
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