Oggetti di legno
Dettagli:
Place of Origin: | China |
Marca: | ZMSH |
Model Number: | Quartz Wafer |
Termini di pagamento e spedizione:
Minimum Order Quantity: | 25 |
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Prezzo: | 20USD |
Packaging Details: | custom cartons |
Delivery Time: | 2-4 weeks |
Payment Terms: | T/T |
Supply Ability: | By case |
Informazioni dettagliate |
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Diameter (inch): | 3/4/6/8/12 | Internal Transmittance: | >99.9% |
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Refractive Index: | 1.474698 | Total Transmittance: | >92% |
TTV: | <3 | Flatness: | <15 |
Descrizione di prodotto
Introduzione del wafer di quarzo
I wafer di quarzo sono fatti di biossido di silicio cristallino (SiO2).
I wafer di quarzo presentano eccellenti caratteristiche quali elevata resistenza termica, trasmissione della luce superiore a lunghezze d'onda specifiche, inertità chimica e basso coefficiente di espansione termica.Queste caratteristiche le rendono molto adatte per applicazioni che richiedono stabilità a temperature estreme, resistenza alle sostanze chimiche dure e trasparenza in intervalli spettrali specifici.
In settori quali la produzione di semiconduttori, l'ottica e i MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems),i wafer al quarzo sono ampiamente utilizzati a causa della loro capacità di resistere ad alte temperature senza deformazione o degradazioneSono utilizzati come substrati per la deposizione di film sottili, l'incisione di microstrutture o la fabbricazione di componenti di precisione che richiedono un'elevata precisione dimensionale e stabilità termica.
Principio di produzionedi una larghezza di 0,01 mm o più
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Crescita cristallina
Le boule di quarzo sono coltivate utilizzando cristalli di semi naturali o sintetici attraverso metodi idrotermici o di fusione a fiamma (Verneuil). -
Taglio di lingotti
I lingotti cilindrici vengono tagliati in wafer utilizzando seghe di filo di diamante, garantendo l'uniformità dello spessore e una perdita minima di taglio. -
Lappatura e lucidatura
I wafer vengono lappati, incisi e poi lucidati per ottenere una finitura liscia come uno specchio con bassa rugosità superficiale (Ra < 1 nm per i wafer di grado ottico). -
Pulizia e ispezione
La pulizia ad ultrasuoni o RCA rimuove le particelle e i contaminanti metallici.
Specificativi delle wafer al quarzo
Tipo di quarzo | 4 | 6 | 8 | 12 |
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Dimensione | ||||
Diametro (pollici) | 4 | 6 | 8 | 12 |
Spessore (mm) | 0.05 ¢2 | 0.25 ¢ 5 | 0.3·5 | 0.4·5 |
Tolleranza di diametro (pollici) | ± 0.1 | ± 0.1 | ± 0.1 | ± 0.1 |
Tolleranza di spessore (mm) | Personalizzabile | Personalizzabile | Personalizzabile | Personalizzabile |
Proprietà ottiche | ||||
Indice di rifrazione @365 nm | 1.474698 | 1.474698 | 1.474698 | 1.474698 |
Indice di rifrazione @ 546,1 nm | 1.460243 | 1.460243 | 1.460243 | 1.460243 |
Indice di rifrazione @1014 nm | 1.450423 | 1.450423 | 1.450423 | 1.450423 |
Trasmittanza interna (1250-1650 nm) | > 99,9% | > 99,9% | > 99,9% | > 99,9% |
Trasmittanza totale (1250 ∼ 1650 nm) | > 92% | > 92% | > 92% | > 92% |
Qualità di lavorazione | ||||
TTV (variazione totale dello spessore, μm) | (3) | (3) | (3) | (3) |
Piattazza (μm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
Roverezza superficiale (nm) | ≤ 1 | ≤ 1 | ≤ 1 | ≤ 1 |
Arco (μm) | < 5 | < 5 | < 5 | < 5 |
Proprietà fisiche | ||||
Densità (g/cm3) | 2.20 | 2.20 | 2.20 | 2.20 |
Modulo di Young (GPa) | 74.20 | 74.20 | 74.20 | 74.20 |
Durezza di Mohs | 6 ¢7 | 6 ¢7 | 6 ¢7 | 6 ¢7 |
Modulo di taglio (GPa) | 31.22 | 31.22 | 31.22 | 31.22 |
Rapporto di Poisson | 0.17 | 0.17 | 0.17 | 0.17 |
Resistenza alla compressione (GPa) | 1.13 | 1.13 | 1.13 | 1.13 |
Resistenza alla trazione (MPa) | 49 | 49 | 49 | 49 |
Costante dielettrica (1 MHz) | 3.75 | 3.75 | 3.75 | 3.75 |
Proprietà termiche | ||||
Punto di deformazione (1014,5 Pa·s) | 1000°C | 1000°C | 1000°C | 1000°C |
Punto di ricottura (1013 Pa·s) | 1160°C | 1160°C | 1160°C | 1160°C |
Punto di ammorbidimento (107,6 Pa·s) | 1620°C | 1620°C | 1620°C | 1620°C |