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Oggetti di legno

Oggetti di legno

Dettagli:

Place of Origin: China
Marca: ZMSH
Model Number: Quartz Wafer

Termini di pagamento e spedizione:

Minimum Order Quantity: 25
Prezzo: 20USD
Packaging Details: custom cartons
Delivery Time: 2-4 weeks
Payment Terms: T/T
Supply Ability: By case
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Diameter (inch): 3/4/6/8/12 Internal Transmittance: >99.9%
Refractive Index: 1.474698 Total Transmittance: >92%
TTV: <3 Flatness: <15

Descrizione di prodotto

 

Introduzione del wafer di quarzo

I wafer di quarzo sono fatti di biossido di silicio cristallino (SiO2).

I wafer di quarzo presentano eccellenti caratteristiche quali elevata resistenza termica, trasmissione della luce superiore a lunghezze d'onda specifiche, inertità chimica e basso coefficiente di espansione termica.Queste caratteristiche le rendono molto adatte per applicazioni che richiedono stabilità a temperature estreme, resistenza alle sostanze chimiche dure e trasparenza in intervalli spettrali specifici.

In settori quali la produzione di semiconduttori, l'ottica e i MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems),i wafer al quarzo sono ampiamente utilizzati a causa della loro capacità di resistere ad alte temperature senza deformazione o degradazioneSono utilizzati come substrati per la deposizione di film sottili, l'incisione di microstrutture o la fabbricazione di componenti di precisione che richiedono un'elevata precisione dimensionale e stabilità termica.

 

 

Principio di produzionedi una larghezza di 0,01 mm o più

  1. Crescita cristallina
    Le boule di quarzo sono coltivate utilizzando cristalli di semi naturali o sintetici attraverso metodi idrotermici o di fusione a fiamma (Verneuil).

  2. Taglio di lingotti
    I lingotti cilindrici vengono tagliati in wafer utilizzando seghe di filo di diamante, garantendo l'uniformità dello spessore e una perdita minima di taglio.

  3. Lappatura e lucidatura
    I wafer vengono lappati, incisi e poi lucidati per ottenere una finitura liscia come uno specchio con bassa rugosità superficiale (Ra < 1 nm per i wafer di grado ottico).

  4. Pulizia e ispezione
    La pulizia ad ultrasuoni o RCA rimuove le particelle e i contaminanti metallici.

Specificativi delle wafer al quarzo

Tipo di quarzo 4 6 8 12
Dimensione        
Diametro (pollici) 4 6 8 12
Spessore (mm) 0.05 ¢2 0.25 ¢ 5 0.3·5 0.4·5
Tolleranza di diametro (pollici) ± 0.1 ± 0.1 ± 0.1 ± 0.1
Tolleranza di spessore (mm) Personalizzabile Personalizzabile Personalizzabile Personalizzabile
Proprietà ottiche        
Indice di rifrazione @365 nm 1.474698 1.474698 1.474698 1.474698
Indice di rifrazione @ 546,1 nm 1.460243 1.460243 1.460243 1.460243
Indice di rifrazione @1014 nm 1.450423 1.450423 1.450423 1.450423
Trasmittanza interna (1250-1650 nm) > 99,9% > 99,9% > 99,9% > 99,9%
Trasmittanza totale (1250 ∼ 1650 nm) > 92% > 92% > 92% > 92%
Qualità di lavorazione        
TTV (variazione totale dello spessore, μm) (3) (3) (3) (3)
Piattazza (μm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
Roverezza superficiale (nm) ≤ 1 ≤ 1 ≤ 1 ≤ 1
Arco (μm) < 5 < 5 < 5 < 5
Proprietà fisiche        
Densità (g/cm3) 2.20 2.20 2.20 2.20
Modulo di Young (GPa) 74.20 74.20 74.20 74.20
Durezza di Mohs 6 ¢7 6 ¢7 6 ¢7 6 ¢7
Modulo di taglio (GPa) 31.22 31.22 31.22 31.22
Rapporto di Poisson 0.17 0.17 0.17 0.17
Resistenza alla compressione (GPa) 1.13 1.13 1.13 1.13
Resistenza alla trazione (MPa) 49 49 49 49
Costante dielettrica (1 MHz) 3.75 3.75 3.75 3.75
Proprietà termiche        
Punto di deformazione (1014,5 Pa·s) 1000°C 1000°C 1000°C 1000°C
Punto di ricottura (1013 Pa·s) 1160°C 1160°C 1160°C 1160°C
Punto di ammorbidimento (107,6 Pa·s) 1620°C 1620°C 1620°C 1620°C

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