Fabbricazione a vuoto a base di SiC solido ¢ piastra portante ultrapiatta per la lavorazione di onde sottili

Introduzione della manopola a vuoto SiC

Il volano a vuoto per wafer in ceramica ultrapiatta è realizzato con un rivestimento in carburo di silicio (SiC) di alta purezza, progettato per processi avanzati di movimentazione dei wafer.Ottimizzato per l'uso in MOCVD e apparecchiature di crescita di semiconduttori composti, offre un'eccellente resistenza al calore e alla corrosione, garantendo una stabilità eccezionale in ambienti di lavorazione estremi.Ciò contribuisce a migliorare la gestione del rendimento e l'affidabilità nella fabbricazione di wafer a semiconduttori.

La sua configurazione a basso contatto superficiale aiuta a ridurre al minimo la contaminazione da particelle posteriori, rendendola ideale per applicazioni di wafer altamente sensibili in cui pulizia e precisione sono fondamentali.

Questa soluzione combina elevate prestazioni con un'efficienza dei costi, supportando ambienti produttivi esigenti con prestazioni affidabili e durature.

Principio di funzionamentoDiSiC aspirapelle

In processi ad alta temperatura, la piastra portante di SiC funge da supporto per il trasporto di wafer o materiali a film sottile.migliorare la stabilità e l'uniformità dei processiInoltre, grazie alla sua durezza e alla sua inertà chimica, la piastra mantiene l'integrità strutturale anche in ambienti corrosivi, garantendo la purezza del prodotto e la sicurezza delle attrezzature.

Parametri della manopola a vuoto per wafer

Caratteristiche del Wafer Vacuum Chuck

● Capacità ultrapiatta

● Vernice per specchi

● Peso eccezionalmente leggero

● Alta rigidità

● bassa espansione termica

● diametro Φ 300 mm e superiore

● Estrema resistenza all'usura

Applicazioni del manicotto a vuoto poroso a SiC

Nell'industria dei semiconduttori e dell'optoelettronica, i wafer ultra-sottili sono spesso posizionati su scatole a vuoto di carburo di silicio poroso (SiC).la pressione negativa viene applicata per tenere saldamente il wafer in posizione senza pinze meccanicheCiò consente un'elaborazione precisa e stabile durante le seguenti fasi:

• Montaggio a cera

• Sottilizzare il lato posteriore (mollare o sfilare)

• Devaccatura

• Pulizia

• Taglio / segatura

L'utilizzo di un cilindro a vuoto SiC poroso di alta purezza garantisce un'eccellente stabilità termica e chimica in tutti questi processi, riducendo al minimo la contaminazione e mantenendo la piattezza del wafer.La sua elevata resistenza meccanica e la sua conduttività termica riducono anche il rischio di rottura dei wafer durante la lavorazione, soprattutto per substrati fragili o ultra-sottili come GaAs, InP o SiC.

Domande frequenti (FAQ)

Q1: Qual è lo scopo principale di un tubo a vuoto SiC poroso?
A:È usato perTenere saldamente le cialde sottili o fragilidurante le fasi critiche di lavorazione quali il montaggio della cera, l'assottigliamento, la pulizia e il taglio.L'aspirazione a vuoto attraverso il materiale SiC poroso fornisce un tenuta uniforme e stabile senza danneggiare la superficie del wafer.

D2: Quali materiali possono essere trattati con un cilindro a vuoto a SiC?
A:Supporta una vasta gamma di materiali semiconduttori, tra cui:

• Silicio (Si)

• Arsenuro di gallio (GaAs)

• Fosfuro indio (InP)

• Carburo di silicio (SiC)

• Sapphire
  Questi sono tipicamenteOfrelle sottili o fragiliche richiedono una gestione stabile durante l'elaborazione back-end.

D3: Qual è il vantaggio dell'uso di SiC poroso rispetto a barattoli metallici o ceramici?
A:Il SiC poroso offre diversi vantaggi:

• Execcellente conduttività termica impedisce l'accumulo di calore durante la lavorazione

• Alta resistenza meccanica- riduce al minimo il rischio di deformazione

• Inerzia chimica- compatibile con prodotti chimici di pulizia aggressivi

• Generazione di particelle a basso contenuto adatto agli ambienti delle stanze pulite

• Distribuzione del vuoto stabileL'aspirazione è uniforme su tutta la superficie del wafer.

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