• Wafer SiC da 12 pollici Wafer Carburo di silicio da 300 mm Wafer Conduttiva Dummy Grade N-Type Research grade
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Wafer SiC da 12 pollici Wafer Carburo di silicio da 300 mm Wafer Conduttiva Dummy Grade N-Type Research grade

Wafer SiC da 12 pollici Wafer Carburo di silicio da 300 mm Wafer Conduttiva Dummy Grade N-Type Research grade

Dettagli:

Luogo di origine: Cina
Marca: ZMSH
Numero di modello: Sapphire Wafer

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 25
Tempi di consegna: 4-6 settimane
Termini di pagamento: T/T
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Materiale: Wafer del carburo di silicio Spessore: 3mm (l'altro spessore giusto)
Superficie: DSP TTV: <15um
Inchinati.: <20um Warp.: <30um
Dia: 12 pollici 300 mm
Evidenziare:

Wafer SiC da 12 pollici

,

Del grado wafer fittizio conduttivo sic

Descrizione di prodotto

Wafer SiC da 12 pollici, wafer di carburo di silicio da 300 mm, grado conduttivo Dummy, tipo N, grado di ricerca

 

Abstract

 

Il carburo di silicio (SiC), in quanto materiale semiconduttore a banda larga di terza generazione, offre proprietà superiori come l'elevata resistenza alla rottura (>30 MV/cm), l'eccellente conducibilità termica (>1.500 W/m·K) e l'elevata mobilità degli elettroni. Questi attributi rendono il SiC fondamentale per applicazioni avanzate nel 5G, nei veicoli elettrici (EV) e nelle energie rinnovabili. Mentre l'industria si sposta verso la produzione di massa, l'adozione di wafer SiC da 12 pollici (noti anche come wafer SiC da 300 mm) gioca un ruolo cruciale nell'aumentare la produzione e ridurre i costi. La transizione a wafer SiC di grande diametro non solo supporta rese più elevate dei dispositivi e prestazioni migliorate, ma consente anche una riduzione annuale dei costi del 15%-20% (dati Yole), accelerando la commercializzazione di soluzioni basate su SiC.

 

Vantaggi chiave:

  • Efficienza energetica del wafer SiC da 12 pollici: i dispositivi basati su SiC riducono il consumo di energia di ​**fino al 70%**​ rispetto al silicio in applicazioni ad alta tensione/corrente.
  • ​Wafer SiC da 12 pollici Gestione termica: funziona stabilmente a ​**200°C+**​ in ambienti automobilistici e aerospaziali.
  • ​Wafer SiC da 12 pollici ​Integrazione del sistema: consente fattori di forma ​più piccoli del 50%-80%​ per i moduli di alimentazione, liberando spazio per componenti aggiuntivi.

 


 

Introduzione all'azienda

 

La nostra azienda, ZMSH, è un attore di spicco nel settore dei semiconduttori da oltre un decennio, vantando un team di esperti di fabbrica e personale di vendita. Siamo specializzati nella fornitura di soluzioni personalizzate per wafer di zaffiro e wafer SiC, inclusi wafer SiC da 12 pollici e wafer SiC da 300 mm, per soddisfare le diverse esigenze dei clienti in tutti i settori high-tech. Che si tratti di progetti su misura o di servizi OEM, ZMSH è attrezzata per fornire prodotti wafer SiC di alta qualità con prezzi competitivi e prestazioni affidabili. Ci impegniamo a garantire la soddisfazione del cliente in ogni fase e vi invitiamo a contattarci per maggiori informazioni o per discutere le vostre esigenze specifiche.

 


 

Parametri tecnici del wafer di silicio

 

 

Parametro Specifica
Polimorfo
4H SiC
Tipo di conduttività
N
Diametro
300,00 ± 0,5 mm
Spessore
700 ± 50 µm
Asse di orientamento della superficie del cristallo
4,0° verso <11-20> ± 0,5°
Profondità della tacca
1~1,25 mm
Orientamento della tacca
<1-100> ± 5°
Faccia Si
CMP lucidata
Faccia C
CMP lucidata

 

 

 


 

Applicazioni dei wafer SiC

 

1. Veicoli elettrici
I dispositivi di alimentazione basati su SiC da 12 pollici rivoluzionano la progettazione dei veicoli elettrici affrontando ​le principali limitazioni del silicio:

  • Maggiore efficienza: consente autonomie più lunghe e ricarica più rapida in condizioni estreme (ad esempio, architetture a 800 V).
  • Stabilità termica: funziona in modo affidabile in ambienti difficili (ad esempio, sistemi di gestione del calore della batteria).
  • Ottimizzazione dello spazio: riduce le dimensioni dei componenti fino al 50%, liberando spazio per sensori avanzati e sistemi di sicurezza.

2. Energie rinnovabili
La tecnologia SiC da 300 mm accelera l'adozione di ​energia solare ed eolica:

  • Inverter solari: migliora l'efficienza dell'integrazione nella rete, riducendo la perdita di energia durante la conversione di potenza.
  • Turbine eoliche: supporta densità di potenza più elevate nei sistemi offshore, riducendo i costi di installazione per watt.

3. 5G e telecomunicazioni
Il SiC da 300 mm affronta le sfide critiche nella ​distribuzione della rete 5G:

  • FUNZIONAMENTO ad alta frequenza: consente la trasmissione dati ultraveloce (ad esempio, bande mmWave) con una perdita di segnale minima.
  • Efficienza energetica: riduce il consumo di energia nelle stazioni base fino al 40%, in linea con gli obiettivi di sostenibilità degli operatori di telecomunicazioni.

4. Elettronica industriale e di consumo
Il SiC guida l'innovazione in diversi settori:

  • Automazione industriale: alimenta motori e inverter ad alta tensione nelle fabbriche, migliorando la produttività e il riutilizzo dell'energia.
  • Dispositivi di consumo: consente caricabatterie e adattatori di alimentazione compatti e ad alte prestazioni per laptop e smartphone.

 

 


 

Visualizzazione del prodotto - ZMSH

 

Wafer SiC da 12 pollici Wafer Carburo di silicio da 300 mm Wafer Conduttiva Dummy Grade N-Type Research grade 0    Wafer SiC da 12 pollici Wafer Carburo di silicio da 300 mm Wafer Conduttiva Dummy Grade N-Type Research grade 1

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Wafer SiC FAQ

 

Q: Come si confronta il SiC da 12 pollici con il silicio in termini di affidabilità a lungo termine?​

A: La stabilità alle alte temperature​ e la resistenza alle radiazioni​ del SiC da 12 pollici lo rendono più durevole in ambienti difficili (ad esempio, veicoli elettrici, aerospaziale). Supportiamo i clienti con la certificazione ​AEC-Q101​ e i test di invecchiamento accelerato​ per garantire la conformità a rigorosi standard di affidabilità. Q:

 

Quali sono le principali sfide nell'adozione della tecnologia SiC oggi?​A:

 Sì! I dispositivi SiC utilizzano ​imballaggi compatibili​ (ad esempio, TO-247) e configurazioni dei pin, consentendo aggiornamenti senza interruzioni. Tuttavia, sono necessari ​progetti di pilotaggio del gate ottimizzati​ per sfruttare appieno i vantaggi dell'alta frequenza del SiC. Q: Il SiC può integrarsi con i sistemi esistenti basati sul silicio?​

 

A:

 Sì! I dispositivi SiC utilizzano ​imballaggi compatibili​ (ad esempio, TO-247) e configurazioni dei pin, consentendo aggiornamenti senza interruzioni. Tuttavia, sono necessari ​progetti di pilotaggio del gate ottimizzati​ per sfruttare appieno i vantaggi dell'alta frequenza del SiC.

Vuoi conoscere maggiori dettagli su questo prodotto
Sono interessato a Wafer SiC da 12 pollici Wafer Carburo di silicio da 300 mm Wafer Conduttiva Dummy Grade N-Type Research grade potresti inviarmi maggiori dettagli come tipo, dimensione, quantità, materiale, ecc.
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