Marchio: | ZMSH |
Numero di modello: | Sapphire Wafer |
MOQ: | 25 |
Condizioni di pagamento: | T/T |
Abstract
Il carburo di silicio (SiC), in quanto materiale semiconduttore a banda larga di terza generazione, offre proprietà superiori come l'elevata resistenza alla rottura (>30 MV/cm), l'eccellente conducibilità termica (>1.500 W/m·K) e l'elevata mobilità degli elettroni. Questi attributi rendono il SiC fondamentale per applicazioni avanzate nel 5G, nei veicoli elettrici (EV) e nelle energie rinnovabili. Mentre l'industria si sposta verso la produzione di massa, l'adozione di wafer SiC da 12 pollici (noti anche come wafer SiC da 300 mm) gioca un ruolo cruciale nell'aumentare la produzione e ridurre i costi. La transizione a wafer SiC di grande diametro non solo supporta rese più elevate dei dispositivi e prestazioni migliorate, ma consente anche una riduzione annuale dei costi del 15%-20% (dati Yole), accelerando la commercializzazione di soluzioni basate su SiC.
Vantaggi chiave:
La nostra azienda, ZMSH, è un attore di spicco nel settore dei semiconduttori da oltre un decennio, vantando un team di esperti di fabbrica e personale di vendita. Siamo specializzati nella fornitura di soluzioni personalizzate per wafer di zaffiro e wafer SiC, inclusi wafer SiC da 12 pollici e wafer SiC da 300 mm, per soddisfare le diverse esigenze dei clienti in tutti i settori high-tech. Che si tratti di progetti su misura o di servizi OEM, ZMSH è attrezzata per fornire prodotti wafer SiC di alta qualità con prezzi competitivi e prestazioni affidabili. Ci impegniamo a garantire la soddisfazione del cliente in ogni fase e vi invitiamo a contattarci per maggiori informazioni o per discutere le vostre esigenze specifiche.
Parametri tecnici del wafer di silicio
Parametro | Specifica |
---|---|
Polimorfo
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4H SiC |
Tipo di conduttività
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N |
Diametro
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300,00 ± 0,5 mm
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Spessore |
700 ± 50 µm
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Asse di orientamento della superficie del cristallo
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4,0° verso <11-20> ± 0,5°
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Profondità della tacca
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1~1,25 mm
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Orientamento della tacca
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<1-100> ± 5°
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Faccia Si
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CMP lucidata
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Faccia C
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CMP lucidata
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Applicazioni dei wafer SiC
1. Veicoli elettrici
I dispositivi di alimentazione basati su SiC da 12 pollici rivoluzionano la progettazione dei veicoli elettrici affrontando le principali limitazioni del silicio:
2. Energie rinnovabili
La tecnologia SiC da 300 mm accelera l'adozione di energia solare ed eolica:
3. 5G e telecomunicazioni
Il SiC da 300 mm affronta le sfide critiche nella distribuzione della rete 5G:
4. Elettronica industriale e di consumo
Il SiC guida l'innovazione in diversi settori:
Visualizzazione del prodotto - ZMSH
Q: Come si confronta il SiC da 12 pollici con il silicio in termini di affidabilità a lungo termine?
A: La stabilità alle alte temperature e la resistenza alle radiazioni del SiC da 12 pollici lo rendono più durevole in ambienti difficili (ad esempio, veicoli elettrici, aerospaziale). Supportiamo i clienti con la certificazione AEC-Q101 e i test di invecchiamento accelerato per garantire la conformità a rigorosi standard di affidabilità. Q:
Quali sono le principali sfide nell'adozione della tecnologia SiC oggi?A:
Sì! I dispositivi SiC utilizzano imballaggi compatibili (ad esempio, TO-247) e configurazioni dei pin, consentendo aggiornamenti senza interruzioni. Tuttavia, sono necessari progetti di pilotaggio del gate ottimizzati per sfruttare appieno i vantaggi dell'alta frequenza del SiC. Q: Il SiC può integrarsi con i sistemi esistenti basati sul silicio?
A:
Sì! I dispositivi SiC utilizzano imballaggi compatibili (ad esempio, TO-247) e configurazioni dei pin, consentendo aggiornamenti senza interruzioni. Tuttavia, sono necessari progetti di pilotaggio del gate ottimizzati per sfruttare appieno i vantaggi dell'alta frequenza del SiC.