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Forno di crescita a singolo cristallo di SiC per cristalli da 6 e 8 pollici con metodi PVT, Lely, TSSG
Dettagli:
| Luogo di origine: | CINESE |
| Marca: | ZMSH |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Tempi di consegna: | 6 - 8 falene |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 5set/month |
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Informazioni dettagliate |
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| Heating Method: | Graphite Resistance Heating | Potenza di ingresso: | 3 fasi, 5 fili AC 380V ± 10% 50Hz~60Hz |
|---|---|---|---|
| Temperatura massima di riscaldamento: | 2300°C | Potenza di riscaldamento nominale: | 80kW |
| Intervallo di potenza del riscaldatore: | 35 kW ~ 40 kW | Consumo energetico per ciclo: | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h |
| Crystal Growth Cycle: | 5D ~ 7D | Dimensione principale della macchina: | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (lunghezza x larghezza x altezza) |
| Evidenziare: | Forno per la crescita di ingotti di SiC da 8 pollici,Forno per la crescita di ingotti in SiC da 6 pollici,Forno di crescita di ingotti in SiC PVT |
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Descrizione di prodotto
Forno di crescita di ingotti SiC ad alta efficienza per cristalli da 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici utilizzando metodi PVT, Lely e TSSG
Riassunto del forno per la crescita di lingotti di SiC
Il forno per la crescita di ingotti SiC utilizza il riscaldamento a resistenza al grafite per una crescita efficiente dei cristalli di carburo di silicio.Il forno consuma da 3500 a 4500 kW/h per ciclo, con durate di crescita cristallina che variano da 5 a 7 giorni.Funzionamento in ambiente vuoto con gas argonico e azoto, questo forno garantisce la produzione di lingotti di SiC di alta qualità con prestazioni costanti e prestazioni affidabili.
La foto del forno per la crescita di ingotti di SiC
Il nostro Forno di Crescita di Ingotti SiC è di tipo cristallino speciale
Il SiC ha oltre 250 strutture cristalline, ma solo il tipo 4HC può essere utilizzato per i dispositivi di alimentazione SiC.ZMSH ha aiutato con successo i clienti a coltivare questo tipo specifico di cristallo più volte usando il proprio forno.
Il nostro forno per la crescita di ingotti SiC è progettato per la crescita di cristalli di carburo di silicio (SiC) ad alta efficienza, in grado di elaborare wafer SiC da 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici.Utilizzando tecniche avanzate come il PVT (Physical Vapor Transport), Lely, TSSG (Temperature Gradient Method) e LPE (Liquid Phase Epitaxy), il nostro forno supporta alti tassi di crescita garantendo al contempo una qualità cristallina ottimale.
Il forno è progettato per far crescere varie strutture cristalline di SiC, tra cui il 4H conduttivo, il 4H semisolatore e altri tipi di cristalli, come il 6H, il 2H e il 3C.Queste strutture sono cruciali per la produzione di dispositivi di potenza SiC e semiconduttori, che sono essenziali per applicazioni in elettronica di potenza, sistemi ad alta efficienza energetica e dispositivi ad alta tensione.
Il nostro forno SiC garantisce un preciso controllo della temperatura e condizioni uniformi di crescita dei cristalli, consentendo la produzione di lingotti e wafer SiC di alta qualità per applicazioni avanzate nei semiconduttori.
Il vantaggio del nostro forno per la crescita di ingotti SiC
1- Disegno di campo termico unico
I gradienti di temperatura assiale e radiale possono essere controllati con precisione, con un profilo di temperatura liscio e uniforme.massimizzare l'utilizzo dello spessore del cristallo.
Miglioramento dell'efficienza delle materie prime: il campo termico è distribuito uniformemente in tutto il sistema, garantendo una temperatura più costante all'interno della materia prima.Questo aumenta significativamente l' utilizzo della polvere, riducendo gli sprechi di materiali.
L'indipendenza tra le temperature assiale e radiale consente un controllo di alta precisione di entrambi i gradienti, che è fondamentale per affrontare lo stress cristallino e ridurre al minimo la densità di lussazione.
2.Alta precisione di controllo
Il forno per la crescita di lingotti SiC è stato progettato meticolosamente per produrre cristalli di SiC di alta qualità, essenziali per una vasta gamma di applicazioni di semiconduttori, come l'elettronica di potenza,optoelettronicaIl SiC è un materiale critico nella fabbricazione di componenti che richiedono eccellente conduttività termica, prestazioni elettriche e durata lunga.Il nostro forno dispone di sistemi di controllo avanzati progettati per mantenere prestazioni costanti e qualità cristallina superiore durante tutto il processo di crescita.
Il forno di crescita a lingotti SiC offre una precisione eccezionale, con una precisione di alimentazione dello 0,0005%, una precisione di controllo del flusso di gas di ± 0,05 L/h, una precisione di regolazione della temperatura di ± 0,5 °C,e stabilità della pressione di camera di ±10 PaQuesti parametri finemente regolati garantiscono un ambiente stabile e omogeneo per la crescita dei cristalli, che è fondamentale per la produzione di lingotti e wafer SiC di alta purezza con difetti minimi.
I componenti chiave del Forno di Crescita per Ingotti SiC, inclusa la Valvola Proporzionale, la Pompa Meccanica, la Camera di Vaso, il Misuratore di Flusso di Gas e la Pompa Molecolare,funzionano insieme senza soluzione di continuità per fornire un funzionamento affidabileQueste caratteristiche consentono al forno di produrre cristalli di SiC che soddisfano le rigide richieste dell'industria dei semiconduttori.
La tecnologia ZMSH® incorpora tecniche di crescita cristallina all'avanguardia, garantendo la massima qualità nella produzione di cristalli SiC.La nostra attrezzatura è ottimizzata per servire industrie come l'elettronica di potenza, le energie rinnovabili e le tecnologie avanzate, che favoriscono il progresso nelle soluzioni efficienti dal punto di vista energetico e nelle innovazioni sostenibili.
3. Operazione automatizzata
ARisposta utomatologica:Monitoraggio del segnale, feedback del segnale
- Sì.Alarme automatico:Avvertimento di eccesso di limite, sicurezza dinamica
Controllo automatico:Monitoraggio e memorizzazione in tempo reale dei parametri di produzione, accesso remoto e controllo.
Prompt attivo:Sistema esperto, interazione uomo-macchina
Il forno SiC di ZMSH integra un'automazione avanzata per un'efficienza operativa ottimale.e controllo dei parametri in tempo reale con capacità di monitoraggio remotoIl sistema fornisce inoltre notifiche proattive per l'assistenza di esperti e consente un'interazione agevole tra l'operatore e la macchina.
Queste caratteristiche riducono al minimo l'intervento umano, migliorano il controllo dei processi e garantiscono la produzione costante di lingotti di SiC di alta qualità, promuovendo l'efficienza nelle operazioni di produzione su larga scala.
Il nostro foglio di dati della fornace di crescita di ingotti SiC
| Fornace di 6 pollici | Fornace di 8 pollici | ||
| Progetto | Parametro | Progetto | Parametro |
| Metodo di riscaldamento | Riscaldamento a resistenza al grafite | Metodo di riscaldamento | Riscaldamento a resistenza al grafite |
| Potenza di ingresso | 3 fasi, 5 fili AC 380V ± 10% 50Hz~60Hz | Potenza di ingresso | 3 fasi, 5 fili AC 380V ± 10% 50Hz~60Hz |
| Temperatura massima di riscaldamento | 2300°C | Temperatura massima di riscaldamento | 2300°C |
| Potenza di riscaldamento nominale | 80 kW | Potenza di riscaldamento nominale | 80 kW |
| Intervallo di potenza del riscaldatore | 35 kW ~ 40 kW | Intervallo di potenza del riscaldatore | 35 kW ~ 40 kW |
| Consumo energetico per ciclo | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h | Consumo energetico per ciclo | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h |
| Ciclo di crescita dei cristalli | 5D ~ 7D | Ciclo di crescita dei cristalli | 5D ~ 7D |
| Dimensione della macchina principale | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (lunghezza x larghezza x altezza) | Dimensione della macchina principale | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (lunghezza x larghezza x altezza) |
| Peso principale della macchina | ≈ 2000 kg | Peso principale della macchina | ≈ 2000 kg |
| Flusso dell'acqua di raffreddamento | 6 m3/h | Flusso dell'acqua di raffreddamento | 6 m3/h |
| Vaso limite del forno a freddo | 5 × 10−4 Pa | Vaso limite del forno a freddo | 5 × 10−4 Pa |
| Atmosfera del forno | Argon (5N), azoto (5N) | Atmosfera del forno | Argon (5N), azoto (5N) |
| Materie prime | Particelle di carburo di silicio | Materie prime | Particelle di carburo di silicio |
| Tipo di cristallo del prodotto | 4H | Tipo di cristallo del prodotto | 4H |
| Spessore dei cristalli del prodotto | 18 mm ~ 30 mm | Spessore dei cristalli del prodotto | ≥ 15 mm |
| Diametro effettivo del cristallo | ≥ 150 mm | Diametro effettivo del cristallo | ≥ 200 mm |
Il nostro servizio
Soluzioni su misura
Forniamo soluzioni personalizzate per forni a carburo di silicio (SiC), comprese le tecnologie PVT, Lely e TSSG/LPE, su misura per soddisfare le vostre esigenze specifiche.Ci assicuriamo che i nostri sistemi si allineano con i vostri obiettivi di produzione.
Formazione dei clienti
Offriamo una formazione completa per garantire che il tuo team capisca pienamente come operare e mantenere i nostri forni.
Installazione in loco e messa in servizio
Il nostro team installa e mette in servizio personalmente i forni a SiC nella vostra sede, assicurando una regolare installazione e conducendo un accurato processo di verifica per garantire che il sistema sia pienamente operativo.
Supporto post-vendita
Il nostro team è pronto ad assistere con le riparazioni in loco e la risoluzione dei problemi per ridurre al minimo i tempi di fermo e mantenere il funzionamento delle apparecchiature senza intoppi.
Siamo impegnati ad offrire forni di alta qualità e supporto continuo per garantire il vostro successo nella crescita dei cristalli di SiC.