Forno SiC Forno SiC Ingot 4 pollici 6 pollici 8 pollici PVT Lely TSSG Metodo LPE Alta velocità di crescita

Forno SiC Forno SiC Ingot 4 pollici 6 pollici 8 pollici,PVT Lely TSSG metodo LPE Alta velocità di crescita

SiC Ingot Growth Furnace's riassunto

Il forno per la crescita di ingotti SiC è progettato per una crescita efficiente dei cristalli di carburo di silicio utilizzando il riscaldamento a resistenza al grafite.Funzionano con una temperatura massima di riscaldamento di 2300°C e una potenza nominale di 80 kWIl forno consuma energia compresa tra 3500 kW/h e 4500 kW/h per ciclo, con un ciclo di crescita dei cristalli che va da 5D a 7D.e ha un flusso di acqua di raffreddamento di 6 m3/hIl forno opera in ambiente vuoto con argon e azoto come gas atmosferici, garantendo una produzione di lingotti di alta qualità.

SiC Ingot Growth Furnace's foto

Il nostro forno per la crescita di ingotti SiC è di tipo cristallino speciale

Il SiC ha oltre 250 strutture cristalline, ma solo il tipo 4HC può essere utilizzato per i dispositivi di alimentazione SiC.ZMSH ha aiutato con successo i clienti a coltivare questo tipo specifico di cristallo più volte usando il proprio forno.

Il nostro forno per la crescita di ingotti SiC è progettato per la crescita di cristalli di carburo di silicio (SiC) ad alta efficienza, in grado di elaborare wafer SiC da 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici.Utilizzando tecniche avanzate come il PVT (Physical Vapor Transport), Lely, TSSG (Temperature Gradient Method) e LPE (Liquid Phase Epitaxy), il nostro forno supporta alti tassi di crescita garantendo al contempo una qualità cristallina ottimale.

Il forno è progettato per far crescere varie strutture cristalline di SiC, tra cui il 4H conduttivo, il 4H semisolatore e altri tipi di cristalli, come il 6H, il 2H e il 3C.Queste strutture sono cruciali per la produzione di dispositivi di potenza SiC e semiconduttori, che sono essenziali per applicazioni in elettronica di potenza, sistemi ad alta efficienza energetica e dispositivi ad alta tensione.

Il nostro forno SiC garantisce un preciso controllo della temperatura e condizioni uniformi di crescita dei cristalli, consentendo la produzione di lingotti e wafer SiC di alta qualità per applicazioni avanzate nei semiconduttori.

Il nostroIngotti di SiCIl vantaggio di Growth Furnace

1-Disegno unico del campo termico

• Il gradiente di temperatura assiale è controllabile, il gradiente di temperatura radiale è regolabile e il profilo di temperatura è liscio, con conseguente interfaccia di crescita cristallina quasi piana,aumentando così lo spessore di utilizzo del cristallo.

• Riduzione del consumo di materie prime: il campo termico interno è distribuito in modo uniforme, garantendo una distribuzione della temperatura più uniforme all'interno della materia prima;miglioramento significativo dell'utilizzo delle polveri e riduzione dei rifiuti.

• Non esiste un forte accoppiamento tra le temperature assiale e radiale, consentendo un controllo di alta precisione dei gradienti di temperatura sia assiale che radiale.Questa è la chiave per risolvere lo stress cristallino e ridurre la densità di dislocazione del cristallo.

2- Alta precisione di controllo

Il forno per la crescita di ingotti SiC è specificamente progettato per produrre cristalli di carburo di silicio (SiC) di alta qualità, che sono cruciali per le applicazioni dei semiconduttori, compresa l'elettronica di potenza,optoelettronicaIl SiC è un materiale vitale nella produzione di componenti che richiedono elevata conduttività termica, efficienza elettrica e durata.Il nostro forno è dotato di sistemi di controllo avanzati per garantire una costante, prestazioni ottimali e qualità cristallina.

L'apparecchiatura offre una precisione eccezionale, con una precisione di alimentazione dello 0,0005%, una precisione del flusso di gas di ±0,05 L/h, una precisione di controllo della temperatura di ±0,5°C,e precisione di controllo della pressione di camera di ±10 PaQuesti parametri precisi creano un ambiente di crescita cristallino stabile e uniforme, essenziale per la produzione di lingotti e wafer SiC di alta purezza con difetti minimi.

I componenti chiave del sistema, quali la valvola proporzionale, la pompa meccanica, la camera a vuoto, il misuratore di flusso di gas e la pompa molecolare, funzionano in tandem per garantire prestazioni affidabili.migliorare l'utilizzo dei materialiQuesti elementi contribuiscono alla capacità del forno di produrre cristalli di SiC di alta qualità che soddisfano gli elevati standard dell'industria dei semiconduttori.

La tecnologia ZMSH® integra gli ultimi progressi nei processi di crescita dei cristalli, garantendo i più alti standard di produzione di cristalli SiC.Con la crescente domanda di componenti a base di SiC ad alte prestazioni, le nostre attrezzature sono progettate per supportare industrie come l'elettronica di potenza, l'energia rinnovabile e lo sviluppo di tecnologie avanzate,promuovere innovazioni in soluzioni efficienti dal punto di vista energetico e applicazioni sostenibili.

3- Funzionamento automatizzato

Risposta automaticaMonitoraggio del segnale, feedback del segnale

Alarme automaticheAvvertimento di eccesso di limite, sicurezza dinamica

Controllo automaticoMonitoraggio e memorizzazione in tempo reale dei parametri di produzione, accesso remoto e controllo.

Prompt attivoSistema esperto, interazione uomo-macchina

Il forno SiC di ZMSH è dotato di un'automazione avanzata per un funzionamento efficiente.risposta automaticacon monitoraggio del segnale e feedback,allarmi automaticiper le condizioni di superamento del limite, econtrollo automaticoPer il monitoraggio dei parametri in tempo reale con accesso remoto.richieste attiveper il supporto di esperti e l'interazione senza soluzione di continuità tra uomo e macchina.

Queste caratteristiche riducono la dipendenza umana, migliorano il controllo dei processi e garantiscono una produzione di lingotti di SiC di alta qualità, supportando l'efficienza della produzione su larga scala.

Il nostro foglio di dati sul Forno di Crescita di Ingotti SiC

Il nostro servizio

Soluzioni su misura

Forniamo soluzioni personalizzate per forni a carburo di silicio (SiC), comprese le tecnologie PVT, Lely e TSSG/LPE, su misura per soddisfare le vostre esigenze specifiche.Ci assicuriamo che i nostri sistemi si allineano con i vostri obiettivi di produzione.

Formazione dei clienti

Offriamo una formazione completa per garantire che il tuo team capisca pienamente come operare e mantenere i nostri forni.

Installazione in loco e messa in servizio

Il nostro team installa e mette in servizio personalmente i forni a SiC nella vostra sede, assicurando una regolare installazione e conducendo un accurato processo di verifica per garantire che il sistema sia pienamente operativo.

Supporto post-vendita

Il nostro team è pronto ad assistere con le riparazioni in loco e la risoluzione dei problemi per ridurre al minimo i tempi di fermo e mantenere il funzionamento delle apparecchiature senza intoppi.

Siamo impegnati ad offrire forni di alta qualità e supporto continuo per garantire il vostro successo nella crescita dei cristalli di SiC.