3C-N tipo Wafer di carburo di silicio 2 pollici 4 pollici 6 pollici O 5 * 5 10 * 10 mm Dimensione di produzione di grado di ricerca

Wafer in carburo di silicio tipo 3C-N da 2 pollici 4 pollici 6 pollici o dimensioni 5 * 5 e 10 * 10 mm, grado di produzione Grado di ricerca

Descrizione dei wafer in carburo di silicio tipo 3C-N

Wafer di carburo di silicio (SiC) di tipo 3C-Nsono una variazione specifica dei wafer SiC che utilizzano il politipo cubico 3C. Conosciuti per le loro eccezionali proprietà termiche, elettriche e meccaniche, questi wafer sono progettati per soddisfare i severi requisiti delle tecnologie avanzate nei settori dell'elettronica, dell'optoelettronica e dei dispositivi di potenza.

ILPolitipo 3Cpresenta una struttura cristallina cubica, che offre numerosi vantaggi rispetto ai politipi esagonali come 4H-SiC e 6H-SiC. Uno dei principali vantaggi del 3C-SiC è il suomaggiore mobilità degli elettroni, che lo rende ideale per applicazioni ad alta frequenza e elettronica di potenza in cui la commutazione rapida e la bassa perdita di energia sono fondamentali. Inoltre, i wafer SiC 3C-N hanno abanda proibita inferiore(circa 2,36 eV), che consente comunque loro di gestire in modo efficiente potenza e tensione elevate.

Questi wafer sono disponibili in dimensioni standard come5x5 mmE10x10 mm, con aspessore di 350 μm ± 25 μm, garantendo una compatibilità precisa per vari processi di fabbricazione dei dispositivi. Sono adatti per l'uso inad alta potenzaEdispositivi ad alta frequenza, come MOSFET, diodi Schottky e altri componenti a semiconduttore, che offrono prestazioni affidabili in condizioni estreme.

ILconduttività termicadi wafer SiC 3C-N consente un'efficiente dissipazione del calore, una caratteristica cruciale per i dispositivi che funzionano a densità di potenza elevate. Inoltre, la loro robustezza meccanica e la resistenza agli stress termici e chimici li rendono durevoli in ambienti difficili, migliorandone ulteriormente la loro applicazioneelettronica di potenza,Tecnologie AR, Esensori ad alta temperatura.

In sintesi, i wafer SiC di tipo 3C-N combinano caratteristiche elettroniche, termiche e meccaniche superiori, rendendoli essenziali per i dispositivi elettronici di prossima generazione e le applicazioni ad alte prestazioni.

Foto dei wafer in carburo di silicio tipo 3C-N

Proprietà dei wafer in carburo di silicio tipo 3C-N

Struttura cristallina:

Struttura del politipo cubico (3C), che offre una maggiore mobilità degli elettroni rispetto ai politipi SiC esagonali come 4H-SiC e 6H-SiC, rendendolo adatto per applicazioni ad alta frequenza.

Opzioni di dimensione:

Disponibile nelle dimensioni 5x5mm e 10x10mm, offrendo flessibilità per varie applicazioni.

Spessore:

Spessore controllato con precisione di 350 μm ± 25 μm, che garantisce stabilità meccanica e compatibilità con un'ampia gamma di processi di fabbricazione.

Elevata mobilità elettronica:

La struttura cristallina cubica determina un migliore trasporto degli elettroni, rendendola vantaggiosa per applicazioni ad alta velocità e a bassa perdita di energia nell'elettronica di potenza e nei dispositivi RF.

Conducibilità termica:

L'eccellente conduttività termica consente un'efficiente dissipazione del calore, fondamentale per i dispositivi che funzionano a densità di potenza elevate, aiutando a prevenire il surriscaldamento e aumentando la longevità del dispositivo.

Banda proibita:

Un gap di banda inferiore di circa 2,36 eV, adatto per applicazioni ad alta tensione e alta potenza pur mantenendo un funzionamento efficiente in ambienti estremi.

Resistenza meccanica:

I wafer SiC 3C-N presentano un'elevata durabilità meccanica, offrendo resistenza all'usura e alla deformazione, garantendo affidabilità a lungo termine in condizioni difficili.

Trasparenza ottica:

Buone proprietà ottiche, in particolare per applicazioni optoelettroniche come LED e fotorilevatori, grazie alla sua trasparenza a determinate lunghezze d'onda.

Stabilità chimica e termica:

Altamente resistente allo stress termico e chimico, che lo rende adatto all'uso in ambienti estremi come componenti elettronici e sensori ad alta temperatura.

Queste proprietà rendono i wafer SiC 3C-N ideali per un'ampia gamma di applicazioni avanzate, tra cui elettronica di potenza, dispositivi ad alta frequenza, optoelettronica e sensori.

Grafico dei dati dei wafer in carburo di silicio tipo 3C-N

晶格领域 2 英寸 SiC 晶foto产品标准

2 diametro in pollici SilicioSubstrato di carburo (SiC). Specifica

Note:

※I limiti dei difetti si applicano all'intera superficie del wafer, ad eccezione dell'area di esclusione dei bordi. # I graffi devono essere controllati solo sulla faccia Si.

Applicazioni dei wafer in carburo di silicio tipo 3C-N

Applicazioni di wafer in carburo di silicio (SiC) di tipo 3C-N nell'industria dei semiconduttori e della microelettronica

I wafer in carburo di silicio di tipo 3C-N svolgono un ruolo cruciale nei settori dei semiconduttori e della microelettronica, offrendo proprietà uniche che migliorano le prestazioni e l'efficienza di vari dispositivi.

Elettronica di potenza:

Nell'elettronica di potenza, i wafer SiC 3C-N sono ampiamente utilizzati in dispositivi ad alta potenza comeMOSFET,Diodi Schottky, Etransistor di potenza. La loro elevata conduttività termica e mobilità degli elettroni consente a questi dispositivi di funzionare in modo efficiente a tensioni e temperature elevate riducendo al minimo le perdite di energia. Ciò rende il 3C-N SiC ideale per l'uso insistemi di conversione della potenza,veicoli elettrici (EV), Esistemi di energia rinnovabile, dove la gestione efficiente dell’energia è fondamentale.

Dispositivi ad alta frequenza:

L'eccellente mobilità degli elettroni dei wafer SiC 3C-N li rende adatti aradiofrequenza (RF)Eapplicazioni a microonde, ad esempioamplificatori,oscillatori, Efiltri. Questi wafer consentono ai dispositivi di funzionare a frequenze più elevate con una minore perdita di segnale, migliorando le prestazioni dei sistemi di comunicazione wireless, della tecnologia satellitare e dei sistemi radar.

Elettronica per alte temperature:

I wafer SiC 3C-N vengono utilizzati anche in dispositivi a semiconduttore che operano in ambienti estremi, come ad esempiosensori ad alta temperaturaEattuatori. La resistenza meccanica, la stabilità chimica e la resistenza termica del materiale consentono a questi dispositivi di funzionare in modo affidabile in settori come quello aerospaziale, automobilistico e petrolifero e del gas, dove i dispositivi devono resistere a condizioni operative difficili.

Sistemi microelettromeccanici (MEMS):

Nell'industria microelettronica vengono utilizzati wafer SiC 3C-NDispositivi MEMS, che richiedono materiali con elevata resistenza meccanica e stabilità termica. Questi dispositivi includonosensori di pressione,accelerometri, Egiroscopi, che beneficiano della durabilità e delle prestazioni del SiC a temperature e stress meccanici variabili.

Optoelettronica:

Vengono utilizzati anche wafer SiC 3C-NLED,fotorilevatorie altri dispositivi optoelettronici grazie alla loro trasparenza ottica e alla capacità di gestire l'elevata potenza, fornendo efficienti capacità di emissione di luce e rilevamento.

In sintesi, i wafer SiC di tipo 3C-N sono essenziali nei settori dei semiconduttori e della microelettronica, in particolare nelle applicazioni che richiedono prestazioni elevate, durata ed efficienza in condizioni estreme.