Wafer in carburo di silicio 3C-N Tipo 5*5 10*10mm Pollice Diametro Spessore 350 μm±25 μm

Wafer in carburo di silicio di tipo 3C-N di 5*5 e 10*10 mm di diametro, spessore 350 μm±25 μm

Abstract di tipo 3C-N di wafer al carburo di silicio

Il presente riassunto presenta i wafer di tipo 3C-N a carburo di silicio (SiC), disponibili in dimensioni 5x5 mm e 10x10 mm con uno spessore di 350 μm ± 25 μm.Questi wafer sono progettati per soddisfare le esigenze precise di applicazioni ad alte prestazioni in optoelettronica, elettronica di potenza e tecnologie AR. Con la loro conduttività termica superiore, resistenza meccanica e proprietà elettriche, i wafer SiC 3C-N offrono una maggiore durata e dissipazione del calore,rendendoli ideali per dispositivi che richiedono un'elevata stabilità termica e una gestione efficiente dell'energiaLe dimensioni e lo spessore specificati garantiscono la compatibilità in una vasta gamma di applicazioni industriali e di ricerca avanzate.

Vitrine di tipo 3C-N per wafer al carburo di silicio

Proprietà e grafico dei dati dei wafer al carburo di silicio di tipo 3C-N

Tipo di materiale: Carburo di silicio 3C-N (SiC)

Questa forma cristallina offre eccellenti proprietà meccaniche e termiche, adatte ad applicazioni ad alte prestazioni.

Dimensione:

Disponibile in due dimensioni standard: 5x5mm e 10x10mm.

Spessore:

Spessore: 350 μm ± 25 μm

Lo spessore controllato con precisione garantisce la stabilità meccanica e la compatibilità con i vari requisiti del dispositivo.

Conduttività termica:

Il SiC presenta una conduttività termica superiore, consentendo un'efficiente dissipazione del calore, rendendolo ideale per applicazioni che richiedono una gestione termica, come gli occhiali AR e l'elettronica di potenza.

Forza meccanica:

Il SiC ha un'elevata durezza e resistenza meccanica, fornendo durata e resistenza all'usura e alla deformazione, essenziali per ambienti impegnativi.

Proprietà elettriche:

I wafer SiC hanno un'elevata tensione di rottura elettrica e una bassa espansione termica, che sono cruciali per dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza.

Chiarezza ottica:

Il SiC ha un'eccellente trasparenza in determinate lunghezze d'onda ottiche, rendendolo adatto per l'uso nelle tecnologie optoelettroniche e AR.

Alta stabilità:

La resistenza del SiC allo stress termico e chimico garantisce un'affidabilità a lungo termine in condizioni difficili.

Queste proprietà rendono i wafer di tipo SiC 3C-N altamente versatili per l'uso in dispositivi elettronici e optoelettronici avanzati, nonché tecnologie AR di prossima generazione.

5*5 & 10*10mm Ingresso SiC 晶片产品标准

5*5 & 10*10 mm centimetro diametro Silicon Carburo (SiC)

Nota:

※I limiti di difetto si applicano a tutta la superficie del wafer, ad eccezione della zona di esclusione dei bordi.

Applicazioni dei wafer al carburo di silicio di tipo 3C-N

I wafer in carburo di silicio (SiC), in particolare di tipo 3C-N, sono una variante di SiC che possiede caratteristiche uniche a causa della sua struttura cristallina cubica (3C-SiC).Questi wafer sono utilizzati principalmente in varie applicazioni ad alte prestazioni e specializzate a causa delle loro eccellenti proprietàAlcune applicazioni chiave dei wafer SiC di tipo 3C-N includono:

1.Elettronica di potenza

• Dispositivi ad alta tensione: i Wafer SiC sono ideali per la fabbricazione di dispositivi di alimentazione quali MOSFET, diodi Schottky e IGBT.come i veicoli elettrici, veicoli elettrici ibridi (HEV) e sistemi di energia rinnovabile (come gli inverter solari).
• Conversione efficiente della potenza: Il SiC consente una maggiore efficienza e una riduzione delle perdite di energia nei sistemi di conversione di potenza, come i convertitori DC-DC e i motori motori.

2.Dispositivi ad alta frequenza

• Applicazioni RF: il 3C-SiC è adatto alle applicazioni a RF e a microonde, compresi i sistemi radar, le comunicazioni satellitari e la tecnologia 5G, a causa della sua elevata mobilità elettronica.
• Amplificatori ad alta frequenza: I dispositivi che operano nella gamma di frequenze GHz beneficiano della bassa dissipazione di potenza e dell'elevata stabilità termica del 3C-SiC.

3.Sensori per elevate temperature e ambienti difficili

• Sensori di temperatura: Le onde SiC possono essere utilizzate in dispositivi per ambienti a temperatura estrema, come i processi aerospaziali, automobilistici e industriali.
• Sensori di pressione: 3C-SiC è utilizzato nei sensori di pressione che devono operare in ambienti estremi come esplorazione in acque profonde o camere ad alto vuoto.
• Sensori chimici: 3C-N SiC è chimicamente inerte, rendendolo utile nei sensori di gas o chimici per il monitoraggio in ambienti corrosivi.

4.LED e optoelettronica

• LED blu e UV: L'ampia banda di 3C-SiC lo rende ideale per la fabbricazione di diodi emettitori di luce blu e ultravioletta (LED), utilizzati nelle tecnologie di visualizzazione, nella memorizzazione dei dati (Blu-ray) e nei processi di sterilizzazione.
• Dispositivi per il controllo delle emissioni: Le onde SiC possono essere utilizzate nei fotodettori ultravioletti (UV) per varie applicazioni, tra cui il rilevamento delle fiamme, il monitoraggio ambientale e l'astronomia.

5.Informatica quantistica e ricerca

• Dispositivi quantistici: Il 3C-SiC è esplorato nel calcolo quantistico per lo sviluppo di spintronica e altri dispositivi basati su quanti a causa delle sue proprietà di difetto uniche che consentono lo stoccaggio e l'elaborazione di informazioni quantistiche.
• Ricerca dei materiali: Poiché il 3C-SiC è un politipo di SiC relativamente meno comune, viene utilizzato nella ricerca per esplorare i suoi potenziali vantaggi rispetto ad altri tipi di SiC (come il 4H-SiC o il 6H-SiC).

6.Aerospaziale e difesa

• Elettronica per ambienti difficili: I dispositivi SiC sono fondamentali nell'industria aerospaziale e della difesa per applicazioni quali moduli di alimentazione, sistemi radar e comunicazioni satellitari, dove condizioni estreme e affidabilità sono fondamentali.
• Elettronica robusta: La capacità del SiC di resistere ad alti livelli di radiazioni lo rende ideale per l'uso nelle missioni spaziali e nell'hardware militare.

In sintesi, i wafer SiC di tipo 3C-N sono utilizzati principalmente in elettronica di potenza, dispositivi ad alta frequenza, sensori per ambienti difficili, optoelettronica, dispositivi quantistici e applicazioni aerospaziali,dove le loro proprietà uniche come la banda larga, stabilità termica e elevata mobilità elettronica offrono vantaggi significativi rispetto ai materiali tradizionali a base di silicio.

Domande e risposte

Cos'e' il carburo di silicio 3C?

Carburo di silicio 3C (3C-SiC)è uno dei politipi di carburo di silicio, caratterizzato dalla sua struttura cristallina cubica, che lo distingue dalle forme esagonali più comuni come 4H-SiC e 6H-SiC.Il reticolo cubico di 3C-SiC offre diversi notevoli vantaggi.

In primo luogo, le mostre di 3C-SiCmaggiore mobilità elettronica, il che lo rende vantaggioso per dispositivi elettronici ad alta frequenza e di potenza, specialmente nelle applicazioni che richiedono una commutazione rapida.bandgapè inferiore (circa 2,36 eV) rispetto ad altri politipi di SiC, ha comunque buone prestazioni in ambienti ad alta tensione e alta potenza.

Inoltre, il 3C-SiC mantiene laelevata conduttività termica- eresistenza meccanicaIl carburo di silicio ha una caratteristica molto particolare, che gli consente di operare in condizioni estreme, come ad esempio in ambienti ad alta temperatura e ad elevato stress.trasparenza ottica, che lo rende adatto per applicazioni optoelettroniche come LED e fotodetettori.

Di conseguenza, il 3C-SiC è ampiamente utilizzato inelettronica di potenza,dispositivi ad alta frequenza,optoelettronica, esensori, in particolare in scenari ad alta temperatura e ad alta frequenza, dove le sue proprietà uniche offrono vantaggi significativi.