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Wafer 3C-N SiC 4 pollici Carburo di silicio Prime Grade Dummy Grade Alta mobilità elettronica RF LED
Dettagli:
| Place of Origin: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Model Number: | Silicon Carbide |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Delivery Time: | 2 weeks |
| Payment Terms: | 100%T/T |
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Informazioni dettagliate |
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| Esclusione del bordo: | ≤ 50 mm | Materiale: | Carburo di silicio |
|---|---|---|---|
| Arco/filo di ordito: | ≤ 50 mm | Roverezza della superficie: | ≤1.2nm |
| Piatto: | Lambda/10 | Grado: | Manichino di ricerca di produzione |
| orientamento: | Su asse/Fuori asse | Particella: | Particella libera/bassa |
| Evidenziare: | Wafer in carburo di silicio di primaria qualità,wafer del carburo di silicio 4inch,Wafer a carburo di silicio a LED a RF |
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Descrizione di prodotto
Wafer 3C-N SiC 4 pollici Carburo di silicio Prime Grade Dummy Grade Alta mobilità elettronica RF LED
Descrizione del Wafer 3C-N SiC:
Possiamo offrire Wafer in Carburo di Silicio 3C-N da 4 pollici con Substrati SiC di tipo N.Ha una struttura cristallina di carburo di silicio in cui gli atomi di silicio e carbonio sono disposti in un reticolo cubo con una struttura simile a quella del diamanteIl 3C-SiC ha diverse proprietà superiori rispetto al 4H-SiC ampiamente utilizzato, come una maggiore mobilità elettronica e velocità di saturazione.e più facile da fabbricare rispetto al wafer 4H-SiC attualmente diffusoÈ particolarmente adatto per dispositivi elettronici di potenza.
Il carattere della wafer 3C-N SiC:
1- Large Bandgap.
Alta tensione di rottura: i wafer 3C-N SiC hanno un ampio intervallo di banda (~ 3,0 eV), consentendo un funzionamento ad alta tensione e rendendoli adatti per l'elettronica di potenza.
2. Alta conduttività termica
Efficiente dissipazione del calore: con una conducibilità termica di circa 3,0 W/cm·K, questi wafer possono dissipare efficacemente il calore, consentendo ai dispositivi di funzionare a livelli di potenza più elevati senza surriscaldamento.
3Alta mobilità elettronica
Performance migliorata: l'elevata mobilità elettronica (~ 1000 cm2/V·s) porta a velocità di commutazione più rapide, rendendo il 3C-N SiC ideale per applicazioni ad alta frequenza.
4. Resistenza meccanica
Durabilità: i wafer 3C-N SiC presentano eccellenti proprietà meccaniche, compresa l'elevata durezza e resistenza all'usura, il che migliora la loro affidabilità in varie applicazioni.
5Stabilità chimica
Resistenza alla corrosione: il materiale è chimicamente stabile e resistente all'ossidazione, rendendolo adatto per ambienti difficili.
6. Correnti a bassa perdita
Efficienza: la bassa corrente di perdita nei dispositivi fabbricati con wafer SiC 3C-N contribuisce a migliorare l'efficienza nell'elettronica di potenza.
Forma di Wafer 3C-N SiC:
| Grado | Grado di produzione | Grado per finti |
| Diametro | 100 mm +/- 0,5 mm | |
| Spessore | 350 mm +/- 25 mm | |
| Politipo | 3C | |
| Densità di micropipe (MPD) | 5 cm-2 | 30 cm-2 |
| Resistenza elettrica | 0.0005~0.001 Ohm.cm | 0.001~0.0015 Ohm.cm |
Confronto delle proprietà del SiC:
| Immobili | 4H-SiC singolo cristallo | 3C-SiC singolo cristallo |
| Parametri del reticolo (Å) |
a=3.076 c=10.053 |
a=4.36 |
| Sequenza di impilazione | ABCB | ABC |
| Densità (g/cm3) | 3.21 | 3.166 |
| Durezza di Mohs | - 9.2 | - 9.2 |
| Coefficiente di espansione termica (CTE) (/K) | 4-5 x 10-6 | 2.5-3.5 x10-6 |
| Costante dielettrica | c ~ 9.66 | c ~ 9.72 |
| Tipo di doping | di tipo N o semi-isolatore o di tipo P | Tipo N |
| Distanza di banda (eV) | 3.23 | 2.4 |
| Velocità di deriva di saturazione (m/s) | 2.0 x 105 | 2.5 x 105 |
| Dimensioni del wafer e del substrato | Wafer: 2, 4 pollici; substrati più piccoli: 10x10, 20x20 mm, altre dimensioni sono disponibili e possono essere realizzate su richiesta | |
Fotografia fisica del Wafer 3C-N SiC:
Applicazioni del Wafer SiC 3C-N:
1. elettronica di potenza
Dispositivi ad alta potenza: utilizzati in MOSFET e IGBT di potenza a causa della loro elevata tensione di rottura e conducibilità termica.
Dispositivi di commutazione: ideali per applicazioni che richiedono un'elevata efficienza, come convertitori e inverter CC-CC.
2. Radiofrequenze e apparecchi a microonde
Transistor ad alta frequenza: utilizzati negli amplificatori RF e nei dispositivi a microonde, beneficiando di un'elevata mobilità elettronica.
Radar e sistemi di comunicazione: impiegati nelle comunicazioni satellitari e nella tecnologia radar per migliorare le prestazioni.
3. Tecnologia LED
LED blu e ultravioletti: il 3C-SiC può essere utilizzato nella produzione di diodi emettitori di luce, in particolare per applicazioni di luce blu e UV.
4. Applicazioni ad alta temperatura
Sensori: adatti a sensori ad alta temperatura utilizzati in applicazioni automobilistiche e industriali.
Aerospaziale: utilizzato in componenti che devono funzionare efficacemente in ambienti estremi.
Immagine di applicazione di Wafer SiC 3C-N:
Imballaggio e spedizione di Wafer SiC 3C-N:
Personalizzato:
I prodotti in cristallo SiC personalizzati possono essere realizzati per soddisfare i requisiti e le specifiche particolari del cliente.
Raccomandazione del prodotto:
1.2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici Sic Wafer 4H-N/Semi Tipo
2Wafer SiC da.6 pollici 4H/6H-P