Wafer SiC da 6 pollici 4H/6H-P Substrato di carburo di silicio DSP (111) Semiconduttore RF Microonde Laser LED

Wafer SiC da 6 pollici 4H/6H-P Substrato di carburo di silicio DSP (111) Semiconduttore RF Microonde Laser LED

Descrizione del Wafer SiC:

Il wafer in silicio carburo (SiC) di tipo P da 6 pollici in politipo 4H o 6H. Ha proprietà simili a quelle del wafer in silicio carburo (SiC) di tipo N, come la resistenza alle alte temperature,elevata conduttività termica, elevata conduttività elettrica, ecc. Il substrato SiC di tipo P è generalmente utilizzato per la produzione di dispositivi di potenza, in particolare la produzione di transistor bipolari a cancello isolato (IGBT).La progettazione di IGBT spesso prevede giunzioni P-N, dove il SiC di tipo P può essere vantaggioso per il controllo del comportamento dei dispositivi.

Il carattere della Wafer SiC:

1Resistenza alle radiazioni:
Il carburo di silicio è altamente resistente ai danni da radiazioni, rendendo i wafer 4H/6H-P SiC ideali per l'uso in applicazioni spaziali e nucleari in cui l'esposizione alle radiazioni è significativa.

2Large Bandgap:
4H-SiC: il intervallo è di circa 3,26 eV.
6H-SiC: la banda è leggermente più bassa, a circa 3,0 eV.
Questi ampi intervalli di banda consentono ai wafer SiC di funzionare a temperature e tensioni più elevate rispetto ai materiali a base di silicio, rendendoli ideali per l'elettronica di potenza e le condizioni ambientali estreme.
3Campo elettrico ad alta rottura:
I Wafer SiC hanno un campo elettrico di rottura molto più elevato (circa 10 volte quello del silicio), il che consente la progettazione di dispositivi di alimentazione più piccoli ed efficienti in grado di gestire alte tensioni.
4. Alta conduttività termica:
Il SiC ha un'eccellente conducibilità termica (circa 3-4 volte superiore al silicio), consentendo ai dispositivi realizzati con questi wafer di funzionare ad alta potenza senza surriscaldamento.Questo li rende ideali per applicazioni ad alta potenza in cui la dissipazione del calore è critica.
5Alta mobilità elettronica:
Il 4H-SiC ha una maggiore mobilità elettronica (~ 950 cm2/Vs) rispetto al 6H-SiC (~ 400 cm2/Vs), il che significa che il 4H-SiC è più adatto alle applicazioni ad alta frequenza.
Questa elevata mobilità elettronica consente velocità di commutazione più rapide nei dispositivi elettronici, rendendo il 4H-SiC preferibile per applicazioni RF e microonde.
6Stabilità a temperatura:
I Wafer SiC possono funzionare a temperature ben superiori a 300°C, molto più elevate rispetto ai dispositivi a base di silicio, che sono in genere limitati a 150°C. Ciò li rende altamente desiderabili per l'uso in ambienti difficili,come le automobili, aerospaziale e sistemi industriali.
7. Alta resistenza meccanica:
Le onde SiC sono meccanicamente robuste, con un'eccellente durezza e resistenza allo stress meccanico.

Forma di Wafer SiC:

Applicazione di Wafer SiC:

Potenza elettronica:

Utilizzato in diodi, MOSFET e IGBT per applicazioni ad alta tensione e alta temperatura come veicoli elettrici, reti elettriche e sistemi di energia rinnovabile.
Dispositivi RF e microonde:

Ideale per dispositivi ad alta frequenza come amplificatori RF e sistemi radar.
LED e laser:

Il SiC è utilizzato anche come materiale di substrato per la produzione di LED e laser a base di GaN.
Elettronica automobilistica:

Utilizzato nei componenti del gruppo motore dei veicoli elettrici e nei sistemi di ricarica.
Aerospaziale e militare:

A causa della loro durezza radiativa e stabilità termica, i Wafer SiC sono utilizzati in satelliti, radar militari e altri sistemi di difesa.
Applicazioni industriali:

Utilizzato in alimentatori industriali, motori e altri sistemi elettronici ad alta potenza e alta efficienza.

Immagine di applicazione di Wafer SiC:

Personalizzazione:

La personalizzazione dei wafer in carburo di silicio (SiC) è essenziale per soddisfare le esigenze specifiche di varie applicazioni elettroniche, industriali e scientifiche avanzate.Possiamo offrire una gamma di parametri personalizzabili per garantire che i wafer siano ottimizzati per i requisiti particolari del dispositivo. Di seguito sono riportati gli aspetti chiave della personalizzazione dei wafer SiC:Orientazione cristallina; diametro e spessore; tipo e concentrazione di doping; lucidatura e finitura superficiale; resistività; strato epitaxiale; piatte e taccazioni di orientamento;SiC-on-Si e altre combinazioni di substrati.

Imballaggio e trasporto:

FAQ:

1.D: Cos'è il 4H e il 6H SiC?
R: 4H-SiC e 6H-SiC rappresentano strutture cristalline esagonali, con "H" che indica la simmetria esagonale e i numeri 4 e 6 gli strati nelle loro celle unità.Questa variazione strutturale influenza la struttura della banda elettronica del materiale, che è un determinante chiave delle prestazioni di un dispositivo semiconduttore.

2.D: Cos'è il substrato di tipo P?
A: il materiale di tipo p è un semiconduttore che ha un portatore di carica positiva, noto come buco.che ha un elettrone di valenza in meno degli atomi dei semiconduttori.

Raccomandazione del prodotto:

1.SiC Wafer in carburo di silicio 4H-N Tipo per dispositivo MOS 2 pollici Dia50.6mm

2.SiC Substrato Carburo di silicio Substrato 3C-N 5×5 10×10 mm