SiC Substrato di carburo di silicio subatrte 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10mm P grado R grado D grado

4H/6H-P SiC Substrato 5×5 10×10 mm's abstract

Il substrato di carburo di silicio (SiC) 4H/6H-P, con dimensioni di 5 × 5 mm e 10 × 10 mm, rappresenta un progresso fondamentale nei materiali semiconduttori,in particolare per applicazioni ad alta potenza e ad alta temperaturaIl SiC, semiconduttore a banda larga, presenta un'eccezionale conduttività termica, un'elevata forza di campo elettrico di rottura e robuste proprietà meccaniche.rendendolo una scelta preferita per la prossima generazione di elettronica di potenza e dispositivi optoelettroniciQuesto studio esplora le tecniche di fabbricazione utilizzate per ottenere substrati SiC 4H/6H-P di alta qualità, affrontando sfide comuni come la minimizzazione dei difetti e l'uniformità dei wafer.il documento evidenzia le applicazioni del substrato nei dispositivi di potenza, dispositivi RF e altre applicazioni ad alta frequenza, sottolineando il suo potenziale per rivoluzionare l'industria dei semiconduttori.I risultati suggeriscono che questi substrati di SiC svolgeranno un ruolo cruciale nello sviluppo di dispositivi elettronici più efficienti e affidabili, che consentono di realizzare progressi in termini di prestazioni e di efficienza energetica.

4H/6H-P SiC Substrato 5×5 10×10mm proprietà

il substrato 4H/6H-P SiC (carburo di silicio), in particolare nelle dimensioni di 5 × 5 mm e 10 × 10 mm,presenta diverse proprietà notevoli che lo rendono una scelta preferita nelle applicazioni per semiconduttori ad alte prestazioni:

1. Ampia banda:L'ampia banda di SiC (circa 3,26 eV per 4H e 3,02 eV per 6H) consente il funzionamento ad alte temperature e tensioni, il che è vantaggioso per l'elettronica di potenza.

2. Alta conduttività termica:Il SiC ha un'eccellente conducibilità termica, di circa 3,7 W/cm·K, che aiuta a una dissipazione del calore efficiente, rendendolo adatto per dispositivi ad alta potenza.

3. Campo elettrico ad alta rottura:Il SiC può resistere a campi elettrici elevati (fino a 3 MV/cm), rendendolo ideale per dispositivi di potenza che richiedono capacità di gestione ad alta tensione.

4. Resistenza meccanica:Il SiC è noto per la sua robustezza meccanica, offrendo una elevata resistenza all'usura, che è fondamentale per i dispositivi che funzionano in condizioni estreme.

5. Stabilità chimica:Il SiC è chimicamente stabile, resistente all'ossidazione e alla corrosione, il che lo rende adatto per ambienti difficili, comprese le applicazioni aerospaziali e automobilistiche.

Queste proprietà consentono di utilizzare i substrati SiC 4H/6H-P in una vasta gamma di applicazioni, tra cui transistor ad alta potenza, dispositivi RF e optoelettronica,dove le prestazioni e l'affidabilità sono cruciali.

4H/6H-P SiC Substrato 5×5 10×10 mm foto

4H/6H-P SiC Substrato 5×5 10×10mm applicazioni

Il substrato 4H/6H-P SiC (carburo di silicio), in particolare nelle dimensioni di 5 × 5 mm e 10 × 10 mm, è utilizzato in varie applicazioni ad alte prestazioni e impegnative in molteplici settori:

1. Potenza elettronica:I substrati di SiC sono ampiamente utilizzati in dispositivi di alimentazione come MOSFET, IGBT e diodi Schottky, che sono essenziali nei veicoli elettrici, nei sistemi di energia rinnovabile e nelle reti elettriche.L'ampio intervallo di banda e l'elevata tensione di rottura del SiC consentono una conversione e un funzionamento efficienti dell'energia a alte tensioni e temperature.

2. Dispositivi RF e microonde:Il SiC è un materiale eccellente per dispositivi RF e microonde utilizzati nelle telecomunicazioni, nei sistemi radar e nelle comunicazioni satellitari.La sua capacità di funzionare ad alte frequenze e temperature con bassa perdita di segnale lo rende adatto per amplificatori e interruttori ad alta potenza.

3. Optoelettronica:I substrati di SiC sono utilizzati nei LED e nei diodi laser, in particolare nelle fasce di lunghezza d'onda UV e blu.e monitoraggio ambientale.

4. Aerospaziale e automobilistico:A causa della sua stabilità termica e della sua resistenza agli ambienti difficili, il SiC è utilizzato nei sensori aerospaziali e automobilistici, negli attuatori e nei moduli di alimentazione, dove l'affidabilità in condizioni estreme è cruciale.

Queste applicazioni evidenziano l'importanza dei substrati 4H/6H-P SiC nel progresso delle tecnologie che richiedono efficienza, durata e funzionamento ad alte prestazioni.

Domande e risposte

Che cos'e' 4H in 4H-SiC?

4H-SiC e 6H-SiC rappresentanostrutture cristalline esagonali, con "H" che indica la simmetria esagonale e i numeri 4 e 6 gli strati nelle loro celle unitarie.che è un determinante chiave delle prestazioni di un dispositivo semiconduttore.