2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 4H P Tipo 6H P Tipo 3C N Tipo SiC Wafer Silicon Carbide Wafer Semiconduttore

2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 4H P Tipo 6H P Tipo 3C N Tipo SiC Wafer Silicon Carbide Wafer Semiconduttore

Descrizione del Wafer SiC:

4H P-Type SiC: si riferisce a un wafer di carburo di silicio monocristallino con una struttura cristallina 4H dopata con impurità accettanti, rendendolo un materiale semiconduttore di tipo P. 6H P-Type SiC:Analogamente, questo indica un wafer a carburo di silicio monocristallino con una struttura cristallina 6H che è dopata con impurità dell'accettore, risultando anche materiale semiconduttore di tipo P. 3C-N-Tipo SiC:Questo rappresenta un wafer di carburo di silicio monocristallino con una struttura cristallina 3C che è dopata con impurità donatrici, portando a un comportamento di semiconduttore di tipo N.

Il carattere della Wafer SiC:

4H SiC di tipo P:
Struttura cristallina: 4H indica la struttura cristallina esagonale del carburo di silicio.
Tipo di doping: il tipo P indica che il materiale è dopato con impurità accettanti.
Caratteristiche:
Alta mobilità elettronica.
Adatto per dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenza.
Buona conduttività termica.
Ideale per applicazioni che richiedono un funzionamento ad alta temperatura.
6H tipo P SiC:
Struttura cristallina: 6H indica la struttura cristallina esagonale del carburo di silicio.
Tipo di doping: doping di tipo P con impurità di accettore.
Caratteristiche:
Buona resistenza meccanica.
Alta conduttività termica.
Utilizzato in applicazioni ad alta potenza e ad alta temperatura.
Adatto per l'elettronica in ambienti difficili.
3C SiC di tipo N:
Struttura cristallina: 3C si riferisce alla struttura cristallina cubica del carburo di silicio.
Tipo di doping: il tipo N indica il doping con impurità donatrici.
Caratteristiche:
Materiale versatile per elettronica e optoelettronica.
Buona compatibilità con la tecnologia del silicio.
Adatto per circuiti integrati.
Offre opportunità per l'elettronica a banda larga.
Questi diversi tipi di wafer al carburo di silicio presentano caratteristiche specifiche in base alle loro strutture cristalline e ai tipi di doping.Ogni variazione è ottimizzata per applicazioni distinte in elettronica, dispositivi di alimentazione, sensori e altri campi in cui le proprietà uniche del carburo di silicio, come l'alta conducibilità termica, l'elevata tensione di rottura e l'ampio intervallo di banda, sono vantaggiose.

La formadi Wafer SiC:

La foto fisicadi Wafer SiC:

L'applicazionedi Wafer SiC:

Questi tipi di SiC hanno un ruolo maggiore nell'area III-V, deposizione di nitruri, dispositivi optoelettronici, dispositivi ad alta potenza, dispositivi ad alta temperatura, dispositivi ad alta potenza di frequenza.

1. 4H tipo P SiC:
Elettronica ad alta potenza: utilizzata in dispositivi elettronici ad alta potenza come diodi di potenza, MOSFET e raddrizzatori ad alta tensione a causa della sua elevata mobilità elettronica e conduttività termica.
Dispositivi a RF e a microonde: adatti alle applicazioni a radiofrequenza (RF) e a microonde che richiedono un funzionamento ad alta frequenza e una gestione efficiente dell'energia.
Ambienti ad alta temperatura: ideale per applicazioni in ambienti difficili che richiedono un funzionamento e un'affidabilità ad alta temperatura, come i sistemi aerospaziali e automobilistici.
2. 6H tipo P SiC:
Elettronica di potenza: utilizzata in dispositivi semiconduttori di potenza come i diodi di Schottky, i MOSFET di potenza,con una tensione di potenza superiore a 50 kPa,.
Elettronica ad alta temperatura: applicata in elettronica ad alta temperatura per industrie come aerospaziale, difesa ed energia dove l'affidabilità in condizioni estreme è fondamentale.
3. 3C tipo N SiC:
Circuiti integrati: adatti a circuiti integrati e sistemi microelettromeccanici (MEMS) a causa della sua compatibilità con la tecnologia del silicio e del potenziale per l'elettronica a banda larga.
Optoelettronica: utilizzata in dispositivi optoelettronici come LED, fotodettori e sensori in cui la struttura cristallina cubica offre vantaggi per le applicazioni di emissione e rilevamento della luce.
Sensori biomedici: applicati nei sensori biomedici per varie applicazioni di rilevamento a causa della sua biocompatibilità, stabilità e sensibilità.

Le immagini dell'applicazionedi Wafer SiC:

Personalizzazione:

I prodotti in cristallo SiC personalizzati possono essere realizzati per soddisfare i requisiti e le specifiche particolari del cliente.

FAQ:

1D: Qual è la differenza tra 4H-SiC e 6H-SiC?
R: Tutti gli altri politipi di SiC sono una miscela del legame zinco-blenda e wurtzita.6H-SiC è composto da due terzi di legami cubici e un terzo di legami esagonali con una sequenza di impilazione di ABCACB.

2D: Qual è la differenza tra 3C e 4H SiC?

R: In generale, il 3C-SiC è conosciuto come politipo stabile a bassa temperatura, mentre il 4H e il 6H-SiC sono conosciuti come politipi stabili ad alta temperatura, che hanno bisogno di una temperatura relativamente elevata per... ... la rugosità superficiale e la quantità di difetti dello strato epitassiale sono correlate al rapporto Cl/Si.

Raccomandazione del prodotto:

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