Substrato composito SiC conduttivo di tipo N 6 pollici per Epitaxy MBE CVD LPE

Substrato composito SiC conduttivo di tipo N 6 pollici per Epitaxy MBE CVD LPE

Astratto di substrato SiC conduttivo di tipo N

Questo substrato SiC conduttivo di tipo N ha un diametro di 150 mm con una precisione di ± 0,2 mm e utilizza il politipo 4H per proprietà elettriche superiori.Il substrato presenta un intervallo di resistività di 0.015 a 0.025 ohm·cm, garantendo una conduttività efficiente.Il controllo di qualità limita i vuoti a ≤ 5 per wafer, con ciascun vuoto di diametro compreso tra 0,5 mm e 2 mm. Queste caratteristiche rendono il substrato SiC ideale per applicazioni ad alte prestazioni in elettronica di potenza e dispositivi semiconduttori,fornire affidabilità ed efficienza.

Specifiche e diagramma schematico per il substrato SiC conduttivo di tipo N

Proprietà del substrato SiC conduttivo di tipo N

I substrati conduttivi di carburo di silicio (SiC) di tipo N sono ampiamente utilizzati in varie applicazioni elettroniche e optoelettroniche a causa delle loro proprietà uniche.Ecco alcune proprietà chiave dei substrati SiC conduttivi di tipo N:

1. Proprietà elettriche:

   • Alta mobilità elettronica:Il SiC ha un'elevata mobilità elettronica, che consente un flusso di corrente efficiente e dispositivi elettronici ad alta velocità.
   • Concentrazione bassa di vettore intrinseco:Il SiC mantiene una bassa concentrazione intrinseca di vettore anche ad alte temperature, rendendolo adatto per applicazioni ad alte temperature.
   • Alta tensione di rottura:Il SiC può resistere a forti campi elettrici senza rompersi, consentendo la fabbricazione di dispositivi ad alta tensione.

2. Proprietà termiche:

   • Alta conduttività termica:Il SiC ha un'eccellente conduttività termica, che aiuta a dissipare il calore in modo efficiente dai dispositivi ad alta potenza.
   • Stabilità termica:Il SiC rimane stabile ad alte temperature, mantenendo la sua integrità strutturale e le sue proprietà elettroniche.

3. Proprietà meccaniche:

   • Durezza:Il SiC è un materiale molto duro, che offre durabilità e resistenza all'usura meccanica.
   • Inerzia chimica:Il SiC è chimicamente inerte e resistente alla maggior parte degli acidi e delle basi, il che è vantaggioso per ambienti operativi difficili.

4. Caratteristiche del doping:

   • Doping controllato di tipo N:Il SiC di tipo N è tipicamente dopato con azoto per introdurre elettroni in eccesso come portatori di carica.

Foto del substrato SiC conduttivo di tipo N

Domande e risposte

D: Cos'è l'epitaxia del SiC?

A:L'epitaxia del SiC è il processo di coltivazione di uno strato sottile e cristallino di carburo di silicio (SiC) su un substrato di SiC.dove i precursori gassosi si decompongono ad alte temperature per formare lo strato di SiCLo strato epitaxiale corrisponde all'orientamento cristallino del substrato e può essere dopato e controllato con precisione per ottenere le proprietà elettriche desiderate.Questo processo è essenziale per la fabbricazione di dispositivi SiC ad alte prestazioni utilizzati nell'elettronica di potenza, optoelettronica e applicazioni ad alta frequenza, offrendo vantaggi quali elevata efficienza, stabilità termica e affidabilità.