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Substrato composito SiC conduttivo di tipo N 6 pollici per Epitaxy MBE CVD LPE
Dettagli:
| Luogo di origine: | Cina |
| Marca: | ZMSH |
| Numero di modello: | Substrato di SiC conduttivo di tipo N |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Tempi di consegna: | 2-4 settimane |
| Termini di pagamento: | T/T |
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Informazioni dettagliate |
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| Diametro: | 150 ± 0,2 mm | Polytype: | 4H |
|---|---|---|---|
| Resistenza: | 0.015-0.025 ohm · cm | Spessore di strato: | ≥ 0,4 μm |
| VUOTO: | ≤ 5ea/wafer (2mm>D>0,5mm) | Roverezza frontale (Si-face): | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) |
| Fabbricazione di pezzi di metallo: | Nessuna | TTV: | ≤3μm |
| Evidenziare: | Substrato SiC conduttivo di tipo N da 6 pollici,Sottostrato di SiC conduttivo di tipo MBE N,Epitaxy N-type conductive SiC substrato |
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Descrizione di prodotto
Substrato composito SiC conduttivo di tipo N 6 pollici per Epitaxy MBE CVD LPE
Astratto di substrato SiC conduttivo di tipo N
Questo substrato SiC conduttivo di tipo N ha un diametro di 150 mm con una precisione di ± 0,2 mm e utilizza il politipo 4H per proprietà elettriche superiori.Il substrato presenta un intervallo di resistività di 0.015 a 0.025 ohm·cm, garantendo una conduttività efficiente.Il controllo di qualità limita i vuoti a ≤ 5 per wafer, con ciascun vuoto di diametro compreso tra 0,5 mm e 2 mm. Queste caratteristiche rendono il substrato SiC ideale per applicazioni ad alte prestazioni in elettronica di potenza e dispositivi semiconduttori,fornire affidabilità ed efficienza.
Specifiche e diagramma schematico per il substrato SiC conduttivo di tipo N
| Articolo 2 | Specificità | Articolo 2 | Specificità |
| Diametro | 150 ± 0,2 mm |
Roverezza frontale (Si-face) |
Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) |
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Politipo Resistenza |
4H 0.015-0.025 ohm · cm |
EdgeChip, Scratch, Crack (ispezione visiva) TTV |
Nessuna ≤ 3 μm |
| Spessore dello strato di trasferimento | ≥ 0,4 μm | Warp. | ≤ 35 μm |
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Non è valido |
≤ 5ea/wafer (2mm>D>0,5mm) |
Spessore |
350 ± 25 μm |
Proprietà del substrato SiC conduttivo di tipo N
I substrati conduttivi di carburo di silicio (SiC) di tipo N sono ampiamente utilizzati in varie applicazioni elettroniche e optoelettroniche a causa delle loro proprietà uniche.Ecco alcune proprietà chiave dei substrati SiC conduttivi di tipo N:
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Proprietà elettriche:
- Alta mobilità elettronica:Il SiC ha un'elevata mobilità elettronica, che consente un flusso di corrente efficiente e dispositivi elettronici ad alta velocità.
- Concentrazione bassa di vettore intrinseco:Il SiC mantiene una bassa concentrazione intrinseca di vettore anche ad alte temperature, rendendolo adatto per applicazioni ad alte temperature.
- Alta tensione di rottura:Il SiC può resistere a forti campi elettrici senza rompersi, consentendo la fabbricazione di dispositivi ad alta tensione.
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Proprietà termiche:
- Alta conduttività termica:Il SiC ha un'eccellente conduttività termica, che aiuta a dissipare il calore in modo efficiente dai dispositivi ad alta potenza.
- Stabilità termica:Il SiC rimane stabile ad alte temperature, mantenendo la sua integrità strutturale e le sue proprietà elettroniche.
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Proprietà meccaniche:
- Durezza:Il SiC è un materiale molto duro, che offre durabilità e resistenza all'usura meccanica.
- Inerzia chimica:Il SiC è chimicamente inerte e resistente alla maggior parte degli acidi e delle basi, il che è vantaggioso per ambienti operativi difficili.
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Caratteristiche del doping:
- Doping controllato di tipo N:Il SiC di tipo N è tipicamente dopato con azoto per introdurre elettroni in eccesso come portatori di carica.
Foto del substrato SiC conduttivo di tipo N
Domande e risposte
D: Cos'è l'epitaxia del SiC?
A:L'epitaxia del SiC è il processo di coltivazione di uno strato sottile e cristallino di carburo di silicio (SiC) su un substrato di SiC.dove i precursori gassosi si decompongono ad alte temperature per formare lo strato di SiCLo strato epitaxiale corrisponde all'orientamento cristallino del substrato e può essere dopato e controllato con precisione per ottenere le proprietà elettriche desiderate.Questo processo è essenziale per la fabbricazione di dispositivi SiC ad alte prestazioni utilizzati nell'elettronica di potenza, optoelettronica e applicazioni ad alta frequenza, offrendo vantaggi quali elevata efficienza, stabilità termica e affidabilità.