SiC Wafer 4H tipo N Carburo di silicio grado 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici DSP personalizzato

SiC Wafer 4H tipo N Carburo di silicio grado 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici DSP personalizzato

Descrizione del Wafer SiC:

Il wafer di carburo di silicio è disponibile in un tipo 4H n, che è il tipo più comunemente utilizzato per i wafer di carburo di silicio.elevata conduttività termica, e elevata stabilità chimica e meccanica.

Il Wafer di Carburo di Silicio è disponibile in tre diversi gradi: produzione, ricerca e dummy.Il wafer di grado di produzione è progettato per l'uso in applicazioni commerciali ed è prodotto secondo severi standard di qualitàIl wafer di grado di ricerca è progettato per l'uso in applicazioni di ricerca e sviluppo ed è prodotto secondo standard di qualità ancora più elevati.Il wafer di tipo manichino è progettato per essere utilizzato come segnaposto nel processo di produzione.

Il carattere di SiC Wafer:

I wafer in carburo di silicio (SiC) sono un materiale semiconduttore chiave che svolge un ruolo importante nei dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenza, tra le altre applicazioni.Ecco alcune delle caratteristiche dei Wafer SiC:
 

1.Caratteristiche di interruzione della banda larga:
Il SiC ha un ampio intervallo di banda, tipicamente tra 2,3 e 3,3 elettroni volt, il che lo rende eccellente per applicazioni ad alta temperatura e alta potenza.Questa proprietà di ampia banda spazio aiuta a ridurre la corrente di perdita nel materiale e migliorare le prestazioni del dispositivo.

2.conduttività termica:
Il SiC ha una conduttività termica molto elevata, diverse volte superiore a quella dei wafer di silicio convenzionali.Questa elevata conduttività termica facilita un'efficiente dissipazione del calore nei dispositivi elettronici ad alta potenza e migliora la stabilità e l'affidabilità del dispositivo.

3- Proprietà meccaniche:
SiC ha un'eccellente resistenza meccanica e durezza, che è importante per applicazioni ad alta temperatura e in ambienti difficili.e ambienti ad alta radiazione, rendendoli adatti ad applicazioni che richiedono una elevata resistenza e durata.

4Stabilità chimica:
Il SiC ha un'elevata resistenza alla corrosione chimica e può resistere all'attacco di molte sostanze chimiche, quindi ha buone prestazioni in alcuni ambienti speciali in cui è richiesta una prestazione stabile.

5Proprietà elettriche:
Il SiC ha un'alta tensione di rottura e una bassa corrente di fuga, rendendolo molto utile in dispositivi elettronici ad alta tensione e ad alta frequenza.I Wafer SiC hanno una minore resistività e una maggiore permissività, che è essenziale per le applicazioni RF.

In generale, i wafer SiC hanno ampie prospettive di applicazione in dispositivi elettronici ad alta potenza, dispositivi RF e dispositivi optoelettronici a causa delle loro eccellenti proprietà elettriche, termiche e meccaniche.

Tabella delle caratteristiche del Wafer SiC:

Foto fisica di SiC Wafer:

Applicazioni del Wafer SiC:

1. dispositivi elettronici di potenza:
I wafer SiC hanno un'ampia gamma di applicazioni nel campo dei dispositivi elettronici di potenza come i MOSFET di potenza (transistor a effetto campo di ossido metallico) e SCHTKEY (diodi di barriera Schottky).L'elevata forza di campo di rottura e l'elevata velocità di deriva della saturazione elettronica del materiale SiC lo rendono una scelta ideale per convertitori di potenza ad alta densità di potenza e ad alta efficienza.

2. Dispositivi a radiofrequenza (RF):
I wafer SiC trovano anche importanti applicazioni nei dispositivi RF, come gli amplificatori di potenza RF e i dispositivi a microonde.L'alta mobilità elettronica e la bassa perdita di materiali SiC li rendono eccellenti in applicazioni ad alta frequenza e ad alta potenza.

3. Dispositivi optoelettronici:
I wafer SiC trovano anche sempre più applicazioni in dispositivi optoelettronici, come fotodiodi, rivelatori di luce ultravioletta e diodi laser.Le eccellenti proprietà ottiche e la stabilità del materiale SiC lo rendono un materiale importante nel campo dei dispositivi optoelettronici.

4Sensore di temperatura elevata:
I wafer SiC sono ampiamente utilizzati nel campo dei sensori ad alta temperatura a causa delle loro eccellenti proprietà meccaniche e della loro stabilità ad alta temperatura.radiazioni, e ambienti corrosivi e sono adatti ai settori aerospaziale, energetico e industriale.

5- dispositivi elettronici resistenti alle radiazioni:
La resistenza alle radiazioni delle onde SiC le rende ampiamente utilizzate nell'energia nucleare, nell'aerospaziale e in altri campi in cui sono richieste caratteristiche di resistenza alle radiazioni.Il materiale SiC ha una elevata stabilità alle radiazioni ed è adatto per dispositivi elettronici in ambiente ad alta radiazione.

Immagine dell'applicazione della Wafer SiC:

Personalizzazione di Wafer SiC:

Siamo impegnati a fornire soluzioni personalizzate di Wafer SiC di alta qualità e alte prestazioni per soddisfare le diverse esigenze dei nostri clienti.La nostra fabbrica può personalizzare le wafer SiC di varie specifiche, spessori e forme secondo le esigenze specifiche dei nostri clienti.

FAQ:

1D: Qual è il più grande wafer di zaffiro?
Lo zaffiro A: 300 mm (12 pollici) è ora il più grande wafer per i diodi emettitori di luce (LED) e l'elettronica di consumo.

2D: Di che taglia sono i wafer di zaffiro?

R: I nostri diametri di wafer standard variano da 25,4 mm (1 pollice) a 300 mm (11,8 pollici) di dimensioni;i wafer possono essere prodotti in diversi spessori e orientamenti con lati lucidi o non lucidi e possono includere dopanti.

3D: Qual è la differenza tra le wafer di zaffiro e quelle di silicio?
R: I LED sono le applicazioni più popolari per lo zaffiro. Il materiale è trasparente ed è un ottimo conduttore di luce.il silicio è opaco e non consente un'estrazione efficiente della luceTuttavia, il materiale semiconduttore è ideale per i LED, perché è economico e trasparente.

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