Wafer SiC da 2 pollici 4H N tipo 6H-N tipo 4H Semi tipo 6H Semi tipo doppio lato lucido

Descrizione del prodotto:

La goccia di carburo di silicio è un materiale ad alte prestazioni utilizzato nella produzione di dispositivi elettronici.È realizzato da uno strato di carburo di silicio sopra un wafer di silicio ed è disponibile in diversi gradiIl wafer ha una piattezza di Lambda/10, che garantisce che i dispositivi elettronici realizzati con il wafer siano di altissima qualità e prestazioni.La goccia di carburo di silicio è un materiale ideale per l'uso in elettronica di potenzaForniamo wafer SiC di alta qualità (Carburo di Silicio) all'industria elettronica e optoelettronica.

Carattere:

I wafer SIC (Silicon Carbide) sono un tipo di wafer semiconduttore a base di carburo di silicio.

1- Maggiore conduttività termica: i wafer SIC hanno una conduttività termica molto più elevata del silicio, il che significa che i wafer SIC possono dissipare efficacemente il calore e sono adatti al funzionamento in ambienti ad alta temperatura.

2- Maggiore mobilità elettronica:Il wafer SIC ha una maggiore mobilità elettronica rispetto al silicio, consentendo ai dispositivi SIC di operare a velocità più elevate.

3. tensione di rottura superiore:Il materiale di wafer SIC ha una tensione di rottura più elevata, che lo rende adatto per la produzione di dispositivi semiconduttori ad alta tensione.

4- Maggiore stabilità chimica:Il wafer SIC mostra una maggiore resistenza alla corrosione chimica, contribuendo a migliorare l'affidabilità e la durata dei dispositivi.

5- Ampliamento di banda:Il wafer SIC ha un intervallo di banda più ampio del silicio, consentendo ai dispositivi SIC di funzionare meglio e in modo più stabile ad alte temperature.

6Migliore resistenza alle radiazioni:I wafer SIC hanno una maggiore resistenza alle radiazioni, rendendoli adatti per l'uso in ambienti di radiazioni

come i veicoli spaziali e le strutture nucleari.

7- Durezza superiore:Il wafer SIC è più duro del silicio, migliorando la durata dei wafer durante la lavorazione.

8Costante dielettrica inferiore:Il wafer SIC ha una costante dielettrica inferiore al silicio, contribuendo a ridurre la capacità parassitaria nei dispositivi e migliorare le prestazioni ad alta frequenza.

9Velocità di deriva elettronica di saturazione superiore:Il wafer SIC ha una velocità di deriva degli elettroni di saturazione superiore al silicio, dando ai dispositivi SIC un vantaggio nelle applicazioni ad alta frequenza.

10- Densità di potenza più elevata:Con le caratteristiche di cui sopra, i dispositivi a wafer SIC possono ottenere una potenza di uscita più elevata in dimensioni più piccole.

Applicazioni:

1. elettronica di potenza: i wafer SiC sono ampiamente utilizzati nei dispositivi elettronici di potenza come convertitori di potenza, inverter,e interruttori ad alta tensione a causa delle loro elevate caratteristiche di tensione di rottura e bassa perdita di potenza.
Veicoli elettrici: i Wafer SiC sono utilizzati nell'elettronica di alimentazione dei veicoli elettrici per migliorare l'efficienza e ridurre il peso, consentendo una ricarica più veloce e una maggiore autonomia.
2Energia rinnovabile: i Wafer SiC svolgono un ruolo cruciale nelle applicazioni di energia rinnovabile come gli inverter solari e i sistemi di energia eolica, migliorando l'efficienza e l'affidabilità della conversione dell'energia.
3Aerospaziale e Difesa: i Wafer SiC sono essenziali nell'industria aerospaziale e della difesa per applicazioni ad alta temperatura, alta potenza e resistenti alle radiazioni,compresi i sistemi di alimentazione degli aeromobili e i sistemi radar.
4. Motori industriali: i Wafer SiC sono utilizzati nei motori industriali per migliorare l'efficienza energetica, ridurre la dissipazione del calore e aumentare la durata dell'attrezzatura.
5Comunicazione wireless: le onde SiC sono utilizzate negli amplificatori di potenza RF e nelle applicazioni ad alta frequenza nei sistemi di comunicazione wireless, offrendo una maggiore densità di potenza e prestazioni migliorate.
6. elettronica ad alta temperatura: le onde SiC sono adatte per applicazioni elettroniche ad alta temperatura in cui i dispositivi convenzionali a silicio potrebbero non funzionare in modo affidabile,come per la trivellazione a pozzo e per i sistemi di controllo dei motori automobilistici.
7Dispositivi medici: i wafer SiC trovano applicazioni in dispositivi medici come macchine per risonanza magnetica e apparecchiature a raggi X a causa della loro durata, elevata conduttività termica e resistenza alle radiazioni.
8Ricerca e sviluppo:Le onde SiC sono utilizzate nei laboratori di ricerca e negli istituti accademici per lo sviluppo di dispositivi semiconduttori avanzati ed esplorare nuove tecnologie nel campo dell'elettronica.
9Altre applicazioni: i wafer SiC sono utilizzati anche in settori come i sensori per ambienti difficili, i laser ad alta potenza e il calcolo quantistico a causa delle loro proprietà uniche e dei vantaggi delle prestazioni.

Personalizzazione:

Offriamo servizi di personalizzazione per particelle, materiale, grado, orientamento e diametro.Il nostro wafer di carburo di silicio viene fornito con orientamento su asse o fuori asse a seconda delle vostre esigenze. Si può anche scegliere il diametro di wafer di carburo di silicio che si richiede.

Il wafer al carburo di silicio è disponibile in diversi gradi, tra cui produzione, ricerca e dummy.Il wafer di livello di produzione viene utilizzato nella produzione di dispositivi elettronici ed è di altissima qualitàIl wafer di livello di ricerca è utilizzato per scopi di ricerca, mentre il wafer di livello di Dummy è utilizzato per scopi di prova e taratura.compresa la 4H, che è il tipo più comune utilizzato nei dispositivi elettronici.

  FAQ:

D: Come si fa un wafer di SiC?
R: Il processo consiste nella trasformazione di materie prime come la sabbia di silicio in silicio puro.,e la pulizia e la preparazione dei wafer per l'uso nei dispositivi a semiconduttori.

D: Qual è il processo di produzione del SiC?
A: Processo di produzione del carburo di silicio - GAB Neumann. Il carburo di silicio (SiC) è un composto di silicio e carbonio con una formula chimica di SiC.Il processo di produzione più semplice per la produzione di carburo di silicio è quello di combinare sabbia di silicio e carbonio in un forno di resistenza elettrica a grafite Acheson ad alta temperatura, tra 1600°C (2910°F) e 2500°C (4530°F).

D: Quali sono gli usi del wafer al carburo di silicio?
R: Nell'elettronica, i materiali SiC sono utilizzati con diodi emettitori di luce (LED) e rilevatori.I Wafer SiC sono utilizzati in dispositivi elettronici che funzionano a temperature elevate, elevate tensioni, o entrambe.

Raccomandazione del prodotto:

1.Wafer SiC da 8 pollici

2.2 pollici 3 pollici 4 pollici SiC Substrato 330um Spessore 4H-N Tipo Grado di produzione