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6H SiC Silicon Carbide Wafer doppio lato lucidato 2 pollici <0001> tipo N tipo Semi
Dettagli:
| Place of Origin: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Model Number: | Silicon Carbide |
Termini di pagamento e spedizione:
| Tempi di consegna: | 2-4 settimane |
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| Termini di pagamento: | T/T |
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Informazioni dettagliate |
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| Materiale: | Carburo di silicio | Finitura superficiale: | Singolo/doppio laterale lucidato |
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| orientamento: | Su asse/Fuori asse | Roverezza della superficie: | ≤1.2nm |
| Diametro: | 50.8mm±0.38mm | EPD: | ≤ 1E10/cm2 |
| Resistenza: | Resistività massima minima | Spessore: | 330 mm±25 mm |
| Evidenziare: | Wafer a carburo di silicio da 2 pollici,Produttori di wafer a doppio lato di carburo di silicio,Wafer a carburo di silicio 6H |
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Descrizione di prodotto
6H Wafer a carburo di silicio doppio lato lucidato di 2 pollici di diametro TTV Bow Warp <0001>
Descrizione del prodotto:
Ci sono molti polimorfi diversi di carburo di silicio e il carburo di silicio 6H è uno tra quasi 200 polimorfi.Il carburo di silicio 6H è di gran lunga la modificazione più comune dei carburi di silicio per interessi commercialiI wafer di carburo di silicio 6H sono di primaria importanza e possono essere utilizzati come semiconduttori.È ampiamente utilizzato in abrasivi e in strumenti di taglio come i dischi da taglio a causa della sua durata e dei bassi costi dei materialiÈ utilizzato in armature composte e giubbotti a prova di proiettile.viene utilizzato per contenere i metalli in fusione in crogioliIl suo uso in applicazioni elettriche ed elettroniche è così noto che non richiede alcun dibattito. Inoltre è usato in dispositivi elettronici di potenza, LED, astronomia, pirometria a filamenti sottili,gioielliOffriamo wafer al carburo di silicio 6H di qualità eccezionale e uno sbalorditivo 99,99%.
| Nome del prodotto | Substrato di carburo di silicio, wafer di carburo di silicio, wafer di SiC, substrato di SiC |
| Struttura cristallina | 6H |
| Parametri del reticolo | 6H ((a=3,073 Å c=15,117 Å), |
| Sequenza di impilazione | 6H: ABCACB, |
| Grado | Grado di produzione, grado di ricerca, grado di simulazione |
| Tipo di conduttività | di tipo N o semisolatrici |
| Fessura di banda | 3.23 eV |
| Durezza | 9.2 (Mohs) |
| Conduttività termica @300K | 3.2~4.9 W/cm.K |
| Costanti dielettrici | e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 |
| Resistenza | 6H-SiC-N: 0,02~0,1 Ω·cm,6H-SiC-SI: >1E7 Ω·cm |
Carattere:
1Il wafer in carburo di silicio (SiC) ha ottime proprietà elettriche ed eccellenti proprietà termiche.
2I wafer in carburo di silicio (SiC) hanno proprietà di durezza superiori.
3Il carburo di silicio (SiC) ha un'elevata resistenza alla corrosione, all'erosione e all'ossidazione.
Applicazioni:
Il SiC viene utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad alta tensione e di alta potenza come diodi, transistor di potenza e dispositivi a microonde ad alta potenza.Dispositivi di alimentazione basati su SiC hanno velocità di commutazione più veloce tensioni più elevate, minore resistenza ai parassiti, dimensioni minori, meno raffreddamento richiesto a causa della capacità ad alta temperatura.
Mentre il wafer a carburo di silicio (SiC-6H) - 6H ha proprietà elettroniche superiori, il wafer a carburo di silicio (SiC-6H) - 6H è più facilmente preparato e meglio studiato.
- Elettronica di potenza: le wafer in carburo di silicio sono utilizzate nella produzione di elettronica di potenza, utilizzata in una vasta gamma di applicazioni, tra cui veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile,Equipaggiamento industrialeL'elevata conduttività termica e la bassa perdita di potenza del carburo di silicio lo rendono un materiale ideale per queste applicazioni.
- Illuminazione a LED: le wafer in carburo di silicio sono utilizzate nella produzione di illuminazione a LED.L'elevata resistenza del carburo di silicio consente di produrre LED più resistenti e duraturi rispetto alle fonti di illuminazione tradizionali.
- Dispositivi semiconduttori: i wafer in carburo di silicio sono utilizzati nella produzione di dispositivi semiconduttori, che sono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni, tra cui telecomunicazioni, informatica,e elettronica di consumoL'elevata conduttività termica e la bassa perdita di potenza del carburo di silicio lo rendono un materiale ideale per queste applicazioni.
- Cellule solari: le wafer di carburo di silicio sono utilizzate nella produzione di celle solari.L'elevata resistenza del carburo di silicio consente di produrre celle solari più durevoli e di lunga durata rispetto alle celle solari tradizionali.
Nel complesso, il wafer di carburo di silicio ZMSH è un prodotto versatile e di alta qualità che può essere utilizzato in una vasta gamma di applicazioni.e la sua elevata resistenza lo rendono un materiale ideale per dispositivi elettronici ad alta temperatura e alta potenza. con una curvatura di ≤ 50 mm, una rugosità superficiale di ≤ 1,2 nm e una resistività di alta/bassa resistività,la goccia di carburo di silicio è una scelta affidabile ed efficiente per qualsiasi applicazione che richiede una superficie piana e liscia.
FAQ:
D: Qual è il numero di modello di questo prodotto?
R: Il numero di modello di questo prodotto è Carburo di silicio.
D: Da dove viene questo prodotto?
R: Questo prodotto proviene dalla Cina.
D: Qual è la differenza tra silicio e SiC?
R: Il silicio ha una tensione di rottura di circa 600V, ma i dispositivi basati sul SiC possono sopportare tensioni fino a dieci volte superiori.I materiali a banda più larga possono anche resistere a temperature molto più elevate.
D: Il SiC è un semiconduttore?
R: Il carburo di silicio è un semiconduttore perfettamente adatto alle applicazioni di energia, grazie soprattutto alla sua capacità di resistere ad alte tensioni, fino a dieci volte superiori a quelle utilizzabili con il silicio.
Personalizzazione:
ZMSH fornisce servizi di personalizzazione dei prodotti per la nostra Wafer in Carburo di Silicio.I clienti possono scegliere tra la nostra selezione di dimensioni e specifiche di wafer per soddisfare le loro esigenze specifiche.
Il nostro Wafer in Carburo di Silicio è disponibile in diversi modelli e dimensioni, con il numero di modello Carburo di Silicio.
Offriamo una gamma di finiture superficiali, tra cui Single/Double Side Polished, con una rugosità superficiale di ≤1,2 nm e una piattezza di Lambda/10.che può essere personalizzato secondo le vostre esigenzeLa nostra EPD è ≤1E10/cm2, garantendo che i nostri wafer soddisfino i più elevati standard del settore.