Descrizione di prodotto

Sottostrato di fosfuro di indio di tipo N semiconduttore metodo di crescita VGF 000 001

Riassunto del prodotto

I nostri prodotti a base di InP (Indium Phosphide) offrono soluzioni ad alte prestazioni per una varietà di applicazioni nelle industrie delle telecomunicazioni, dell'optoelettronica e dei semiconduttori.con proprietà ottiche ed elettroniche superiori, i nostri materiali InP consentono lo sviluppo di dispositivi fotonici avanzati, tra cui laser, fotodettori e amplificatori ottici.o componenti su misura, i nostri prodotti InP offrono affidabilità, efficienza e precisione per i vostri progetti fotonici più impegnativi.

Presentazione dei prodotti

Proprietà del prodotto

1. Alta trasparenza ottica: InP presenta un'eccellente trasparenza ottica nella regione infrarosso, rendendola adatta a varie applicazioni optoelettroniche.

2. Bandgap diretto: la natura di bandgap diretto di InP consente un'efficiente emissione e assorbimento della luce, rendendolo ideale per laser e fotodettori a semiconduttori.

3. Alta mobilità elettronica: InP offre un'elevata mobilità elettronica, consentendo il trasporto rapido del vettore di carica e facilitando i dispositivi elettronici ad alta velocità.

4. Bassa conduttività termica: la bassa conduttività termica di InP aiuta a una dissipazione del calore efficiente, rendendola adatta per dispositivi optoelettronici ad alta potenza.

5. Stabilità chimica: InP dimostra una buona stabilità chimica, garantendo l'affidabilità a lungo termine dei dispositivi anche in ambienti operativi difficili.

6. Compatibilità con semiconduttori composti III-V: InP può essere integrato senza soluzione di continuità con altri semiconduttori composti III-V,che consentono lo sviluppo di eterostrutture complesse e dispositivi multifunzionali.

7. Distanza di banda tavulabile: la distanza di banda di InP può essere progettata regolando la composizione del fosforo, consentendo la progettazione di dispositivi con specifiche proprietà ottiche ed elettroniche.

8. Alta tensione di rottura: InP presenta un'alta tensione di rottura, garantendo la robustezza e l'affidabilità dei dispositivi in applicazioni ad alta tensione.

9. Bassa densità di difetti: i substrati InP e gli strati epitaxiali hanno in genere basse densità di difetti, contribuendo a elevate prestazioni e rendimento del dispositivo.

10. Compatibilità ambientale: InP è rispettoso dell'ambiente e presenta rischi minimi per la salute e l'ambiente durante la produzione e il funzionamento.

11. Parametro	2 ∆ Wafer InP dopato con S	2 Fe-doped InP Wafer
    Materiale	VGF InP Wafer a cristallo singolo	VGF InP Wafer a cristallo singolo
    Grado	Epi-pronto	Epi-pronto
    Dopanti	S	Fe
    Tipo di conduzione	S-C-N	S-I
    Diametro della wafer (mm)	50.8±0.4	50.8±0.4
    Orientazione	(100) o±0,5o	(100) o±0,5o
    LOCALITA' / Lunghezza	EJ [0-1-1] / 17±1	EJ [0-1-1] /17±1
    IF Luogo / lunghezza	EJ [0-1 1] / 7±1	EJ [0-1 1] / 7±1
    Concentrazione del vettore (cm-3)	(1~6) E 18	1.0E7 - 5.0E8
    Resistenza (Wcm)	8~15 E-4	≥1,0E7
    Mobilità (cm2/Vs)	1300 ~ 1800	≥ 2000
    EPD medio (cm-2)	≤ 500	≤ 3000
    Spessore (μm)	475 ± 15	475 ± 15
    TTV/TIR (μm)	≤ 15	≤ 15
    Arco (μm)	≤ 15	≤ 15
    Rivestimento (μm)	≤ 15	≤ 15
    Numero di particelle	N/A	N/A
    Superficie	lato anteriore: lucidato, Lato nero: inciso	lato anteriore: lucidato, Lato nero: inciso
    Imballaggio di wafer	Wafer fissato da un ragno in un vassoio individuale e sigillato con N2 in un sacchetto di schermatura statica.	Wafer fissato da un ragno in un vassoio individuale e sigillato con N2 in un sacchetto di schermatura statica.

12. Applicazioni del prodotto

13. Telecomunicazioni: i dispositivi basati su InP sono ampiamente utilizzati nelle reti di telecomunicazione per la trasmissione di dati ad alta velocità,compresi i sistemi di comunicazione in fibra ottica e la comunicazione wireless ad alta frequenza.

14. Fotonica: i materiali InP sono essenziali per lo sviluppo di vari dispositivi fotonici, quali laser a semiconduttori, fotodettori, modulatori e amplificatori ottici, utilizzati nelle telecomunicazioni,rilevamento, e applicazioni di imaging.

15. Optoelettronica: i dispositivi optoelettronici basati su InP, come i diodi emettitori di luce (LED), i diodi laser e le celle solari, trovano applicazioni in display, illuminazione, attrezzature mediche,e sistemi di energia rinnovabile.

16. Semiconduttori elettronici: i substrati InP e gli strati epitaxiali servono da piattaforme per la fabbricazione di transistor ad alte prestazioni, circuiti integrati e dispositivi a microonde per sistemi radar,comunicazioni satellitari, e applicazioni militari.

17. Sensing e imaging: i fotodettori e i sensori di imaging basati su InP sono utilizzati in varie applicazioni di sensori, tra cui spettroscopia, lidar, sorveglianza e imaging medico,a causa della loro elevata sensibilità e del loro rapido tempo di risposta.

18. Tecnologia quantistica: i punti quantistici InP e i pozzi quantistici sono esplorati per le loro potenziali applicazioni nel calcolo quantistico, nella comunicazione quantistica e nella crittografia quantistica,offrendo vantaggi in termini di coerenza e scalabilità.

19. Difesa e aerospaziale: i dispositivi InP sono utilizzati nei sistemi di difesa e aerospaziale per la loro affidabilità, il loro funzionamento ad alta velocità e la loro durezza alle radiazioni, supportando applicazioni come i sistemi radar,Guida missilistica, e comunicazioni satellitari.

20. Ingegneria biomedica: i sensori ottici e i sistemi di imaging basati su InP sono impiegati nella ricerca biomedica e nella diagnostica clinica per il monitoraggio non invasivo, l'imaging,e analisi spettroscopica di campioni biologici.

21. Monitoraggio ambientale: i sensori basati su InP sono utilizzati per applicazioni di monitoraggio ambientale, tra cui rilevamento dell'inquinamento, rilevamento dei gas e rilevamento remoto dei parametri atmosferici,contribuire agli sforzi di sostenibilità ambientale.

22. Tecnologie emergenti: l'InP continua a trovare applicazioni in tecnologie emergenti come l'elaborazione delle informazioni quantistiche, l'integrazione della fotonica del silicio e l'elettronica a terahertz,I progressi dell'informatica, comunicazione e sensibilità.

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