• Tipo sic su misura superficie lucidata lato del monocristallo sic 4H-N del wafer del doppio
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Tipo sic su misura superficie lucidata lato del monocristallo sic 4H-N del wafer del doppio

Tipo sic su misura superficie lucidata lato del monocristallo sic 4H-N del wafer del doppio

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: ZMKJ
Numero di modello: 6inch sic wafer 4h-n

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1pcs
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi
Tempi di consegna: 1-6weeks
Termini di pagamento: T / T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 1-50pcs/month
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Materiale: Tipo 4H-N di monocristallo sic Grado: Grado fittizio di /Production
Thicnkss: 0.35mm 0.5mm Suraface: doppio lato lucidato
Applicazione: prova di lucidatura del creatore del dispositivo Diametro: 150±0.5mm
Evidenziare:

substrato del carburo di silicio

,

sic wafer

Descrizione di prodotto

 

wafer dei lingotti di 2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/dei substrati del monocristallo del carburo di silicio del diametro 150mm elevata purezza 4H-N 4inch 6inch (sic), dei lingotti substrati sic di cristallo a semiconduttore sic, wafer come tagliati di Customzied del wafer di cristallo del carburo di silicio sic

Circa il cristallo del carburo di silicio (sic)

 

Il carburo di silicio (sic), anche conosciuto come carborundum, è un semiconduttore che contiene il silicio ed il carbonio con la formula chimica sic. Sic è utilizzato nei dispositivi di elettronica a semiconduttore che funzionano alle temperature elevate o alle alte tensioni, o both.SiC è inoltre una delle componenti importanti del LED, è un substrato popolare per la coltura dei dispositivi di GaN ed inoltre serve da spalmatore del calore in LED ad alta potenza.

 
1. Descrizione
Proprietà 4H-SiC, monocristallo 6H-SiC, monocristallo
Parametri della grata a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Impilamento della sequenza ABCB ABCACB
Durezza di Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densità 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coefficiente di espansione 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Indice @750nm di rifrazione

nessun = 2,61

Ne = 2,66

nessun = 2,60

Ne = 2,65

Costante dielettrica c~9.66 c~9.66
ohm.cm (N tipo e 0,02) di conducibilità termica

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Conducibilità termica (Semi-isolare)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Intervallo di banda eV 3,23 eV 3,02
Campo elettrico di ripartizione 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Velocità di deriva di saturazione 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

Wafer n-verniciato a 4 pollici del carburo di silicio 4H sic

Specificazione del substrato del carburo di silicio del diametro di elevata purezza 4inch (sic)

Tipo sic su misura superficie lucidata lato del monocristallo sic 4H-N del wafer del doppio 1

Tipo sic su misura superficie lucidata lato del monocristallo sic 4H-N del wafer del doppio 2Tipo sic su misura superficie lucidata lato del monocristallo sic 4H-N del wafer del doppio 3

Tipo sic su misura superficie lucidata lato del monocristallo sic 4H-N del wafer del doppio 4

Circa sic applicazioni dei substrati
 
Tipo sic su misura superficie lucidata lato del monocristallo sic 4H-N del wafer del doppio 5
 
CATALOGO   DIMENSIONE COMUNE
                            
 

 

4 H-N Type/wafer/lingotti elevata purezza sic
Sic wafer N tipo a 2 pollici 4H/lingotti
Sic wafer N tipo a 3 pollici 4H
Sic wafer N tipo a 4 pollici 4H/lingotti
Sic wafer N tipo a 6 pollici 4H/lingotti

 

4H cheisola/wafer elevata purezza sic

4H a 2 pollici cheisola sic wafer
4H a 3 pollici cheisola sic wafer
4H a 4 pollici cheisola sic wafer
4H a 6 pollici cheisola sic wafer
 
 
sic wafer N tipo 6H
Sic wafer N tipo a 2 pollici 6H/lingotto

 
 Dimensione di Customzied per 2-6inch
 
 

Circa ZMKJ Company

 

ZMKJ può fornisce il wafer del monocristallo di alta qualità sic (carburo di silicio) all'industria elettronica ed optoelettronica. Sic il wafer è un materiale a semiconduttore della prossima generazione, con le proprietà elettriche uniche e le proprietà termiche eccellenti, confrontate alla lastra di silicio ed al wafer di GaAs, sic wafer è più adatte ad applicazione del dispositivo di alto potere e di temperatura elevata. Sic il wafer può essere fornito di diametro a 2-6 pollici, sia 4H che 6H sic, N tipo, azoto verniciato e tipo d'isolamento disponibile. Contattici prego per più informazioni di prodotto.

 

FAQ:

Q: Che cosa è il modo di trasporto e di costo?

: (1) accettiamo DHL, Fedex, lo SME ecc.

(2) è benissimo se avete vostro proprio conto preciso, se non, noi potrebbe aiutarvi a spedirli e

Il trasporto è conforme allo stabilimento reale.

 

Q: Come pagare?

: Deposito di T/T 100% prima della consegna.

 

Q: Che cosa è il vostro MOQ?

: (1) per l'inventario, il MOQ è 1pcs. se 2-5pcs è migliore.

(2) per i prodotti comuni su misura, il MOQ è 10pcs su.

 

Q: Che cosa è il termine di consegna?

: (1) per i prodotti standard

Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.

Per i prodotti su misura: la consegna è di 2 -4 settimane dopo voi contatto di ordine.

 

Q: Avete prodotti standard?

: I nostri prodotti standard in azione. come substrati simili 4inch 0.35mm.

 

Vuoi conoscere maggiori dettagli su questo prodotto
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Grazie!
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