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wafer 6H-N/4 H-N Dummy sic Crystal Wafers For Device Test del carburo di silicio di 2Inch 4inch
Dettagli:
| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | ZMKJ |
| Numero di modello: | 2inch*0.625mmt |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 10pcs |
|---|---|
| Prezzo: | by case |
| Imballaggi particolari: | singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi |
| Tempi di consegna: | 2-quattro settimane |
| Termini di pagamento: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Capacità di alimentazione: | 1-50pcs/month |
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Informazioni dettagliate |
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| Materiale: | Tipo 4H-N di monocristallo sic | Grado: | Manichino/grado produzione di ricerca |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.625MM | Suraface: | come tagliato |
| Applicazione: | prova polacca del dispositivo | Diametro: | 50.8mm |
| Evidenziare: | substrato del carburo di silicio,sic wafer |
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Descrizione di prodotto
Wafer come tagliati dei lingotti di Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/dei substrati wafersS/Customzied del monocristallo del carburo di silicio del diametro 150mm elevata purezza 4H-N 4inch 6inch (sic) sic
Circa il cristallo del carburo di silicio (sic)
Il carburo di silicio (sic), anche conosciuto come carborundum, è un semiconduttore che contiene il silicio ed il carbonio con la formula chimica sic. Sic è utilizzato nei dispositivi di elettronica a semiconduttore che funzionano alle temperature elevate o alle alte tensioni, o both.SiC è inoltre una delle componenti importanti del LED, è un substrato popolare per la coltura dei dispositivi di GaN ed inoltre serve da spalmatore del calore in LED ad alta potenza.
PROPRIETÀ MATERIALI DEL CARBURO DI SILICIO
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Proprietà |
4H-SiC, monocristallo |
6H-SiC, monocristallo |
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Parametri della grata |
a=3.076 Å c=10.053 Å |
a=3.073 Å c=15.117 Å |
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Impilamento della sequenza |
ABCB |
ABCACB |
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Durezza di Mohs |
≈9,2 |
≈9,2 |
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Densità |
3,21 g/cm3 |
3,21 g/cm3 |
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Therm. Coefficiente di espansione |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
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Indice @750nm di rifrazione |
nessun = 2,61 Ne = 2,66 |
nessun = 2,60 Ne = 2,65 |
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Costante dielettrica |
c~9.66 |
c~9.66 |
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ohm.cm (N tipo e 0,02) di conducibilità termica |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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Conducibilità termica (Semi-isolare) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
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Intervallo di banda |
eV 3,23 |
eV 3,02 |
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Campo elettrico di ripartizione |
3-5×106V/cm |
3-5×106V/cm |
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Velocità di deriva di saturazione |
2,0×105 m/s |
2,0×105 m/s |
Specificazione a 2 pollici del substrato del carburo di silicio del diametro (sic)
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Grado |
Grado di produzione |
Grado di ricerca |
Grado fittizio |
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Diametro |
50,8 mm±0.38 millimetro |
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Spessore |
330 μm±25μm o customzied |
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Orientamento del wafer |
Sull'asse: <0001> ±0.5° per 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI fuori dall'asse: 4.0° verso il 1120 del ±0.5° per 4H-N/4H-SI |
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Densità di Micropipe |
cm2 ≤5 |
cm2 ≤15 |
cm2 ≤50 |
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Resistività |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
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6H-N |
0.02~0.1 Ω·cm |
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4/6H-SI |
>1E5 Ω·cm |
(90%) >1E5 Ω·cm |
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Piano primario |
{10-10} ±5.0° |
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Lunghezza piana primaria |
15,9 mm±1.7 millimetro |
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Lunghezza piana secondaria |
8,0 mm±1.7 millimetro |
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Orientamento piano secondario |
Silicio rivolto verso l'alto: 90° CW. da ±5.0° piano principale |
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Esclusione del bordo |
1 millimetro |
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TTV/Bow /Warp |
≤15μm/≤25μm/≤25μm |
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Rugosità |
Ra≤1 polacco nanometro |
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CMP Ra≤0.5 nanometro |
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Nessuno |
Nessuno |
1 conceduto, ≤1 millimetro |
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Piatti della sfortuna da luce ad alta intensità |
Area≤ cumulativo 1% |
Area≤ cumulativo 1% |
Area≤ cumulativo 3% |
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Nessuno |
Area≤ cumulativo 2% |
Area≤5% cumulativo |
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3 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer |
5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer |
8 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer |
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Chip del bordo |
Nessuno |
3 conceduti, ≤0.5 millimetro ciascuno |
5 conceduti, ≤1 millimetro ciascuno |
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4 H-N Type/wafer/lingotti elevata purezza sic
Sic wafer N tipo a 2 pollici 4H/lingotti
Sic wafer N tipo a 3 pollici 4H Sic wafer N tipo a 4 pollici 4H/lingotti Sic wafer N tipo a 6 pollici 4H/lingotti |
4H a 2 pollici cheisola sic wafer
4H a 3 pollici cheisola sic wafer 4H a 4 pollici cheisola sic wafer 4H a 6 pollici cheisola sic wafer |
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sic wafer N tipo 6H
Sic wafer N tipo a 2 pollici 6H/lingotto |
Dimensione di Customzied per 2-6inch
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Circa ZMKJ Company
ZMKJ può fornisce il wafer del monocristallo di alta qualità sic (carburo di silicio) all'industria elettronica ed optoelettronica. Sic il wafer è un materiale a semiconduttore della prossima generazione, con le proprietà elettriche uniche e le proprietà termiche eccellenti, confrontate alla lastra di silicio ed al wafer di GaAs, sic wafer è più adatte ad applicazione del dispositivo di alto potere e di temperatura elevata. Sic il wafer può essere fornito di diametro a 2-6 pollici, sia 4H che 6H sic, N tipo, azoto verniciato e tipo d'isolamento disponibile. Contattici prego per più informazioni di prodotto.
I nostri prodotti di relazione
Wafer di cristallo LaAlO3/SrTiO3/wafer Ruby Ball/wafer della lente LiTaO3 del wafer& dello zaffiro sic di Gap
FAQ:
Q: Che cosa è il modo del termine di trasporto e di costo e di paga?
: (1) accettiamo in anticipo 100% T/T da DHL, da Fedex, dallo SME ecc.
(2) se avete vostro proprio conto preciso, è grande. Se non, potremmo aiutarvi a spedirli.
Il trasporto è conforme allo stabilimento reale.
Q: Che cosa è il vostro MOQ?
: (1) per l'inventario, il MOQ è 2pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10pcs su.
Q: Posso personalizzare i prodotti basati sul mio bisogno?
: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche e la forma, dimensione basata sui vostri bisogni.
Q: Che cosa è il termine di consegna?
: (1) per i prodotti standard
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane dopo che ordinate.
(2) per i prodotti a forma di speciale, la consegna è 4 settimane lavorative dopo che ordinate.