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Dettagli dei prodotti

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Wafer del carburo di silicio
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Doppio wafer 2-6» 4H N - wafer sic verniciati del carburo di silicio del polacco del lato

Doppio wafer 2-6» 4H N - wafer sic verniciati del carburo di silicio del polacco del lato

Marchio: ZMKJ
Numero di modello: Dimensione di Customzied
MOQ: 1pcs
prezzo: 600-1500usd/pcs by FOB
Dettagli dell' imballaggio: singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi
Condizioni di pagamento: T / T, Western Union, MoneyGram
Informazione dettagliata
Luogo di origine:
La Cina
Materiale:
Tipo del monocristallo sic 4H-N
Grado:
Manichino/grado /Production di ricerca
Thicnkss:
4 su misura
Suraface:
LP/LP o come tagliato
Applicazione:
prova di lucidatura del creatore del dispositivo
Diametro:
150±0.5mm
Capacità di alimentazione:
1-50pcs/month
Evidenziare:

substrato del carburo di silicio

,

silicio sui wafer dello zaffiro

Descrizione di prodotto

Wafer dei substrati del monocristallo del carburo di silicio del diametro 150mm del grado 6inch di prova 4H-N (sic), dei lingotti substrati sic di cristallo a semiconduttore sic, wafer di cristallo del carburo di silicio

Circa il cristallo del carburo di silicio (sic)  

Il carburo di silicio (sic), anche conosciuto come carborundum, è un semiconduttore che contiene il silicio ed il carbonio con la formula chimica sic. Sic è utilizzato nei dispositivi di elettronica a semiconduttore che funzionano alle temperature elevate o alle alte tensioni, o both.SiC è inoltre una delle componenti importanti del LED, è un substrato popolare per la coltura dei dispositivi di GaN ed inoltre serve da spalmatore del calore in LED ad alta potenza

 

Doppio wafer 2-6» 4H N - wafer sic verniciati del carburo di silicio del polacco del lato 0

Sic specificazione conduttiva a 4 pollici del wafer
Prodotto 4H-SiC
Grado Grado I Grado II Grado III
aree policristalline Nessuno hanno permesso Nessuno hanno permesso <5>
aree del polytype Nessuno hanno permesso ≤20% 20% ~ 50%
Densità di Micropipe) <>5micropipes/cm-2 <>30micropipes/cm-2 <100micropipes>-2
Area utilizzabile totale >95% >80% N/A
Diametro 100,0 millimetri +0/-0.5 millimetri
Spessore 500 μm del ± 25 del μm o specificazione del cliente
Dopant tipo di n: azoto
Orientamento piano primario) Perpendicolare<11-20> a ± 5.0°
Lunghezza piana primaria 32,5 millimetri di ± 2,0 millimetri
Orientamento piano secondario) 90° CW da ± piano primario 5.0°
Lunghezza piana secondaria) 18,0 millimetri di ± 2,0 millimetri
Sull'orientamento del wafer di asse) ± 0.25° {di 0001}
Fuori dall'orientamento del wafer di asse 4.0° verso <11-20> ± 0.5° o la specificazione del cliente
TTV/BOW/Warp <>5μm/<10>μm/< 20="">
Resistività 0.01~0.03 ×cm di Ω
Finitura superficia Lucidatura del fronte di C. CMP del fronte di si (fronte di si: Rq<> 0,15 nanometri) o specificazione del cliente

Doppia lucidatura del lato

 
Doppio wafer 2-6» 4H N - wafer sic verniciati del carburo di silicio del polacco del lato 1Doppio wafer 2-6» 4H N - wafer sic verniciati del carburo di silicio del polacco del lato 2

 

Circa i nostri ZMKJ Company
IL COMMERCIO FAMOSO IL CO., srl di SHANGHAI individua nella città di Shanghai, che è la migliore città della Cina e la nostra fabbrica è fondata nella città di Wuxi nel 2014.
Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati ed il vetro ottico custiomized parts.components ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'optoelettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S.
È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dai nostri buoni reputatiaons.
Doppio wafer 2-6» 4H N - wafer sic verniciati del carburo di silicio del polacco del lato 3
 
DIMENSIONE DEL TERRENO COMUNALE DEL CATALOGO                             
Wafer del tipo 4H-N/elevata purezza sic
Sic wafer N tipo a 2 pollici 4H
Sic wafer N tipo a 3 pollici 4H
Sic wafer N tipo a 4 pollici 4H
Sic wafer N tipo a 6 pollici 4H

 

4H cheisola/wafer elevata purezza sic

4H a 2 pollici cheisola sic wafer
4H a 3 pollici cheisola sic wafer
4H a 4 pollici cheisola sic wafer
4H a 6 pollici cheisola sic wafer
 
 
sic wafer N tipo 6H
Sic wafer N tipo a 2 pollici 6H

 
 
 

 

Vendite & servizio di assistenza al cliente               

Acquisto dei materiali

Il reparto acquisti dei materiali è responsabile riunire tutte le materie prime state necessarie per produrre il vostro prodotto. La tracciabilità completa di tutti i prodotti e materiali, compreso l'analisi chimica e fisica è sempre disponibile.

Qualità

Durante e dopo la fabbricazione o lavorare di vostri prodotti, il dipartimento di controllo di qualità è compreso nell'assicurarsi che tutti i materiali e tolleranze rispondano o superino alla vostra specificazione.

 

Servizio

Ci vantiamo nell'avere personale di tecnica di vendita con in 5 anni di esperienze nell'industria a semiconduttore. Sono preparate per rispondere alle domande tecniche come pure per fornire le citazioni tempestive per i vostri bisogni.

siamo sul vostro lato da in qualunque momento quando avete problema e lo risolviamo in 10hours.