Marchio: | ZMKJ |
Numero di modello: | Dimensione di Customzied |
MOQ: | 1pcs |
prezzo: | 600-1500usd/pcs by FOB |
Dettagli dell' imballaggio: | singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi |
Condizioni di pagamento: | T / T, Western Union, MoneyGram |
Wafer dei substrati del monocristallo del carburo di silicio del diametro 150mm del grado 6inch di prova 4H-N (sic), dei lingotti substrati sic di cristallo a semiconduttore sic, wafer di cristallo del carburo di silicio
Il carburo di silicio (sic), anche conosciuto come carborundum, è un semiconduttore che contiene il silicio ed il carbonio con la formula chimica sic. Sic è utilizzato nei dispositivi di elettronica a semiconduttore che funzionano alle temperature elevate o alle alte tensioni, o both.SiC è inoltre una delle componenti importanti del LED, è un substrato popolare per la coltura dei dispositivi di GaN ed inoltre serve da spalmatore del calore in LED ad alta potenza
Sic specificazione conduttiva a 4 pollici del wafer | ||||
Prodotto | 4H-SiC | |||
Grado | Grado I | Grado II | Grado III | |
aree policristalline | Nessuno hanno permesso | Nessuno hanno permesso | <5> | |
aree del polytype | Nessuno hanno permesso | ≤20% | 20% ~ 50% | |
Densità di Micropipe) | <>5micropipes/cm-2 | <>30micropipes/cm-2 | <100micropipes>-2 | |
Area utilizzabile totale | >95% | >80% | N/A | |
Diametro | 100,0 millimetri +0/-0.5 millimetri | |||
Spessore | 500 μm del ± 25 del μm o specificazione del cliente | |||
Dopant | tipo di n: azoto | |||
Orientamento piano primario) | Perpendicolare<11-20> a ± 5.0° | |||
Lunghezza piana primaria | 32,5 millimetri di ± 2,0 millimetri | |||
Orientamento piano secondario) | 90° CW da ± piano primario 5.0° | |||
Lunghezza piana secondaria) | 18,0 millimetri di ± 2,0 millimetri | |||
Sull'orientamento del wafer di asse) | ± 0.25° {di 0001} | |||
Fuori dall'orientamento del wafer di asse | 4.0° verso <11-20> ± 0.5° o la specificazione del cliente | |||
TTV/BOW/Warp | <>5μm/<10>μm/< 20=""> | |||
Resistività | 0.01~0.03 ×cm di Ω | |||
Finitura superficia | Lucidatura del fronte di C. CMP del fronte di si (fronte di si: Rq<> 0,15 nanometri) o specificazione del cliente |
Doppia lucidatura del lato |
Wafer del tipo 4H-N/elevata purezza sic
Sic wafer N tipo a 2 pollici 4H
Sic wafer N tipo a 3 pollici 4H Sic wafer N tipo a 4 pollici 4H Sic wafer N tipo a 6 pollici 4H |
4H cheisola/wafer elevata purezza sic 4H a 2 pollici cheisola sic wafer
4H a 3 pollici cheisola sic wafer 4H a 4 pollici cheisola sic wafer 4H a 6 pollici cheisola sic wafer |
sic wafer N tipo 6H
Sic wafer N tipo a 2 pollici 6H |
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