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Wafer SiC semisolatrici da 3 pollici 76,2 mm 4H tipo SiC per semiconduttori
Dettagli:
| Luogo di origine: | Cina |
| Marca: | ZMSH |
| Numero di modello: | Wafer SiC semisolatrici da 3 pollici |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Tempi di consegna: | 2-4 settimane |
| Termini di pagamento: | T/T |
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Informazioni dettagliate |
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| Dimensione: | 3 pollici 76,2 mm | Sistema cristallino: | Sessagonale |
|---|---|---|---|
| L'intervallo energetico:E.g.: | 3,26 | Mobilità elettronica: μ,(cm^2 /Vs): | 900 |
| Mobilità del foro:up ((cm^2): | 100 | Campo di ripartizione: E ((V/cm) X10^6: | 3 |
| Conduttività termica ((W/cm): | 4,9 | Costante dielettrica relativa: es: | 9,7 |
| Evidenziare: | Semiconduttori Wafer SiC,Wafer SiC semisolatrici,Wafer al carburo di silicio da 3 pollici |
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Descrizione di prodotto
Riassunto
La 4-HSemi-isolatori SiCIl substrato è un materiale semiconduttore ad alte prestazioni con una vasta gamma di applicazioni.Questo substrato presenta caratteristiche elettriche eccezionali, con elevata resistività e bassa concentrazione di vettore, che lo rende una scelta ideale per dispositivi elettronici a radiofrequenza (RF), a microonde e di potenza.
Caratteristiche principali del 4-HSiC semisolatoreil substrato ha proprietà elettriche molto uniformi, una bassa concentrazione di impurità e una eccezionale stabilità termica.Questi attributi lo rendono adatto per la fabbricazione di dispositivi di potenza RF ad alta frequenza, sensori elettronici ad alta temperatura e apparecchiature elettroniche a microonde.La sua elevata resistenza al campo di rottura e l'eccellente conduttività termica la posizionano anche come il substrato preferito per dispositivi ad alta potenza.
Inoltre, il 4-HSemi-isolatori SiCIl substrato dimostra un'eccellente stabilità chimica, che gli consente di operare in ambienti corrosivi e di ampliare la sua gamma di applicazioni.Svolge un ruolo fondamentale in settori come la produzione di semiconduttori, telecomunicazioni, difesa e esperimenti di fisica ad alta energia.
In sintesi, il 4-HSiC semisolatoreun supporto con proprietà elettriche e termiche eccezionali,è molto promettente nel campo dei semiconduttori e fornisce una base affidabile per la produzione di dispositivi elettronici ad alte prestazioni.
Proprietà
Proprietà elettriche:
- Alta resistenza:4H Semi-isolatori SiCha una resistenza molto elevata, che lo rende un materiale eccellente per applicazioni di semi-isolamento dove si desidera una bassa conduttività elettrica.
- Dato il suo ampio intervallo di banda,4H Semi-isolatore SiCha un'elevata tensione di rottura, che lo rende adatto per applicazioni ad alta potenza e alta tensione.
Proprietà termiche:
- Alta conduttività termica:SiCin generale ha una elevata conducibilità termica e questa proprietà si estende a 4-H Semi-IsolatoreSiCInoltre, aiuta a dissipare il calore in modo efficiente.
- Stabilità termica: questo materiale mantiene le sue proprietà e prestazioni anche a temperature elevate, rendendolo adatto per l'uso in ambienti termici difficili.
Proprietà meccaniche e fisiche:
- Durezza: Come altre forme diSiC, il4-H semisolatoriLa variante è anche molto dura e resistente all'abrasione.
- Inertezza chimica: è chimicamente inerte e resistente alla maggior parte degli acidi e delle alcali, garantendo stabilità e longevità in ambienti chimici difficili.
| Politipo | Cristale singolo 4H | ||
| Parametri del reticolo | a=3,076 A C=10,053 A |
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| Sequenza di impilazione | ABCB | ||
| Fessura di banda | 3.26 eV | ||
| Densità | 3.21 10^3 kg/m^3 | ||
| Coefficiente di espansione termico | 4-5x10^-6/K | ||
| Indice di rifrazione | no = 2.719 ne = 2.777 |
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| Costante dielettrica | 9.6 | ||
| Conduttività termica | 490 W/mK | ||
| Campo elettrico di rottura | 2-4 108 V/m | ||
| Velocità della deriva di saturazione | 2.0 105 m/s | ||
| Mobilità elettronica | 800 cm^2NS | ||
| Mobilità del foro | 115 cm^2N·S | ||
| Durezza di Mohs | 9 |
Proprietà ottiche:
- Trasparenza in infrarossi:4H SiC semisolatoreè trasparente alla luce infrarossa, che può essere utile in alcune applicazioni ottiche.
Vantaggi per applicazioni specifiche:
- Elettronica: ideale per dispositivi ad alta frequenza e ad alta potenza a causa della sua elevata tensione di rottura e conducibilità termica.
- Optoelettronica: adatta per dispositivi optoelettronici che operano nella regione infrarossi.
- Dispositivi di alimentazione: utilizzati nella produzione di dispositivi di alimentazione come i diodi Schottky, i MOSFET e gli IGBT.
4H SiC semisolatoreè un materiale versatile utilizzato in varie applicazioni ad alte prestazioni grazie alle sue eccezionali proprietà elettriche, termiche e fisiche.
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