Descrizione di prodotto

Riassunto

 
La 4-HSiC semisolatoreIl substrato è un materiale semiconduttore ad alte prestazioni con una vasta gamma di applicazioni.Questo substrato presenta caratteristiche elettriche eccezionali, con elevata resistività e bassa concentrazione di vettore, che lo rende una scelta ideale per dispositivi elettronici a radiofrequenza (RF), a microonde e di potenza.
 
Caratteristiche principali del 4-HSiC semisolatoreil substrato ha proprietà elettriche molto uniformi, una bassa concentrazione di impurità e una eccezionale stabilità termica.Questi attributi lo rendono adatto per la fabbricazione di dispositivi di potenza RF ad alta frequenza, sensori elettronici ad alta temperatura e apparecchiature elettroniche a microonde.La sua elevata resistenza al campo di rottura e l'eccellente conduttività termica la posizionano anche come il substrato preferito per dispositivi ad alta potenza.
 
Inoltre, il 4-HSiC semisolatoreIl substrato dimostra un'eccellente stabilità chimica, che gli consente di operare in ambienti corrosivi e di ampliare la sua gamma di applicazioni.Svolge un ruolo fondamentale in settori come la produzione di semiconduttori, telecomunicazioni, difesa e esperimenti di fisica ad alta energia.
 
In sintesi, il 4-HSiC semisolatoreun supporto con proprietà elettriche e termiche eccezionali,è molto promettente nel campo dei semiconduttori e fornisce una base affidabile per la produzione di dispositivi elettronici ad alte prestazioni.
 

Proprietà

Dispositivi elettronici ad alta potenza:SiC semisolatoreè ideale per dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenza a causa della sua elevata tensione di rottura e elevata conduttività termica.
 
Dispositivi RF: data la sua elevata conduttività termica e la bassa perdita,SiC semisolatoreviene utilizzato in dispositivi RF quali amplificatori di potenza a microonde e transistor RF.
 
Dispositivi optoelettronici:SiC semisolatorepresenta anche eccellenti proprietà optoelettroniche, che lo rendono adatto per la produzione di LED, laser e fotodetettori.
 
Dispositivi elettronici in ambienti ad alta temperatura: l'elevato punto di fusione del materiale e l'eccellente stabilità chimica lo rendonoSiC semisolatoreampiamente utilizzati nei dispositivi elettronici che operano in ambienti ad alta temperatura, come nel controllo dei processi aerospaziali, automobilistici e industriali.
 
Dispositivi resistenti alle radiazioni:SiC semisolatoreè altamente resistente alle radiazioni, il che lo rende adatto ai dispositivi elettronici resistenti alle radiazioni nei reattori nucleari e nelle applicazioni spaziali.
 
Sensori: le proprietà uniche diSiC semisolatoreIl materiale è adatto per la fabbricazione di vari tipi di sensori, quali sensori di temperatura, sensori di pressione e sensori chimici.
 

Caratteristiche:

Alta resistenza:SiC semisolatoreha una resistenza molto elevata, il che significa che può impedire efficacemente il flusso di corrente elettrica, rendendolo adatto per l'uso come strato isolante in dispositivi elettronici ad alta potenza
 
Alta conduttività termica:SiCIl materiale ha una conduttività termica molto elevata, che aiuta a dissipare il calore dai dispositivi in modo rapido ed efficiente, migliorando così le prestazioni e l'affidabilità dei dispositivi.
 
Alta tensione di rottura:SiC semisolatoreha una tensione di rottura molto elevata, il che significa che può funzionare in applicazioni ad alta tensione senza subire un guasto elettrico.
 
Eccellente stabilità chimica:SiCrimane chimicamente stabile in una vasta gamma di temperature ed è altamente resistente alla maggior parte degli acidi e delle basi.
 
Punto di fusione elevatoSiCha un punto di fusione eccezionalmente elevato, circa 2.730°C (4.946°F), che gli consente di mantenere la stabilità in ambienti ad estrema temperatura.
 
Tolleranza alle radiazioni: semisolatoreSiCpresenta un'elevata tolleranza alle radiazioni, che lo rende eccellente nelle applicazioni nucleari e spaziali.
 
Eccellenti proprietà meccaniche:SiCE' un materiale molto duro, con un'eccellente resistenza all'usura e una grande resistenza.
 
Semiconduttore a banda larga:SiCè un semiconduttore a banda larga, con elevata mobilità elettronica e bassa corrente di fuga, che si traduce in prestazioni eccezionali nei dispositivi elettronici ad alta temperatura e ad alta frequenza.
 

Imballaggio e trasporto:

Le wafer di carburo di silicio (SiC) sono sottili fette di materiale semiconduttore utilizzate principalmente per l'elettronica di potenza.è importante seguire le istruzioni di imballaggio e di spedizione corrette.

Imballaggio

• I wafer devono essere spediti in un pacchetto sicuro ESD.
• Ogni wafer deve essere avvolto in un materiale sicuro per l'ESD, come una schiuma o un involucro a bolle ESD.
• La confezione deve essere sigillata con nastro di sicurezza ESD.
• L'imballaggio deve essere etichettato con il simbolo di sicurezza ESD e l'adesivo "Fragile".