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Chip sic di cristallo su misura 4H-N del wafer 10x10x0.5mm del carburo di silicio di dimensione
Dettagli:
| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | ZMKJ |
| Numero di modello: | 10x10x0.5mmt |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1pcs |
|---|---|
| Prezzo: | by case |
| Imballaggi particolari: | singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi |
| Tempi di consegna: | 1-6weeks |
| Termini di pagamento: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Capacità di alimentazione: | 1-50pcs/month |
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Informazioni dettagliate |
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| Materiale: | Tipo del monocristallo sic 4H-N | Grado: | Grado fittizio di /Production |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0,5 mm | Suraface: | Lucido |
| Applicazione: | prova del cuscinetto | Diametro: | 10x10x0.5mmt |
| colore: | Testa di Moro | ||
| Evidenziare: | silicio sui wafer dello zaffiro,sic wafer |
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Descrizione di prodotto
Wafer come tagliati dei lingotti di Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/dei substrati wafersS/Customzied del monocristallo del carburo di silicio del diametro 150mm elevata purezza 4H-N 4inch 6inch (sic) sic
Circa il cristallo del carburo di silicio (sic)
Il carburo di silicio (sic), anche conosciuto come carborundum, è un semiconduttore che contiene il silicio ed il carbonio con la formula chimica sic. Sic è utilizzato nei dispositivi di elettronica a semiconduttore che funzionano alle temperature elevate o alle alte tensioni, o both.SiC è inoltre una delle componenti importanti del LED, è un substrato popolare per la coltura dei dispositivi di GaN ed inoltre serve da spalmatore del calore in LED ad alta potenza.
| Proprietà | 4H-SiC, monocristallo | 6H-SiC, monocristallo |
| Parametri della grata | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Impilamento della sequenza | ABCB | ABCACB |
| Durezza di Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densità | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coefficiente di espansione | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Indice @750nm di rifrazione | nessun = 2,61 | nessun = 2,60 |
| Costante dielettrica | c~9.66 | c~9.66 |
| ohm.cm (N tipo e 0,02) di conducibilità termica | a~4.2 W/cm·K@298K | |
| Conducibilità termica (Semi-isolare) | a~4.9 W/cm·K@298K | a~4.6 W/cm·K@298K |
| Intervallo di banda | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo elettrico di ripartizione | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Velocità di deriva di saturazione | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Specificazione del substrato del carburo di silicio del diametro di elevata purezza 4inch (sic)
Tipo 4H-N/wafer/lingotti elevata purezza sic Sic wafer N tipo a 2 pollici 4H/lingotti Sic wafer N tipo a 3 pollici 4H Sic wafer N tipo a 4 pollici 4H/lingotti Sic wafer N tipo a 6 pollici 4H/lingotti | 4H a 2 pollici cheisola sic wafer 4H a 3 pollici cheisola sic wafer 4H a 4 pollici cheisola sic wafer 4H a 6 pollici cheisola sic wafer |
sic wafer N tipo 6H Sic wafer N tipo a 2 pollici 6H/lingotto | Dimensione di Customzied per 2-6inch |
Circa ZMKJ Company
La latta di ZMKJ fornisce il wafer del monocristallo di alta qualità sic (carburo di silicio) all'industria elettronica ed optoelettronica. Sic il wafer è un materiale a semiconduttore della prossima generazione, con le proprietà elettriche uniche e le proprietà termiche eccellenti, confrontate alla lastra di silicio ed al wafer di GaAs, sic wafer è più adatte ad applicazione del dispositivo di alto potere e di temperatura elevata. Sic il wafer può essere fornito di diametro a 2-6 pollici, sia 4H che 6H sic, N tipo, azoto verniciato e tipo d'isolamento disponibile. Contattici prego per più informazioni di prodotto.
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