Fornace SiC PVT Lely TSSG & LPE sistemi di crescita dei cristalli per la produzione di carburo di silicio

Forno SiC: PVT, Lely, TSSG e sistemi di crescita dei cristalli LPE per la produzione di carburo di silicio di alta qualità

Astratto del forno di crescita del carburo di silicio

Offriamo una gamma completa diForni per la crescita dei cristalli di carburo di silicio (SiC), compresoPVT (Transporto fisico a vapore),Lely (metodo di induzione), eTSSG/LPE (crescita della fase liquida)tecnologie.

Il nostroForni PVTfornire cristalli di SiC di alta qualità con un controllo preciso della temperatura, ideale per i semiconduttori.Fornaci di Lelyutilizzare il riscaldamento per induzione elettromagnetica per la crescita di cristalli di SiC di grandi dimensioni con eccellente uniformità e difetti minimi.Forni TSSG/LPEsono specializzati nella produzione di cristalli di SiC ultra-puri e strati epitaxiali per dispositivi di potenza e optoelettronica avanzati.

Sostenuti da avanzata automazione, sistemi di precisione e progetti robusti, i nostri forni soddisfano diverse esigenze industriali e di ricerca.soluzioni ad alte prestazioni per la crescita dei cristalli di SiC per supportare applicazioni all'avanguardia nella produzione di materiali ad alta tecnologia.

Proprietà del forno di crescita del carburo di silicio

1. Metodo PVT (trasporto fisico del vapore)

• Principio: utilizza il riscaldamento resistivo per sublimare il materiale sorgente di SiC, che poi si condensa su un cristallo di seme per formare cristalli di SiC.

• Applicazione: principalmente per la produzione di singoli cristalli di SiC di grado semiconduttore.

• Vantaggi:
  • Produzione conveniente.
  • E' adatto per la crescita di cristalli su scala media.

• Caratteristiche chiave:
  • Impiega componenti di grafite di alta purezza come crogioli e contenitori di semi.
  • Controllo avanzato della temperatura tramite termocoppie e sensori a infrarossi.
  • Il vuoto e i sistemi di flusso di gas inerti assicurano un'atmosfera controllata.
  • I sistemi PLC automatizzati migliorano la precisione e la ripetibilità.
  • I sistemi integrati di raffreddamento e di trattamento dei gas di scarico mantengono la stabilità del processo.

2Metodo Lely (riscaldamento ad induzione)

• Principio: utilizza l'induzione elettromagnetica ad alta frequenza per riscaldare il crogiolo e sublimare la polvere di SiC per la crescita dei cristalli.

• Applicazione: Ideale per la crescita di cristalli di SiC di grandi dimensioni a causa dell'uniformità superiore della temperatura.

• Vantaggi:
  • Alta efficienza termica e riscaldamento uniforme.
  • Riduce i difetti cristallini durante la crescita.

• Caratteristiche chiave:
  • Equipaggiato con bobine di induzione in rame e crogioli rivestiti di SiC.
  • Dispone di camere a vuoto ad alta temperatura per un funzionamento stabile.
  • Controllo preciso della temperatura e del flusso di gas.
  • PLC e sistemi di controllo remoto per una maggiore automazione.
  • Sistemi di raffreddamento e di scarico efficienti per garantire sicurezza e affidabilità.

3. Metodo TSSG/LPE (crescita della fase liquida)

• Principio: scioglie il SiC in un metallo fuso ad alta temperatura e produce cristalli mediante raffreddamento controllato (TSSG) o deposita strati di SiC su un substrato (LPE).

• Applicazione: Produce cristalli di SiC di altissima purezza e strati epitaxiali per l'energia e l'optoelettronica.

• Vantaggi:
  • Bassa densità di difetti e crescita di cristalli di alta qualità.
  • Adatto sia per i cristalli sfusi che per le deposizioni a film sottile.

• Caratteristiche chiave:
  • Utilizzano crogioli compatibili con il SiC (ad esempio, grafite o tantalio).
  • Offre sistemi di riscaldamento precisi per temperature fino a 2100°C.
  • Meccanismi di rotazione/posizionamento altamente controllati per una crescita uniforme.
  • Controllo automatizzato dei processi e sistemi di raffreddamento efficienti.
  • Adattabile a varie applicazioni, compresa l'elettronica ad alta potenza.

Le foto di Silicon Carbide Crystal Growth Furnace

Il nostro servizio

1. Soluzioni su misura
   Forniamo soluzioni personalizzate per forni a carburo di silicio (SiC), comprese le tecnologie PVT, Lely e TSSG/LPE, su misura per soddisfare le vostre esigenze specifiche.Ci assicuriamo che i nostri sistemi si allineano con i vostri obiettivi di produzione.
    

2. Formazione dei clienti
   Offriamo una formazione completa per garantire che il tuo team capisca pienamente come operare e mantenere i nostri forni.
    

3. Installazione in loco e messa in servizio
   Il nostro team installa e mette in servizio personalmente i forni a SiC nella vostra sede, assicurando una regolare installazione e conducendo un accurato processo di verifica per garantire che il sistema sia pienamente operativo.
    

4. Supporto post-vendita
   Il nostro team è pronto ad assistere con le riparazioni in loco e la risoluzione dei problemi per ridurre al minimo i tempi di fermo e mantenere il funzionamento delle apparecchiature senza intoppi.
    

Siamo impegnati ad offrire forni di alta qualità e supporto continuo per garantire il vostro successo nella crescita dei cristalli di SiC.

Domande e risposte

D:Qual è il metodo di trasporto fisico del vapore della PVT?

A:IlTrasporto fisico del vapore (PVT)il metodo è una tecnica utilizzata per la coltivazione di cristalli di alta qualità, in particolare per materiali come il carburo di silicio (SiC).un materiale solido viene riscaldato in vuoto o in un ambiente a bassa pressione per sublimarlo (convertire direttamente da solido in vapore), che poi attraversa il sistema e si deposita come cristallo su un substrato più freddo.

D:Qual è il metodo di crescita del SiC?

A:Trasporto fisico del vapore (PVT)

Il PVT consiste nel riscaldare il materiale SiC nel vuoto per vaporizzarlo, quindi consentendo al vapore di depositarsi su un substrato più freddo.

Deposizione chimica a vapore (CVD)

Nella CVD, i precursori gassosi come il silano e il propano vengono introdotti in una camera dove reagiscono per formare SiC su un substrato.Metodo Lely (riscaldamento per induzione)

Il metodo Lely utilizza il riscaldamento a induzione per far crescere grandi cristalli di SiC. Il vapore del materiale SiC riscaldato si condensa su un cristallo di seme.

Crescita della soluzione (TSSG/LPE)

Questo metodo prevede la coltivazione di SiC da una soluzione fusa, che produce cristalli ultrapuri e strati epitaxiali, ideali per dispositivi ad alte prestazioni.