• Tavolo ceramico al carburo di silicio utilizzato per supportare materiali Wafer semiconduttori eccellente resistenza alla corrosione
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Tavolo ceramico al carburo di silicio utilizzato per supportare materiali Wafer semiconduttori eccellente resistenza alla corrosione

Tavolo ceramico al carburo di silicio utilizzato per supportare materiali Wafer semiconduttori eccellente resistenza alla corrosione

Dettagli:

Luogo di origine: Cina
Marca: ZMSH

Termini di pagamento e spedizione:

Tempi di consegna: 2-4weeks
Termini di pagamento: T/T
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Purity: 99.9% Color: Black
Density: 3.14g/cm3 Poisson's ratio: 0.17
Fracture toughness: 2~3MPa m1/2 MPa m1/2: 4.1
Evidenziare:

Tavolo ceramico a carburo di silicio semiconduttore

,

Materiali vassoio ceramico al carburo di silicio

Descrizione di prodotto


vassoio ceramico al carburo di silicio Utilizzato per supportare i materiali wafer semiconduttori eccellente resistenza alla corrosione.

 

vassoio ceramico al carburo di silicio

 

I vassoi in ceramica a carburo di silicio (SiC) sono componenti specializzati progettati per supportare i wafer semiconduttori durante i processi di fabbricazione.Questi vassoi possono resistere a ambienti chimici aggressivi.La loro elevata stabilità termica e resistenza meccanica garantiscono prestazioni affidabili in applicazioni ad alta temperatura.fornendo una piattaforma stabile per processi critici come l'epitaxiaLa versatilità e la durata dei vassoi in ceramica SiC li rendono essenziali in vari ambienti di produzione avanzati, migliorando l'efficienza e la qualità della produzione.

 

 


 

grafico dei dati dei vassoi in ceramica al carburo di silicio

 

Produttore   ASUZAC ASUZAC Compagnia A Compagnia B Compagnia C
Nome del prodotto   ASiC SiC3N      
Metodo di produzione   Sinterizzazione a pressione normale Sinterizzazione a pressione normale Pressione a caldo CVD Si-SiC
Densità g·cm3 3.15 3.18 3.15 3.21 3.05
Durezza di Vicker   28 28 22 26 - Sì.
Forza flessibile MPa 410 450 600 590 220
Elasticità GPA 430 430 390 450 280
Tensione alla frattura Mpa/cm^0.5 2.5 2.5 4.4 - Sì. - Sì.
Espansione termica E-6/K 4.1 4.1 4.3 4 4.8
Conduttività termica W/m•K 170 140 230 250 225

 


 

proprietà dei vassoi ceramici a carburo di silicio

 

  • Alta stabilità termica:
    Può resistere a temperature estreme, rendendole adatte per applicazioni ad alta temperatura come la sinterizzazione e la lavorazione dei semiconduttori.

  • Resistenza meccanica:
    E' dotato di una resistenza e durezza eccezionali, fornendo durata e capacità di sopportare carichi pesanti senza deformazioni o crepe.

  • Resistenza chimica:
    Altamente resistenti alla corrosione e agli attacchi chimici, permettendo loro di essere utilizzati in ambienti aggressivi, in particolare nella lavorazione e produzione chimica.

  • Conduttività termica:
    Facilita una distribuzione del calore efficiente, contribuendo a mantenere temperature di lavorazione costanti.

  • A bassa espansione termica:
    Dispone di un basso coefficiente di espansione termica, che garantisce la stabilità dimensionale e riduce il rischio di deformazione o crepa in condizioni di temperatura variabile.

  • Leggere:
    Nonostante la loro resistenza e la loro durata, i vassoi in ceramica SiC sono relativamente leggeri, rendendoli più facili da maneggiare e trasportare durante i processi di produzione.

  • Isolamento elettrico:
    Fornisce eccellenti proprietà di isolamento elettrico, rendendoli adatti per applicazioni elettroniche in cui è fondamentale ridurre al minimo la conduttività elettrica.

  • Opzioni di rivestimento CVD:
    Molti vassoi in ceramica SiC sono dotati di un rivestimento a deposizione chimica del vapore (CVD), che migliora la resistenza all'usura e fornisce una protezione aggiuntiva contro gli shock termici.

  • Personalizzabilità:
    Può essere prodotto in varie dimensioni e forme, consentendo la personalizzazione per soddisfare le specifiche esigenze di applicazione.

  •  

 


 

Applicazioni per vassoi ceramici a carburo di silicio

 

  • Fabbricazione di semiconduttori:
    I vassoi in ceramica SiC sono essenziali per sostenere i wafer di silicio durante i processi di fabbricazione, compresa l'epitaxia, la diffusione e l'ossidazione, garantendo risultati di alta qualità.

  • Sinterizzazione ad alta temperatura:
    Questi vassoi sono utilizzati nella produzione di ceramiche avanzate, fornendo una piattaforma stabile in grado di resistere alle temperature estreme richieste nei processi di sinterizzazione.

  • Trasformazione chimica:
    A causa della loro eccellente resistenza chimica, i vassoi a SiC sono ideali per la manipolazione di sostanze chimiche aggressive in ambienti sia di laboratorio che industriali.spesso utilizzato nei vasi di reazione e nelle colonne di distillazione.

  • Produzione di elettronica:
    I vassoi in SiC servono da substrati nella fabbricazione di dispositivi elettronici, dove le loro proprietà isolanti e la conduttività termica migliorano le prestazioni e l'affidabilità complessive.

  • Fabbricazione di componenti ottici:
    Utilizzati nella fabbricazione di componenti ottici, i vassoi in SiC supportano materiali che richiedono un preciso controllo della temperatura, contribuendo a prestazioni ottiche di alta qualità.

  • Applicazioni aerospaziali e automobilistiche:
    I vassoi in ceramica SiC sono utilizzati nell'industria aerospaziale e automobilistica per le loro caratteristiche di leggerezza e resistenza elevata.in particolare nei componenti che richiedono un'efficace gestione termica e resistenza alla corrosione.

  • Ricerca e sviluppo:
    In ambito di ricerca e sviluppo, questi vassoi sono utilizzati per installazioni sperimentali che coinvolgono alte temperature o materiali corrosivi, fornendo una piattaforma robusta per test di materiali innovativi.

  • Produzione di dispositivi medici:
    I vassoi di carburo di silicio sono utilizzati nella produzione di dispositivi medici, offrendo capacità di sterilizzazione e resistenza chimica in ambienti di lavorazione.

 


 

foto di vassoi in ceramica al carburo di silicio

 

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