Silicio su Isolatore SOI Wafer 6", 2,5 "m (P-doped) + 1,0 SiO2 + 625um Si (P-type /Boron Doped)

Wafer SOI di silicio su isolante 6", 2,5 "m (dopato con P) + 1,0 SiO2 + 625um Si (di tipo P /dopato con boro)

Abstract di wafer a silicio su isolante (SOI)

Questo wafer in silicio su isolatore (SOI) è un substrato semiconduttore specializzato progettato per applicazioni avanzate di sistemi elettronici e microelettromeccanici (MEMS).Il wafer è caratterizzato da una struttura a più strati che migliora le prestazioni del dispositivo, riduce la capacità parassitaria e migliora l'isolamento termico, rendendolo una scelta ideale per una vasta gamma di applicazioni ad alte prestazioni e alta precisione.

Proprietà del prodotto di wafer a silicio su isolante (SOI)

Specificità dei wafer:

• Diametro della wafer: 150 mm
  • Il diametro di 6 pollici fornisce una grande superficie per la fabbricazione del dispositivo, migliorando l'efficienza di produzione e riducendo i costi di produzione.

Strato di dispositivo:

• Spessore: 2,5 micrometri
  • Lo strato sottile dei dispositivi consente un controllo preciso delle proprietà elettroniche, essenziale per applicazioni ad alta velocità e alte prestazioni.
• Doping: tipo P (dopato con fosforo)
  • Il doping al fosforo migliora la conduttività elettrica dello strato del dispositivo, rendendolo adatto a vari dispositivi semiconduttori di tipo p.

Strato di ossido sepolto:

• Spessore: 1,0 micrometri
  • Lo strato di SiO2 dello spessore di 1,0 μm fornisce un eccellente isolamento elettrico tra lo strato del dispositivo e il wafer del manico, riducendo la capacità parassitaria e migliorando l'integrità del segnale.

Manico Wafer:

• Spessore: 625 micrometri
  • Il grassetto spessa wafer garantisce la stabilità meccanica durante la fabbricazione e il funzionamento, evitando deformazioni o rotture.
• Tipo: tipo P (dopato con boro)
  • Il doping al boro migliora la resistenza meccanica e la conduttività termica del wafer del manico, contribuendo alla dissipazione del calore e migliorando l'affidabilità complessiva del dispositivo.

Proprietà principali del prodotto:

1. Strato di dispositivi di alta qualità:

   • Mobilità dei vettori: L'elevata mobilità del vettore nello strato dopato di fosforo garantisce una risposta elettronica rapida e un funzionamento ad alta velocità.
   • Bassa densità di difetti: Il processo di fabbricazione di alta qualità garantisce il minimo di difetti, con conseguente miglioramento delle prestazioni e delle rese.

2. Isolamento elettrico efficiente:

   • Capacità parassitaria bassa: Lo strato BOX isola efficacemente lo strato del dispositivo dal substrato, riducendo la capacità parassitaria e il crosstalk, cruciali per applicazioni ad alta frequenza e a bassa potenza.
   • Integrità del segnale: L'isolamento elettrico migliorato aiuta a mantenere l'integrità del segnale, essenziale per i circuiti analogici e digitali ad alta precisione.

3. Gestione termica:

   • Conduttività termica: Il wafer a maniglia dopato al boro fornisce una buona conduttività termica, contribuendo alla dissipazione del calore generato durante il funzionamento del dispositivo, prevenendo così il surriscaldamento e garantendo prestazioni stabili.
   • Resistenza al calore: La struttura e i materiali del wafer garantiscono la sua resistenza alle alte temperature durante la lavorazione e il funzionamento.

4. Stabilità meccanica:

   • Robustezza: Il manico spesso fornisce un supporto meccanico, assicurando che il wafer rimanga stabile durante il processo di fabbricazione e sotto stress operativi.
   • Durabilità: La stabilità meccanica del manubrio aiuta a prevenire danni, riducendo il rischio di rottura del wafer e migliorando la longevità complessiva del dispositivo.

5. Versatilità nelle applicazioni:

   • Informatica ad alte prestazioni: adatto ai processori e ad altri circuiti logici digitali ad alta velocità, grazie alla sua elevata mobilità dei portatori e alla bassa capacità parassitaria.
   • Comunicazione 5G: ideale per componenti RF e elaborazione del segnale ad alta frequenza, grazie alle eccellenti proprietà di isolamento elettrico e di gestione termica.
   • Dispositivi MEMS: Perfetto per la fabbricazione di MEMS, offrendo la stabilità meccanica e la precisione necessarie per le strutture microfabbricate.
   • Circuiti analoghi e a segnale misto: Il basso rumore e la ridotta trasmissione di rumore lo rendono adatto per circuiti analogici ad alta precisione.
   • Elettronica di potenza: Le robuste proprietà termiche e meccaniche lo rendono adatto per applicazioni di gestione dell'energia che richiedono un'elevata efficienza e affidabilità.

Conclusioni

Questo wafer di silicio su isolante (SOI) offre una combinazione unica di materiali di alta qualità e tecniche di fabbricazione avanzate, con il risultato di un substrato che eccelle nelle prestazioni elettriche,gestione termica, e stabilità meccanica. Queste proprietà lo rendono una scelta ideale per una vasta gamma di applicazioni elettroniche e MEMS ad alte prestazioni,sostegno allo sviluppo di dispositivi semiconduttori di nuova generazione.

Wafer al silicio su isolante (SOI) Foto del prodotto

Domande e risposte

Che cosa sono le wafer SOI (wafer al silicio su isolante)?

I wafer a silicio su isolante (SOI) sono un tipo di substrato semiconduttore costituito da più strati, tra cui uno strato sottile di dispositivo in silicio, uno strato di ossido isolante,e un wafer a manicotto di silicio di supportoQuesta struttura migliora le prestazioni dei dispositivi semiconduttori fornendo un migliore isolamento elettrico, riducendo la capacità parassitaria e migliorando la gestione termica.