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Il carburo di silicio a 6 pollici sic ha ricoperto le piastrine di Tray High Temperature Resistance Graphite della grafite
Dettagli:
| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | ZMKJ |
| Numero di modello: | 6 pollici |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 5-10pcs |
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| Prezzo: | by case |
| Imballaggi particolari: | pacchetto necessario per il vassoio della grafite |
| Tempi di consegna: | 1-3weeks |
| Termini di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacità di alimentazione: | 1000PCS/Week |
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Informazioni dettagliate |
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| Nome del prodotto: | Carburo di silicio a 6 pollici | Materiale: | Della grafite vassoio del wafer sic |
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| Grade: | GSK-II/HPM-II/HPM-III | Suraface: | lucidato/macinazione |
| Application: | Electrolysis | Diametro: | 6 pollici |
| Evidenziare: | Vassoio sic rivestito della grafite,Vassoio a 6 pollici della grafite,Piastrine rivestite della grafite del carburo di silicio |
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Descrizione di prodotto
6 pollici di carburo di silicio SiC rivestito Grafite vassoio resistenza ad alte temperature piastre di grafite
Silicon carbide coated epitaxial sheet tray used in epitaxial furnace equipment/Silicon Carbide Coated Graphite SiC/Excellent Bending Strength Anti Corrosion Graphite Tray / Wafer Tray/Graphite composite plate high purity carbon graphite anode plate
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Applicazione
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circuito integrato a semiconduttori
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Quotiente di purezza < 5 ppm
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rivestimento su scala nanometrica e buona uniformità del doping
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prestazioni di tenuta e capacità di incollaggio del rivestimento di vernice
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resistente alla corrosione da blocchi di legame con elementi di carbonio
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Servizio professionale su misura
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tempo di consegna breve
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prodotti di processo internazionale e tempi di consegna stabili
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servizi di miglioramento rapido delle prestazioni dei prodotti
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CATALOGO DIMENSIONE COMUNE
| Grado | Densità di massa | Forza flessibile | Forza di compressione |
Resistenza specifica
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Contenuto di cenere |
| GSK-II | 10,72 g/cc min | 15Mpa min | 32 Mpa min | 8.0μΩ•m massimo | 00,3% al massimo |
| HPM-II | 10,78 g/cc min | 18Mpa min | 35Mpa min | 10 μΩ•m massimo | 00,1% al massimo |
| HPM-III | 10,83 g/cc min | 35Mpa min | 68Mpa min | 10 μΩ•m massimo | 00,1% al massimo |
| Se il materiale richiesto non rientra nei livelli sopra indicati, si prega di contattarci senza esitazione.Il nostro ingegnere professionista e esperto sceglierà il grado più adatto secondo la tua applicazione specifica. | |||||
Riguardo alla Società ZMKJ
ZMKJ può fornire wafer SiC monocristallino di alta qualità (Carburo di Silicio) all' industria elettronica e optoelettronica.con proprietà elettriche uniche ed eccellenti proprietà termiche , rispetto al wafer al silicio e al wafer GaAs, il wafer SiC è più adatto per applicazioni ad alta temperatura e ad alta potenza.Tipo N, dopato con azoto, e tipo semi-isolatore disponibili.
I nostri prodotti di relazione
Wafer di zaffiro e lenti/ LiTaO3 Crystal/ Wafer di SiC/ LaAlO3 / SrTiO3/ Wafer/ Ruby Ball
Domande frequenti
D: Qual è il modo di spedizione e il costo?
R: Accettiamo DHL, Fedex, EMS, ecc.
(2) va bene se hai il tuo conto espresso, se no, possiamo aiutarti a spedirli e
Il carico è conforme al regolamento effettivo.
D: Come si paga?
A: T/T 100% di deposito prima della consegna.
D: Qual è il vostro MOQ?
A: (1) Per l'inventario, il MOQ è 1pcs. se 2-5pcs è meglio.
(2) Per i prodotti di linea personalizzati, l'MOQ è di 10pcs.
D: Qual è il tempo di consegna?
A: (1) Per i prodotti standard
Per l'inventario: la consegna è di 5 giorni lavorativi dal momento dell'ordine.
Per i prodotti personalizzati: la consegna è di 2 -4 settimane dopo l'ordine contatto.
D: Avete prodotti standard?
R: I nostri prodotti standard sono in magazzino.