tipo pezzo quadrato SEM del microscopio elettronico a scansione di 10x10mm P della lastra di silicio

Descrizione di prodotto

wafer lucidato N tipo dell'ossido di silicio dei wafer della lastra di silicio di 2inch 3inch 4inch 5inch 6inch 8inch 12inch FZ CZ DSP SiO2

lastra di silicio del microscopio elettronico a scansione di 1inch 2inch 10x10mm piccolo pezzo quadrato SEM

Wafer unici della lastra di silicio (11N) e doppio lucidati a 1-12 pollici di grande purezza lucidati di Czochralski
Dimensioni 1" 2" 3" 4" 5" 6" 8" 12" e wafer speciali di specificazione e di dimensione
Singolo disco di lucidatura di superficie, doppio disco di lucidatura, disco abrasivo, disco di corrosione, tagliente disco
Orientamento di cristallo <100> <111> <110> <211> <511> e lastre di silicio con i vari fuori angoli
Spessore 100um 200um 300um 400um 500um 1mm 5mm ed altri spessori, tolleranza +-10um di spessore,

Tipo< 10um="" or="" according="" to="" customer="" requirements=""> di conducibilità di TTV N tipo, P tipo, undope (resistenza intrinsecamente alta)
Metodo Czochralski (CZ), fusione di zona (FZ), NTD (foto media) di monocristallo
La Ri-verniciatura di resistività può raggiungere <0>

qualità intrinseca di fusione di zona: > 1000 ohm.cm, >3000 ohm.cm, >5000 ohm.cm, >8000 ohm.cm, >10000 ohm.cm
TIR di planarità di parametri trattati: ≤3μm, distorsione TTV: ≤10μm,
Arco/Warp≤40μm, roughness≤0.5nm, dimensione delle particelle <> 0.3μ)
di alluminio Ultra-pulito d'imballaggio di metodo che imballa sotto vuoto 10 pezzi, 25 pezzi
L'elaborazione della personalizzazione il tempo di lavorazione del modello, dell'orientamento di cristallo, dello spessore, della resistività, ecc. è leggermente differente secondo le specifiche ed i parametri differenti.
Introduzione dell'applicazione è usato per i porta-campioni di radiazione di sincrotrone quali i processi, rivestimenti di PVD/CVD come substrati, magnetron farfugliare i campioni della crescita, XRD, SEM,
Forza atomica, spettroscopia infrarossa, spettroscopia di fluorescenza ed altri substrati della prova di analisi, substrati di crescita di epitassia del fascio molecolare, analisi di raggi x dei semiconduttori cristallini

ZMSH è fabbrica di forza a semiconduttore, speciale per prova dell'attrezzatura di laboratorio di ricerca scientifica, wafer lucidati a 2-3-4-5-6-8 pollici dell'ossido di silicio, silici monocristallini di grande purezza ha ricoperto i wafer del substrato di ricerca scientifica del microscopio elettronico

Consulti prego il proprietario prima di ordinare per le specifiche specifiche e prego senta libero per fare tutte le domande riguardo alle lastre di silicio.

Tutti i laboratori di ricerca scientifica e società a semiconduttore sono benvenuti ordinare e gli ordini dell'OEM possono essere ricevuti e le lastre di silicio possono essere importate.

Dichiarazione speciale: Tutte le lastre di silicio della nostra società sono elaborate dai silici monocristallini ricavati dal polisiliconico indigeno, lastre di silicio riciclate non economiche o hanno usato le lastre di silicio ripulite! La citazione comprende una fattura dell'IVA di 16%.

La nostra lista di inventario per le lastre di silicio (grado di IC, metodo CZ di tirata)
 Singola lastra di silicio lucidata laterale di tirata diritta
(25.4mm) spessore lucidato a un solo lato a 1 pollici 500um del wafer di Czochralski
2 pollici (50.8mm) di Czochralski di spessore lucidato a un solo lato 280um del wafer
3 pollici (76.2mm) di Czochralski di spessore lucidato a un solo lato 380um del wafer
(100mm) lastra di silicio lucidata a un solo lato a 4 pollici di diritto-tirata con uno spessore di 500um
(125mm) spessore lucidato a un solo lato a 5 pollici 625um del wafer di Czochralski
6 pollici (150mm) di Czochralski di spessore lucidato a un solo lato 675um del wafer

Lastre di silicio lucidate su due lati di Czochralski
(25.4mm) spessore lucidato su due lati a 1 pollici 500um del wafer di Czochralski
2 pollici (50.8mm) di Czochralski di spessore lucidato su due lati 280um del wafer
3 pollici (76.2mm) di Czochralski di spessore lucidato su due lati 380um del wafer

4 pollici (100mm) di Czochralski di spessore lucidato su due lati 500um del wafer
5 pollici (125mm) di Czochralski di spessore lucidato su due lati 625um del wafer
6 pollici (150mm) di Czochralski di spessore lucidato su due lati 675um del wafer
a un solo lato Diritto-tirato ha lucidato le lastre di silicio ultrasottili

(25.4mm) spessore ultrasottile lucidato a un solo lato a 1 pollici 100um della lastra di silicio di diritto-tirata
2 pollici (50.8mm) di diritto-tirata di spessore ultrasottile lucidato lato unico 100um della lastra di silicio
3 pollici (76.2mm) di diritto-tirata di spessore ultrasottile lucidato lato unico 100um della lastra di silicio
(100mm) lastra di silicio ultrasottile lucidata a un solo lato a 4 pollici di diritto-tirata con uno spessore di 100um

Lastre di silicio ultrasottili lucidate su due lati di Czochralski
(25.4mm) spessore ultrasottile lucidato su due lati a 1 pollici 100um del wafer di Czochralski
2 pollici (50.8mm) di Czochralski di spessore ultrasottile lucidato su due lati 100um del wafer
3 pollici (76.2mm) di Czochralski di spessore ultrasottile lucidato su due lati 100um del wafer
4 pollici (100mm) di Czochralski di spessore ultrasottile lucidato su due lati 100um del wafer

Lastra di silicio (grado di IC, fusione di zona FZ)
Lastra di silicio lucidata lata unico di fusione di zona
a 1 pollici (25.4mm) ha fuso lo spessore 500um della lastra di silicio nell'area di lucidatura a un solo lato
2 pollici (50.8mm) hanno fuso lo spessore 280um della lastra di silicio nell'area di lucidatura lata unico

a 3 pollici (76.2mm) ha fuso lo spessore 380um della lastra di silicio nell'area di lucidatura lata unico
4 pollici (100mm) hanno fuso lo spessore 500um della lastra di silicio nell'area di lucidatura lata unico

Lastre di silicio lucidate su due lati di fusione di zona
A 1 pollici (25.4mm) ha fuso lo spessore 500um della lastra di silicio nell'area di lucidatura su due lati
2 pollici (50.8mm) hanno fuso lo spessore 280um della lastra di silicio nell'area di lucidatura su due lati
a 3 pollici (76.2mm) ha fuso lo spessore 380um della lastra di silicio nell'area di lucidatura su due lati
4 pollici (100mm) hanno fuso lo spessore 500um della lastra di silicio nell'area di lucidatura su due lati

Lastra di silicio ultrasottile lucidata lata unico di fusione di zona
(25.4mm) spessore ultrasottile di lucidatura a un solo lato a 1 pollici 100um della lastra di silicio di fusione di zona
2 pollici (50.8mm) di zona di fusione di spessore ultrasottile di lucidatura a un solo lato 100um della lastra di silicio
3 pollici (76.2mm) di zona di fusione di spessore ultrasottile di lucidatura a un solo lato 100um della lastra di silicio
4 pollici (100mm) di zona di fusione di spessore ultrasottile di lucidatura a un solo lato 100um della lastra di silicio

Lastre di silicio ultrasottili lucidate su due lati di fusione di zona
(25.4mm) area di lucidatura su due lati a 1 pollici che fonde spessore ultrasottile 100um della lastra di silicio
2 pollici (50.8mm) di area di lucidatura su due lati che fonde spessore ultrasottile 100um della lastra di silicio

3 pollici (76.2mm) di area di lucidatura su due lati che fonde spessore ultrasottile 100um della lastra di silicio
4 pollici (100mm) di area di lucidatura su due lati che fonde spessore ultrasottile 100um della lastra di silicio


Parametri del prodotto. per i wafer di si 8inch
 Dimensione del prodotto. lastra di silicio lucidata a un solo lato a 8 pollici
metodi di produzione.   Czochralski (CZ)
Diametro e tolleranza millimetro 200±0.3mm
Di modello/verniciando tipo.  Tipo di N (fosforo, arsenico) tipo di P (boro ha verniciato)
orientamento di cristallo.<111><100><110>
  Resistività. 0.001-50 (ohm-cm) (le gamme differenti di resistività possono essere personalizzate secondo i requisiti di cliente)
TIR di planarità.<3um>  Ra di rugosità<0> che imballa 25 pezzi del pacchetto 100 della stanza pulita di imballaggio sotto vuoto livellato di doppio strato
 
Usato per i porta-campioni di radiazione di sincrotrone quali i processi, il rivestimento di PVD/CVD come substrato, magnetron farfugliare i campioni di crescita, XRD, SEM, forza atomica, spettroscopia infrarossa, spettroscopia di fluorescenza ed altri substrati di prove e di analisi, substrati di crescita di epitassia del fascio molecolare, analisi di raggi x Crystal Semiconductor Lithography

Le informazioni di ordinazione devono includere:
1. resistività
2. dimensione: 2", 3", 4", 5", altre dimensioni può essere personalizzato
3. spessore
4. lucidatura unilaterale, lucidatura su due lati, nessuna lucidatura
5. grado: Grado meccanico, grado della prova, grado principale (film positivo)
6. tipo di conducibilità: Tipo di P, tipo di N
7. orientamento di cristallo
7. verniciare tipo: boro-verniciato, fosforo-verniciato, arsenico-verniciato, gallio-verniciato, antimonio-verniciato, undoped
8. TTV, SI PIEGANO (il valore normale è <10um>