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Tipo a 6 pollici substrato di VGF N a semiconduttore di GaAs per crescita epitassiale
Dettagli:
| Luogo di origine: | CN |
| Marca: | ZMSH |
| Certificazione: | ROHS |
| Numero di modello: | S-C-N |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 3pcs |
|---|---|
| Prezzo: | BY case |
| Imballaggi particolari: | singolo contenitore del wafer nell'ambito della stanza di pulizia |
| Tempi di consegna: | 2-6weeks |
| Termini di pagamento: | T/T, Western Union |
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Informazioni dettagliate |
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| Materiale: | Cristallo di GaAs | Orientamento: | 100 2°off |
|---|---|---|---|
| Dimensione: | 6INCH | Metodo di crescita: | VGF |
| Spessore: | 675±25um | EPD: | <500> |
| Dopant: | Si-verniciato | Forma: | con la tacca |
| TTV: | 10um | Arco: | 10um |
| Superficie: | SSP | ||
| Evidenziare: | Substrato a semiconduttore di GaAs,Substrato a semiconduttore di VGF,tipo substrato di crescita epitassiale n |
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Descrizione di prodotto
Wafer principale n tipo di GaAs del grado di VGF 2inch 4inch 6inch per crescita epitassiale
Il wafer di GaAs (arsenuro di gallio) è un'alternativa vantaggiosa a silicio che sta evolvendosi nell'industria a semiconduttore. Meno consumo di energia e più efficienza offerti dai wafer di questo GaAs stanno attirando i giocatori del mercato per adottare questi wafer, quindi aumentanti la domanda del wafer di GaAs. Generalmente, questo wafer è usato per fabbricare i semiconduttori, i diodi luminescenti, termometri, circuiti elettronici e barometri, oltre a trovare l'applicazione nella fabbricazione delle leghe con una bassa temperatura di fusione. Come il semiconduttore ed il circuito elettronico le industrie continuano a toccare i nuovi picchi, il mercato di GaAs sta rombando. L'arsenuro di gallio del wafer di GaAs ha il potere della generazione della luce laser dall'elettricità. Il monocristallo particolarmente policristallino ed è il tipo principale due di wafer di GaAs, che sono utilizzati nella produzione sia della microelettronica che dell'optoelettronica per creare il LD, il LED ed i circuiti di a microonde. Di conseguenza, l'estesa gamma di applicazioni di GaAs, specialmente nell'optoelettronica e nell'industria della microelettronica sta creando un afflusso della domanda nel mercato del wafer dei theGaAs. Precedentemente, i dispositivi optoelettronici pricipalmente sono stati utilizzati su una vasta gamma nelle comunicazioni ottiche e nelle unità periferiche di computer a corta portata. Ma ora, sono nella richiesta di alcune applicazioni emergenti quali il lidar, la realtà aumentata ed il riconoscimento di fronte. LEC e VGF sono due metodi popolari che stanno migliorando la produzione del wafer di GaAs con l'alta uniformità delle proprietà elettriche e della qualità di superficie eccellente. La mobilità di elettrone, il singolo intervallo di banda della giunzione, l'alta efficienza, il calore e la resistenza all'umidità e la flessibilità superiore sono i cinque vantaggi distinti di GaAs, che stanno migliorando l'accettazione dei wafer di GaAs nell'industria a semiconduttore.
Che cosa forniamo:
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Oggetto
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Y/N
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Oggetto
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Y/N
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Oggetto
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Y/N
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Cristallo di GaAs
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sì
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Grado elettronico
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sì
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Tipo di N
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sì
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Spazio in bianco di GaAs
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sì
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Grado infrarosso
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sì
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Tipo di P
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sì
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Substrato di GaAs
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sì
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Grado delle cellule
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sì
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Undoped
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sì
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Wafer di epi di GaAs
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sì
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| GaAs (arsenuro di gallio) per le applicazioni del LED | ||
| Oggetto | Specifiche | Osservazioni |
| Tipo di conduzione | SC/n-type | |
| Metodo di crescita | VGF | |
| Dopant | Silicio | |
| Wafer Diamter | 2, 3 & a 4 pollici | Lingotto o disponibile come tagliato |
| Crystal Orientation | (100) 2°/6°/15° fuori da (110) | L'altro misorientation disponibile |
| DI | EJ o gli Stati Uniti | |
| Concentrazione in trasportatore | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Resistività al RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilità | 1500~3000 cm2/V.sec | |
| Incissione all'acquaforte Pit Density | <500> | |
| Marcatura del laser | su richiesta | |
| Finitura superficia | P/E o P/P | |
| Spessore | 220~350um | |
| Epitassia pronta | Sì | |
| Pacchetto | Singolo contenitore o cassetta del wafer | |
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GaAs (arsenuro di gallio), Semi-isolante per le applicazioni di microelettronica
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Oggetto
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Specifiche
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Osservazioni
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Tipo di conduzione
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Isolamento
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Metodo di crescita
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VGF
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Dopant
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Undoped
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Wafer Diamter
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2, 3, 4 & a 6 pollici
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Lingotto disponibile
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Crystal Orientation
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(100) +/- 0.5°
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DI
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EJ, gli Stati Uniti o tacca
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Concentrazione in trasportatore
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n/a
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Resistività al RT
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>1E7 Ohm.cm
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Mobilità
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>5000 cm2/V.sec
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Incissione all'acquaforte Pit Density
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<8000>
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Marcatura del laser
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su richiesta
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Finitura superficia
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P/P
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Spessore
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350~675um
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Epitassia pronta
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Sì
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Pacchetto
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Singolo contenitore o cassetta del wafer
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| No. | Oggetto | Specificazione standard | |||||
| 1 | Dimensione | 2" | 3" | 4" | 6" | ||
| 2 | Diametro | millimetro | 50.8±0.2 | 76.2±0.2 | 100±0.2 | 150±0.5 | |
| 3 | Metodo di crescita | VGF | |||||
| 4 | Verniciato | Non-verniciato, o Si-verniciato, o Zn-verniciato | |||||
| 5 | Conduttore Type | N/A, o SC/N, o SC/P | |||||
| 6 | Spessore | μm | (220-350) ±20 o (350-675) ±25 | ||||
| 7 | Crystal Orientation | <100>±0.5 o 2 fuori | |||||
| Opzione di orientamento di OF/IF | EJ, gli Stati Uniti o tacca | ||||||
| Piano di orientamento (DI) | millimetro | 16±1 | 22±1 | 32±1 | - | ||
| Piano dell'identificazione (SE) | millimetro | 8±1 | 11±1 | 18±1 | - | ||
| 8 | Resistività | (Non per Meccanico Grado) |
Ω.cm | (1-30) “107, o (0.8-9) “10-3, o 1' 10-2-10-3 | |||
| Mobilità | cm2/v.s | ≥ 5.000, o 1,500-3,000 | |||||
| Concentrazione in trasportatore | cm-3 | (0.3-1.0) x1018, o (0.4-4.0) x1018, o come SEMI |
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| 9 | TTV | μm | ≤10 | ||||
| Arco | μm | ≤10 | |||||
| Filo di ordito | μm | ≤10 | |||||
| EPD | cm-2 | ≤ 8.000 o ≤ 5.000 | |||||
| Parte anteriore/superficie posteriore | P/E, P/P | ||||||
| Profilo del bordo | Come SEMI | ||||||
| Conteggio di particella | <50>0,3 μm, conteggio/wafer), o COME SEMI |
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| 10 | Segno del laser | Lato posteriore o su richiesta | |||||
| 11 | Imballaggio | Singolo contenitore o cassetta del wafer | |||||
Dettaglio del pacchetto:
