Marchio:	ZMKJ
Numero di modello:	purezza alta 4inch
MOQ:	1pcs
prezzo:	1000-2000usd/pcs by FOB
Dettagli dell' imballaggio:	singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi
Condizioni di pagamento:	T / T, Western Union, MoneyGram

Informazione dettagliata

Descrizione di prodotto

Informazione dettagliata

Luogo di origine:

La Cina

Materiale:

Tipo SiC monocristallo 4H-semi ad elevata purezza

Grado:

Prodotto manifatturiero/ricerca/produzione

Thicnkss:

500 mm

Suraface:

CMP/MP

Applicazione:

Dispositivo 5G

Diametro:

100 ± 0,3 mm

Capacità di alimentazione:

1-50pcs/month

Evidenziare:

substrato del carburo di silicio

sic wafer

Descrizione di prodotto

Sottostati di carburo di silicio monocristallino (sic) di alta purezza di 4H-N di 4 pollici e 6 pollici di diametro 150 mm, wafer, lingotti di cristallo sicdi una lunghezza di 20 mm o più ma non superiore a 50 mm,Wafer a cristallo di carburo di silicio/Wafer a taglio su misura

Wafer a carburo di silicio di alta purezza Prime/Dummy/Ultra Grade 4H-Semi SiC Wafer per dispositivo 5G

A proposito del cristallo di carburo di silicio (SiC)

Il carburo di silicio (SiC), noto anche come carborundo, è un semiconduttore contenente silicio e carbonio con formula chimica SiC.Il SiC è utilizzato nei dispositivi elettronici semiconduttori che funzionano ad alte temperature o alte tensioniSiC è anche uno dei componenti importanti del LED, è un substrato popolare per la coltivazione di dispositivi GaN e funge anche da diffusore di calore nei LED ad alta potenza.

Proprietà del singolo cristallo 4H-SiC

Parametri del reticolo: a=3.073Å c=10.053Å
Sequenza di impilazione: ABCB
Durezza di Mohs: ≈9.2
Densità: 3,21 g/cm3
Coefficiente di espansione termica: 4-5×10-6/K
Indice di rifrazione: no= 2,61 ne= 2.66
Costante dielettrica: 9.6
Conduttività termica: a~4,2 W/cm·K@298K
(tipo N, 0,02 ohm.cm) c~3,7 W/cm·K@298K
Conduttività termica: a~4,9 W/cm·K@298K
(Semi-isolamento) c~3,9 W/cm·K@298K
Distanza di banda: 3,23 eV Distanza di banda: 3,02 eV
Campo elettrico di rottura: 3-5×10 6V/m
Velocità di deriva di saturazione: 2.0×105m/

Wafer in carburo di silicio ad alta purezza 0

Carburo di silicio (SiC) di alta purezza di 4 pollici di diametro Specifica del substrato

4 pollici di diametro Alta purezza 4H Carburo di silicio Sottostrato specifiche

Proprietà del substrato	Grado di produzione	Grado di ricerca	Grado per finti
Diametro	1000,0 mm+0.0/-0,5 mm
Orientazione della superficie	{0001} ± 0,2°
Orientazione primaria piatta	< 11-20> ± 5,0 ̊
Orientazione piatta secondaria	90.0 ̊ CW da Primary ± 5.0 ̊, silicio verso l'alto
Lunghezza piatta primaria	32.5 mm ± 2,0 mm
Lunghezza piatta secondaria	180,0 mm ± 2,0 mm
Connessione a un'altra parte	Campione
Densità di micropipe	≤ 5 micropipe/cm2	≤10 micropipes/cm2	≤ 50micro-tubi/cm2
Aree di politipo per luce ad alta intensità	Nessuna autorizzata		≤10% di superficie
Resistenza	≥1E5O·cm		(superficie 75%)≥ 1E5O·cm
Spessore	3500,0 μm ± 25,0 μmo 5000,0 μm ± 25,0 μm
TTV	️10 μm		️15 μm
Inchinati.(valore assoluto)	️25 μm		️30 μm
Warp.	️45μm
Finitura superficiale	Polish a doppio lato, Si Face CMP(lucidatura chimica)
Roughness della superficie	CMP Si Face Ra≤0,5 nm		N/A
Fissure causate da luce ad alta intensità	Nessuna autorizzata
L'illuminazione diffusa	Nessuna autorizzata	- Qty.2<1.0 mm di larghezza e profondità	- Qty.2<1.0 mm di larghezza e profondità
Superficie utile totale	≥ 90%	≥ 80%	N/A

*Le altre specifiche possono essere personalizzate in base al cliente️Requisiti

6 pollici di alta purezza Semi-isolatori 4H-SiC Sottostrati Specificativi

Immobili	Grado U (Ultra)	P(Produzione)Grado	R(Ricerca)Grado	D(Cazzo.)Grado
Diametro	1500,0 mm±0,25 mm
Orientazione della superficie	{0001} ± 0,2°
Orientazione primaria piatta	< 11-20> ± 5,0 ̊
Orientamento piatto secondario	N/A
Lunghezza piatta primaria	47.5 mm ± 1,5 mm
Lungozza del piano secondario	Nessuna
Connessione a un'altra parte	Campione
Densità di micropipe	≤ 1 /cm2	≤ 5 /cm2	≤ 10 /cm2	≤ 50 /cm2
Area di politipo per luce ad alta intensità	Nessuna			≤ 10%
Resistenza	≥1E7 Ω·cm			(superficie 75%)≥1E7 Ω·cm
Spessore	350.0 μm ± 25,0 μm o 500.0 μm ± 25,0 μm
TTV	️10 μm
Valore assoluto	️40 μm
Warp.	️60 μm
Finitura superficiale	Faccia C: lucidata otticamente, faccia Si: CMP
Roughness (((10μm×10μm)	CMP Si-face Ra<0.5 nm			N/A
Rottura da luce ad alta intensità	Nessuna
Fabbricazione di frammenti/indenti per illuminazione diffusa	Nessuna		Qty≤2, la lunghezza e la larghezza di ciascuna<1 mm
Area effettiva	≥ 90%		≥ 80%	N/A

* I limiti di difetto si applicano a tutta la superficie del wafer, ad eccezione della zona di esclusione dei bordi.

Applicazioni dei substrati di SiC

CATALOGO DIMENSIONE COMUNE

Tipo 4H-N / Wafer/ingotti SiC ad alta purezza Wafer SiC tipo N da 2 pollici 4H/ingotti Wafer SiC tipo N da 3 pollici 4H Wafer SiC di tipo N da 4 pollici 4H/ingotti Wafer SiC tipo N da 6 pollici 4H/ingotti	4H semi-isolatore / alta purezzaWafer a base di SiC Wafer SiC semisolatore da 2 pollici 4H Wafer SiC semi-isolatore da 3 pollici 4H Wafer SiC semisolatore da 4 pollici 4H Wafer SiC semi-isolatore da 6 pollici 4H
Wafer SiC di tipo 6H N Wafer SiC tipo N da 2 pollici 6H/ingot	Dimensioni personalizzate per 2-6 pollici

Wafer in carburo di silicio ad alta purezza 1

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Acquisto di materiali

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Qualità

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Servizio

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