Nuovo Wafer SiC da 12 pollici lanciato, rivoluzionerà l'industria dei semiconduttori ad alte prestazioni

Nuovo Wafer SiC da 12 pollici lanciato, rivoluzionerà l'industria dei semiconduttori ad alte prestazioni

Shanghai, 20 febbraio 2025 Shanghai Famous Trade Co., Ltd. è entusiasta di annunciare il lancio del suo nuovoWafer in carburo di silicio (SiC) da 12 pollici (300 mm), che segna una svolta significativa nel campo dei materiali semiconduttori ad alte prestazioni.questo prodotto soddisfa i severi requisiti sia di ricerca che di produzione, ed è ampiamente utilizzato in settori come i veicoli elettrici (EV), l'elettronica di potenza e la tecnologia a radiofrequenza (RF).

Caratteristiche chiave del Wafer SiC ad alte prestazioni

Il nuovo wafer SiC da 12 pollici presenta un orientamento cristallino 4H-N e uno spessore di 750±25μm, offrendo eccezionali proprietà elettriche, termiche e meccaniche.Rispetto ai materiali tradizionali in silicioL'alta conduttività termica, l'elevata tensione di rottura e l'eccellente mobilità degli elettroni consentono di funzionare a tensioni, temperature e frequenze più elevate.migliorare notevolmente l'efficienza e l'affidabilità del dispositivo.

• Vantaggi materiali: Il SiC ha un ampio intervallo di banda, elevata conduttività termica e tolleranza ad alta tensione, il che lo rende ideale per dispositivi elettronici ad alta potenza e alta temperatura, come i MOSFET di potenza e i diodi di potenza.
• Proprietà meccaniche: La durezza e la rigidità del SiC® superano di gran lunga i materiali tradizionali in silicio, migliorando la durata e l'integrità strutturale dei dispositivi.
• Ampie applicazioni: il nuovo Wafer SiC da 12 pollici è particolarmente adatto alle esigenze di alte prestazioni nei veicoli elettrici, nell'elettronica di potenza, nelle comunicazioni ad alta frequenza, nell'illuminazione a LED e altro ancora,promuovere il progresso in settori come i veicoli a nuova energia, le energie rinnovabili e i sistemi energetici industriali.

Specificativi del prodotto

• Diametro: 300 mm
• Spessore: 750 ± 25 μm
• Orientazione cristallina: tipo 4H-N, <0001> (su asse) e 4° fuori asse <1120>
• Resistenza: 0,015 0,03 Ω·cm
• Densità di micropipe (MPD): ≤ 10/cm2
• Roughness superficiale: Ra polacco ≤1nm, Ra CMP ≤0,2nm
• Imballaggio: contenitore di una singola wafer

Prospettive di applicazione innovativa

Il nuovo wafer SiC da 12 pollici sarà ampiamente utilizzato nei prodotti elettronici ad alta potenza, in particolare nei sistemi di gestione dell'energia dei veicoli elettrici, nelle reti intelligenti, nello stoccaggio dell'energia e nei sistemi di conversione dell'energia.Stabilità a alta temperatura del SiC, forti capacità di gestione della potenza e caratteristiche di commutazione veloce lo rendono una scelta ideale per dispositivi semiconduttori a basso consumo di energia di nuova generazione.

Inoltre, questi wafer svolgeranno un ruolo chiave nelle applicazioni ad alta frequenza come le comunicazioni 5G, l'aerospaziale e i sistemi radar militari.Mentre la domanda di dispositivi elettronici ad alte prestazioni continua ad aumentare, il Wafer SiC da 12 pollici è pronto a diventare una delle principali forze trainanti nell'industria dei semiconduttori.

A proposito della Shanghai Famous Trade Co., Ltd.

Shanghai Famous Trade Co., Ltd. è specializzata nella ricerca, nello sviluppo e nella fornitura di materiali semiconduttori ad alte prestazioni.Siamo impegnati a fornire tecnologie all'avanguardia e prodotti di alta qualità ai clienti globaliCon anni di esperienza tecnologica ed esperienza di mercato, siamo diventati un leader riconosciuto e un partner di fiducia nel settore.

Per ulteriori informazioni sul prodotto o richieste di ordine, si prega di visitare il nostro sito ufficiale o contattare il nostro team di vendita.Non vediamo l'ora di unirci a voi nel promuovere la prossima generazione di semiconduttori ad alte prestazioni..