Marzo 2025 ZMSH annuncio ufficiale

ZMSH è orgogliosa di annunciare la pubblicazione ufficiale del nostroWafer monocristallino in carburo di silicio (SiC) da 12 pollici, segnando unPietra miliare significativaQuesto prodotto d'avanguardia è ora disponibile per i clienti di tutto il mondo, supportando la domanda in rapida crescita di veicoli elettrici (EV), energie rinnovabili,e sistemi di alimentazione industriale.

In qualità di leader nel settore dei semiconduttori, ZMSH si impegna a fornire soluzioni all'avanguardia che contribuiscano a guidare il futuro dell'energia e della tecnologia.Il lancio di questi wafer SiC da 12 pollici rappresenta una svolta nella produzione di dispositivi di potenza ad alte prestazioni, ideale per una varietà di applicazioni tra cui veicoli elettrici (EV), sistemi di energia rinnovabile e reti elettriche.

Rispetto ai tradizionali wafer in silicio, i wafer in SiC offrono una conduttività termica superiore, una maggiore tolleranza alla tensione e una migliore efficienza, rendendoli un materiale cruciale per i moderni sistemi energetici.Con l'introduzione del wafer da 12 pollici, ZMSH è ora in grado di fornire wafer più grandi ed efficienti, consentendo la produzione di più dispositivi di potenza per wafer a un costo inferiore.

Questa nuova offerta di ZMSH consentirà ai produttori di ampliare la produzione di dispositivi di alimentazione a base di SiC,ridurre i costi soddisfacendo la crescente domanda globale di soluzioni energetiche sostenibili e ad alte prestazioni.

Vi invitiamo ad esplorare il potenziale dei nostri wafer a singolo cristallo SiC da 12 pollici e a vedere come possono rivoluzionare i vostri progetti e le vostre applicazioni nel mondo dell'elettronica di potenza.Contatta ZMSH oggi per saperne di più sul nostro ultimo prodotto e su come può essere utile alla tua attività.

Rimani in testa con ZMSH, il tuo partner nell'elettronica di potenza di nuova generazione.

Raccomandazione del prodotto

Wafer SiC da 12 pollici Wafer Carburo di silicio da 300 mm Wafer Conduttiva Dummy Grade N-Type Research grade

8 pollici 12 pollici 4H-N Tipo Wafer SiC Spessore 500±25um 1000±50 N Doped Dummy Prime Research Grade